公开(公告)号：WO2016096870A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2015/079813

申请日：2015-12-15

Applicant: EPCOS AG

Inventor： MIYAUCHI, Yasuharu ,  DUDESEK, Pavol ,  PAYR, Edmund ,  PUDMICH, Günther

IPC: H01C7/105 ,  H01G4/12 ,  H01L23/498 ,  H05K1/16 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01C7/105 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/167 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/4644 ,  H01L2924/00

Abstract: Für eine Trägerplatte wird vorgeschlagen, eine erste keramische Funktionsschichtüber eine Verbindungsschicht (VS) mit einer keramischen Spannschicht (SPS) zu verspannen, um den lateralen Sinterschwund zu reduzieren. Die Funktionsschicht (FS) und die Spannschicht (SPS) sind glasfrei oder weisen einen nur geringen Glasanteil von weniger als 5 Gew. % auf, während die Verbindungsschicht (VS) eine Glaskomponente umfasst oder eine Glasschicht ist.

Abstract translation: 对于支撑板经由接合层（VS）与陶瓷张力层（SPS）的第一陶瓷功能层，提出了为了减少横向烧结收缩被拉紧。 功能层（FS）和夹紧层（SPS）是玻璃 - 不含或仅具有小于5重量％的低玻璃含量，虽然连接层（VS）包括玻璃组分，或玻璃层。

公开(公告)号：WO2015113778A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/EP2015/050006

申请日：2015-01-02

Applicant: EPCOS AG

Inventor： MIYAUCHI, Yasuharu ,  DUDESEK, Pavol ,  FAISTAUER, Christian ,  FUCHS, Gerhard ,  OBERMAIR, Stefan ,  AICHHOLZER, Klaus-Dieter ,  BLOCK, Christian ,  SEBASTIAN, Brunner

IPC: C03C3/089 ,  H01C7/10 ,  H01C7/112 ,  H01C7/18 ,  H01C17/28 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01C7/12 ,  C03C3/089 ,  H01C7/1006 ,  H01C7/112 ,  H01C7/18 ,  H01C17/285 ,  H01L25/167 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Chip mit Varistorfunktion vorgeschlagen, der eine Varistorschicht (VS) aus Zinkoxid und darin eine mehrschichtige Elektrodenstruktur aufweist. Galvanisch oder stromlos verstärkte löt- oder bondbaren Außenkontakte (AK) sind auf einer ersten Hauptoberfläche der Varistorschicht (VS) vorgesehen. Eine Glasschicht bedeckt die nicht mit Metallisierung versehenen Bereiche der ersten Hauptoberfläche. Die Glasschicht weist als Hauptbestandteil Oxide von Si und/oder Ge, B und K auf, die in Summe zumindest 70 Gew.% der Bestandteile der Glasschicht umfassen und im Wesentlichen frei von Al, Ga, Cr und Ti ist. Die Glasschicht schützt die Varistorschicht bei einer Galvanik und erlaubt einen dünnen Chip mit unbeschädigter Varistorfunktion. Der Chip kann als Substrat für elektrische Bauelemente mit integrierter Schutzfunktion eingesetzt werden.

Abstract translation: 公开的是具有氧化锌的变阻器层（VS）的芯片变阻器和是多层电极结构。 电或无电加强焊接的或可粘接外部触点（AK）所提供的可变电阻层的第一主表面是（VS）。 覆盖所述金属化区域的玻璃层未设置有所述第一主表面上。 所述玻璃层具有作为主要成分，Si和/或Ge，B和K的氧化物，其中包含在总共至少约70包括玻璃层的成分的％，并且基本不含铝，镓，Cr，Ti中。 玻璃层保护在电镀变阻器与允许的薄片状压敏电阻损坏。 该芯片可以被用作用于具有集成的保护功能的电气部件的基板。