公开(公告)号：WO2019088637A1

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：PCT/KR2018/012980

申请日：2018-10-30

申请人： 주식회사 아모센스

发明人： 조현춘 ,  박익성 ,  이준태

IPC分类号： H01L23/15 ,  H01L23/498 ,  H01L21/027 ,  H01L23/31 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/321 ,  H01L23/15 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

摘要： 본 발명은 세라믹 그린시트에 형성시킨 비아홀(via hole)에 금속 페이스트(paste)를 충진하는 단계 및 상기 금속 페이스트를 충진하는 단계에 의해 충진된 금속 페이스트를 용융하는 단계를 포함하는 양면 세라믹 기판 제조방법으로서, 본 발명에 의하면, 비아홀 내부에 기포나 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：WO2018003332A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：PCT/JP2017/018389

申请日：2017-05-16

申请人： NGKエレクトロデバイス株式会社 ,  日本碍子株式会社

发明人： 久保　昇 ,  後藤　直樹

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/02 ,  H01L23/13 ,  H05K1/02

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/02 ,  H01L23/057 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L2223/6638 ,  H05K1/02

摘要： ５０ＧＨｚまでの高周波信号を好適に伝送することができ、かつ、高い信頼性を有する高周波用セラミックス基板を提供する。 平板状のセラミックス基板２と、このセラミックス基板２の裏面側の縁端近傍に接合される一対のグランド線（Ｇ）３と、一対のグランド線（Ｇ）３を接合するための第１のリードパッド電極５と、一対のグランド線（Ｇ）３の間に接合される少なくとも一対の信号線（Ｓ）４と、それぞれの信号線（Ｓ）の接合位置に被着される第２のリードパッド電極６と、第２のリードパッド電極６間に形成される溝状の座刳り部７ａとを有し、一対の信号線（Ｓ）４は１の差動信号線１８をなし、第１のリードパッド電極５の第１の側縁５ａと第２のリードパッド電極６の第２の側縁６ａとの間隔をＬ ＧＳ と、第２の側縁６ａ間の間隔をＬ ＳＳ がＬ ＳＳ ＜２Ｌ ＧＳ を満たすことを特徴とする高周波用セラミックス基板１Ａによる。

摘要翻译：

可以适当地传输高频信号高达50 GHz，并提供具有高可靠性的高频陶瓷基板。 一种平面陶瓷基片2，在边缘的背表面侧的一对接地线这是在（G）的附近加入3，用于接合一对接地线（G）的第一引线3的陶瓷基片2 焊盘电极5，第2引线焊盘沉积在至少一对的信号线是3和（S）4之间加入了对接地线（G）的键合位置，各信号线的（S） 电极6和第二引线焊盘电极6之间形成的槽状座埋头孔部7a，一对信号线（S）4所形成的第一差分信号线18，第一 第一侧边缘5a的第二侧边缘6a和引线焊盘电极5和L <子> GS 时，第二侧缘6a之间的间隔的第二引线焊盘电极6之间的距离 将L <子> SS 为L <子> SS <高频陶瓷基板，并且满足2L <子> GS 按照A.

公开(公告)号：WO2017154422A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：PCT/JP2017/003554

申请日：2017-02-01

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 宮澤　杉夫 ,  高垣　達朗 ,  井出　晃啓

IPC分类号： H05K1/11 ,  H01L23/13

CPC分类号： H05K3/4061 ,  H01L23/15 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/26 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0959 ,  H05K2203/0793

摘要： 接続基板は、貫通孔が設けられているセラミック基板、および貫通孔中に設けられた貫通導体１１であって、第一の主面１１ａと第二の主面１１ｂとを有する貫通導体を備える。貫通導体１１が、第一の主面１１ａに連通する第一の開気孔１６Ａ、１６Ｄおよび第二の主面１１ｂに連通する第二の開気孔１６Ｂが設けられた金属多孔体２０、第一の開気孔１６Ａ、１６Ｄ内に形成された第一のガラス相１７、１９、第二の開気孔１６Ｂ内に形成された第二のガラス相１７Ｂ、第一の開気孔内に設けられた第一の空隙３０、および第二の開気孔１６Ｂ内に設けられた第二の空隙３２を有する。第一の空隙３０が第一の主面に連通しない閉空隙である。第二の空隙３２が第二の主面１１ｂに連通する開空隙である。

摘要翻译： 连接基板是设置有通孔和设置在该通孔中的贯通导体11的陶瓷基板，并且第一主表面11a和第二主表面11b 还有一个穿透性导体。 贯通导体11包括金属多孔体20，该金属多孔体20设置有与第一主表面11a连通的第一开放孔16A和16D以及与第二主表面11b连通的第二开放孔16B， 形成在开孔16A，16D中的第一玻璃相17,19，形成在第二开孔16B中的第二玻璃相17B，形成在第一开孔中的第一玻璃相17B， 间隙30和设置在第二开放孔16B中的第二间隙32。 第一气隙30是不与第一主表面连通的闭合气隙。 并且第二间隙32是与第二主表面11b连通的开放空间。

公开(公告)号：WO2017144332A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：PCT/EP2017/053450

申请日：2017-02-16

申请人： HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

发明人： HERBST, Kai ,  MUSCHELKNAUTZ, Christian

IPC分类号： C04B35/111 ,  C04B37/02 ,  H01L23/15 ,  H01L23/373

CPC分类号： C04B37/021 ,  C04B35/111 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/32 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3735

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kupfer-Keramik-Verbund, umfassend: - ein Keramiksubstrat, das Aluminiumoxid enthält, - eine auf dem Keramiksubstrat vorliegende Beschichtung aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, wobei das Aluminiumoxid einen mittleren Korn-Formfaktor R a (Al 2 O 3 ), bestimmt als arithmetischer Mittelwert aus den Formfaktoren R der Körner des Aluminiumoxids, von mindestens 0,4 aufweist.

摘要翻译： 本发明涉及一种铜 - 陶瓷复合材料，其包含：含有氧化铝的陶瓷基材，存在于该陶瓷基材上的铜或铜合金涂层，该氧化铝是中等粒度的 形状因子R <子>一（铝<子> 2 0 <子> 3 ）被确定为算术平均形状的值因子R K＆ouml;氧化铝的RN，至少为0 4.

公开(公告)号：WO2017142090A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：PCT/JP2017/006004

申请日：2017-02-17

申请人： 新日鐵住金株式会社

发明人： 木村　圭一 ,  ▲徳▼橋　恵祐 ,  宇野　智裕 ,  佐藤　裕

IPC分类号： C23C24/04 ,  H01L23/15

CPC分类号： C23C24/04 ,  H01L23/15

摘要： 優れた耐熱疲労性や、熱伝導性、絶縁性を有する複合セラミックス層の機械的特性を高め、優れた耐久性及び放熱性、絶縁性を有したセラミックス積層体、セラミックス絶縁基板、及び、セラミック積層体の製造方法を提供する。　接合面と直交する断面において、第２相粒子３の平均径が、０．０２μｍ以上、０．３μｍ以下であり、かつ第２相粒子３を楕円と見立てたときの相当楕円の長径、短径の比の平均値が２以上、１０以下とする。更には６０％以上の数の第２相粒子３が、３０°以下の配向角を有し、平均配向角が５°以上３５°以下であることを特徴とする。

摘要翻译： 具有优异的耐热疲劳性，具有导热性和绝缘性的复合陶瓷层的机械性能的陶瓷层压体具有优异的耐久性，散热性和绝缘性， 陶瓷绝缘基板和陶瓷层叠体的制造方法。 在垂直于结平面，第二相颗粒3，或0.02微米的平均直径的横截面，并且是0.3微米或更小，并且等效椭圆的长轴视为第二相粒子3和椭圆形，短轴时 设定为2以上10以下。 另外，60％以上的第二相粒子3的取向角为30°以下，平均取向角为5°以上且35°以下。

公开(公告)号：WO2017115461A1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：PCT/JP2016/005212

申请日：2016-12-22

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： TANI, Makoto ,  AWAKURA, Yasutaka ,  KAKU, Takeshi ,  EBIGASE, Takashi

IPC分类号： H01L23/15 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/3735 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  B32B2457/14 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/15

摘要： Provided is a bonded substrate mainly for mounting a power semiconductor in which the reliability to a thermal cycle has been enhanced as compared with a conventional one. In a bonded substrate in which a copper plate is bonded to one or both main surface(s) of a nitride ceramic substrate, a bonding layer consisting of TiN intervenes between the nitride ceramic substrate and the copper plate and is adjacent at least to the copper plate, and an Ag distribution region in which Ag atoms are distributed is set to be present in the copper plate. Preferably, an Ag-rich phase is set to be present discretely at an interface between the bonding layer and the copper plate.

摘要翻译： 提供了一种键合衬底，主要用于安装功率半导体，与传统的半导体相比，热循环的可靠性得到提高。 在将铜板粘合到氮化物陶瓷基板的一个或两个主表面上的粘合基板中，由氮化钛构成的粘合层介于氮化物陶瓷基板和铜板之间，并且至少与铜 其中Ag原子分布的Ag分布区设置为存在于铜板中。 优选地，富含Ag的相被设定为分散地存在于结合层和铜板之间的界面处。

公开(公告)号：WO2017105520A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：PCT/US2015/066916

申请日：2015-12-18

申请人： INTEL CORPORATION

发明人： GUPTA, Mohit ,  RENAVIKAR, Mukul

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/5383 ,  H01L23/15 ,  H01L23/5384 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： A transmissive composite film is described that may be applied to the backside of a microelectronic device, for example an integrated circuit die or a bridge. A microelectronic die package in one example has a substrate, an integrated circuit die attached and electrically connected to the substrate, the die having a front side with electrical attachments and a backside, and a composite film attached to a backside of the die, the composite film having a polymer base with nano-fillers to protect the backside of the die.

摘要翻译： 描述了可以应用于微电子器件背面的透射复合膜，例如集成电路管芯或桥。 在一个示例中，微电子管芯封装具有衬底，附着并电连接到衬底的集成电路管芯，管芯具有带电附件和背面的正面以及附接到管芯背面的复合膜，复合材料 薄膜具有带纳米填料的聚合物基体以保护模具的背面。

公开(公告)号：WO2017056666A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/JP2016/072026

申请日：2016-07-27

申请人： 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

发明人： 加藤　寛正 ,  北森　昇

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H05K1/02

CPC分类号： C04B35/584 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/9607 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49861 ,  H05K1/02 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0011 ,  H05K3/0061

摘要： ３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化珪素基板の両面に金属板を接合した窒化珪素回路基板において、表面側の金属板の厚さをｔ１、裏面側の金属板の厚さをｔ２としたとき、厚さｔ１またはｔ２の少なくとも一方は０．６ｍｍ以上、０．１０≦｜ｔ１－ｔ２｜≦０．３０ｍｍを満たし、窒化珪素基板は長辺方向および短辺方向共に反り量が０．１～０．５ｍｍの範囲内であることを特徴とする窒化珪素回路基板である。上記構成によれば、表裏の金属板の厚さが大きい窒化珪素回路基板において、ＴＣＴ特性を向上させることができる。

摘要翻译： 该氮化硅电路板，其特征在于，金属板与具有等于或高于500MPa的三点弯曲强度的氮化硅衬底的两个表面结合，其特征在于：厚度t1和/或t2等于 或大于0.6mm，并且公式0.10≤| t1-t2 |≤0.30mm，其中t1表示前表面侧的金属板的厚度，t2表示金属板的背面侧的厚度 ; 并且氮化硅衬底的长边方向和短边方向上的翘曲量都在0.1-0.5mm的范围内。 利用上述结构，能够提高前后金属板的厚度大的氮化硅电路基板的TCT特性。

公开(公告)号：WO2017034969A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：PCT/US2016/047746

申请日：2016-08-19

申请人： CORNING INCORPORATED

发明人： GARNER, Sean Matthew ,  OWUSU, Samuel Odei ,  PIECH, Garrett Andrew ,  POLLARD, Scott Christopher

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H01L23/15 ,  C03C17/00 ,  B23K26/00 ,  C03B33/02 ,  C03C15/00 ,  B23K26/53 ,  H05K3/10 ,  H05K3/46

CPC分类号： H01L23/15 ,  C03B33/0222 ,  C03C17/008 ,  C03C23/007 ,  C03C2217/445 ,  H01L21/4807 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/036 ,  H05K3/107 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2203/1194 ,  H05K2203/1545 ,  Y02P40/57

摘要： Methods of continuous fabrication of features in flexible substrates are disclosed. In one embodiment, a method of fabricating features in a substrate web includes providing the substrate web arranged in a first spool on a first spool assembly, advancing the substrate web from the first spool and through a laser processing assembly comprising a laser, and creating a plurality of defects within the substrate web using the laser. The method further includes advancing the substrate web through an etching assembly and etching the substrate web at the etching assembly to remove glass material at the plurality of defects, thereby forming a plurality of features in the substrate web. The method further includes rolling the substrate web into a final spool.

摘要翻译： 公开了在柔性基板中连续制造特征的方法。 在一个实施例中，一种在衬底腹板中制造特征的方法包括提供布置在第一线轴上的基底腹板在第一线轴组件上，使基底腹板从第一线轴推进，并通过包括激光的激光加工组件， 使用激光器在衬底腹板内的多个缺陷。 该方法还包括使衬底腹板通过蚀刻组件前进，并在蚀刻组件处蚀刻衬底腹板以移除多个缺陷处的玻璃材料，从而在衬底腹板中形成多个特征。 该方法还包括将基底卷材滚动到最终卷轴中。

公开(公告)号：WO2017006661A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/JP2016/066280

申请日：2016-06-01

申请人： 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社

发明人： 那波　隆之 ,  加藤　寛正 ,  北森　昇

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H05K3/38

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/32 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H05K3/38

摘要： セラミックス基板と、このセラミックス基板の両面にそれぞれ接合層を介して接合された金属板とを備えるセラミックス金属回路基板において、上記セラミックス基板の一方の面に設けられた金属板の表面に金属被膜が設けられる一方、他方の面に設けられた金属板の表面には金属被膜が設けられていない箇所があることを特徴とするセラミックス金属回路基板である。また、接合層が金属板の側面からはみ出たはみ出し部が形成されていることが好ましい。上記構成によれば、接合する部品に合わせた使い勝手が良く、耐熱サイクル特性が優れたセラミックス回路基板を提供できる。

摘要翻译： 公开了一种陶瓷金属电路板，其具有陶瓷基板和分别通过在陶瓷基板的两表面之间具有接合层而分别结合的金属板。 陶瓷金属电路板的特征在于，在设置在陶瓷基板的一个表面上的金属板的表面上设置金属膜，在设置在另一面的金属板的表面上， 不提供金属膜。 此外，优选地，形成接合层的突出部分，所述突出部分别从金属板的侧表面突出。 通过上述结构，提供了具有适合于待接合部件的优异的可用性和优异的耐热循环特性的陶瓷电路板。