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    LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL MIT EINEM SOLCHEN LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT SOWIE VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    1.
    发明申请
    LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL MIT EINEM SOLCHEN LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT SOWIE VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
    发光与光电子半导体组件与其生产这种发光和方法

    公开(公告)号：WO2015078717A1

    公开(公告)日：2015-06-04

    申请号：PCT/EP2014/074782

    申请日：2014-11-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OSRAM GMBH

    Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  CUI, Hailing ,  WINDISCH, Reiner ,  FRISCHEISEN, Jörg ,  LANGE, Stefan

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/00 ,  F21V9/30 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/504 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0091

    Abstract: Es wird ein Lumineszenzkonversionselement (6) für die Wellenlängenkonversion von elektromagnetischer Primärstrahlung (41) zu elektromagnetischer Sekundärstrahlung (52) sowie ein optoelektronisches Bauelement angegeben wobei Leuchtstoffpartikel von drei Arten (1, 2, 3), welche bei Anregung durch die elektromagnetische Primärstrahlung (41) eine elektromagnetische Strahlung (11) emittieren, deren Peak-Wellenlängen (lp, 2p, 3p) im grünen, im orange-roten beziehungsweise im roten Bereichdes elektromagnetischen Spektrums liegen, wobei die Leuchstoffpartikel mit einer Primärstrahlung (41) die im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums liegt, angeregt werden können. Die korrelierte Farbtemperatur einer Mischstrahlung (51), welche aus Teilen der Primärstrahlung (41) und der Sekundärstrahlung (52) besteht, entspricht der Farbtemperatur von weißem Licht.

    Abstract translation: 它是电磁初级辐射（41）的波长转换发光转换元件（6），以电磁次级辐射（52）和设置有三种类型的磷光体颗粒的光电元件（1，2，3），其中，当由所述电磁初级辐射激发（41） 的电磁辐射（11）发射，其峰值波长（LP，2P，3P）是在绿色，橙色，红色或在光谱的红色区域的电磁，具有初级辐射的磷光体颗粒（41），其在电磁光谱的蓝色区域 被定位，可兴奋。 它由初级辐射（41）和次级辐射（52）的部分的混合辐射（51）的相关色温对应于白色光的色温。

    VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER HALBLEITERLICHTQUELLE UND HALBLEITERLICHTQUELLE
    2.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER HALBLEITERLICHTQUELLE UND HALBLEITERLICHTQUELLE 审中-公开
    操作半导体光源和半导体光源的方法

    公开(公告)号：WO2017140534A1

    公开(公告)日：2017-08-24

    申请号：PCT/EP2017/052649

    申请日：2017-02-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  ILLEK, Stefan

    IPC: H05B33/08 ,  H01L27/32

    CPC classification number: H05B33/08 ,  H01L25/075

    Abstract: Es ist das Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterlichtquelle (1) eingerichtet. Die Halbleiterlichtquelle (1) weist eine erste Lichtquelle (21) zur Erzeugung von blauem Licht, eine zweite Lichtquelle (22) zur Erzeugung vom bläulich-weißem Licht, eine dritte Lichtquelle (23) zur Erzeugung von grünlich-weißem Licht und eine vierte Lichtquelle (24) zur Erzeugung von rotem Licht sowie optional eine Ansteuereinheit (3) auf. Die Lichtquellen (21, 22, 23, 24) sind unabhängig voneinander ansteuerbar und die Halbleiterlichtquelle (1) wird so betrieben, sodass insgesamt weißes Mischlicht mit einer abstimmbaren korrelierten Farbtemperatur erzeugt wird und jede der Lichtquellen (21, 22, 23, 24) im eingeschalteten Zustand der Halbleiterlichtquelle mit mindestens 5 %, besonders bevorzugt mitmindestens 10 %, eines bestimmungsgemäßen zugehörigen Maximalstroms betrieben wird.

    Abstract translation: 操作半导体光源（1）的方法被建立。 半导体光源（1）包括用于产生蓝光的第一光源（21），用于产生蓝白光的第二光源（22），用于产生绿白光的第三光源（23） em灯和用于产生红光的第四光源（24）以及可选的驱动单元（3）。 光源（21,22,23,24）是可独立控制的，并且半导体光源（1）被操作以便产生具有可调相关色温的全部白色混合光，并且每个光源（21,22,23 ，24）在半导体光源的接通状态下以与其相关的特定最大电流的至少5％，特别优选至少10％运行。

    STRAHLUNG EMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT INTEGRIERTEM ESD-SCHUTZ
    3.
    发明申请
    STRAHLUNG EMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT INTEGRIERTEM ESD-SCHUTZ 审中-公开
    集成ESD保护发射辐射的半导体芯片

    公开(公告)号：WO2012146668A1

    公开(公告)日：2012-11-01

    申请号：PCT/EP2012/057676

    申请日：2012-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LÖFFLER, Andreas ,  LEIRER, Christian ,  BUTENDEICH, Rainer ,  MEYER, Tobias ,  PETER, Matthias

    Inventor： LÖFFLER, Andreas ,  LEIRER, Christian ,  BUTENDEICH, Rainer ,  MEYER, Tobias ,  PETER, Matthias

    IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14

    CPC classification number: H01L33/26 ,  H01L33/025 ,  H01L33/14 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

    Abstract: Es wird ein Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) mit einer auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierenden Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem pn-Übergang angegeben umfassend - eine erste Schutzschicht (3), die gezielt eingebrachte Kristalldefekte (4) aufweist, wobei die erste Schutzschicht (3) zum Schutz des Halbleiterchips (1) vor elektrostatischen Entladungspulsen vorgesehen ist, - eine aktive Zone (7) zur Strahlungserzeugung, die der ersten Schutzschicht (3, 5) in Wachstumsrichtung (W) nachgeordnet ist, wobei sich im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Durchbruchverhalten der Halbleiterschichtenfolge (2) in Sperrrichtung in Bereichen mit Kristalldefekten (4) von Bereichen ohne Kristalldefekte unterscheidet, und wobei bei elektrostatischen Entladungspulsen elektrische Ladung homogen verteilt über die Bereiche mit Kristalldefekten (4) abgeleitet wird.

    Abstract translation: 它是一种发射辐射的半导体芯片（1）具有具有pn结指示包括基于氮化物的化合物半导体材料的半导体层序列（2） - 具有第一保护层（3）中，故意引入的晶体缺陷（4），其中，所述第一保护层（ 3）（以保护半导体芯片1）被提供防止静电放电脉冲， - 用于产生辐射的有源区（7），其下游设置在所述第一保护层（3,5）在生长方向（W），其中（在半导体芯片1的操作过程中 ），而不晶体缺陷区分在相反的方向在半导体层序列（2）的在区域中的击穿行为（与区域晶体缺陷4），并且其中在静电放电脉冲电荷均匀地分布在与晶体缺陷的区域（4）被导出。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    6.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019115539A1

    公开(公告)日：2019-06-20

    申请号：PCT/EP2018/084383

    申请日：2018-12-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： O'BRIEN, David ,  GÖÖTZ, Britta ,  BUTENDEICH, Rainer

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/46 ,  F21K9/64

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfassend einen Halbleiterchip mit einem aktiven Bereich, der in einem eingeschalteten Zustand elektromagnetische Strahlung mit einem ersten Spektrum emittiert und ein Wellenlängenkonversionselement, das dem Halbleiterchip im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung mit dem ersten Spektrum nachgeordnet ist und zumindest teilweise elektromagnetische Strahlung mit dem ersten Spektrum in elektromagnetische Strahlung mit einem zweiten Spektrum konvertiert. Weiter umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement eine Farbanpassungsschicht, die dem Wellenlängenkonversionselement im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung mit dem ersten Spektrum nachgeordnet ist und die zumindest einen Teil einer von außen auf das Wellenlängenkonversionselement einfallenden elektromagnetischen Strahlung reflektiert. Wobei von außen auf das Wellenlängenkonversionselement einfallende und von dem Wellenlängenkonversionselement reflektierte elektromagnetische Strahlung einen ersten Farbort aufweist, und wobei eine Mischstrahlung, enthaltend die von außen auf das Wellenlängenkonversionselement einfallende und von dem Wellenlängenkonversionselement reflektierte elektromagnetische Strahlung und die von außen auf die Farbanpassungsschicht einfallende und von der Farbanpassungsschicht reflektierte elektromagnetische Strahlung, einen zweiten Farbort aufweist, wobei der zweite Farbort näher an einem Weißpunkt liegt als der erste Farbort.

    LICHTQUELLE MIT LICHTEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND FARBDETEKTOR
    8.
    发明申请
    LICHTQUELLE MIT LICHTEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND FARBDETEKTOR 审中-公开
    具有发光半导体芯片和彩色探测器的光源

    公开(公告)号：WO2017144595A1

    公开(公告)日：2017-08-31

    申请号：PCT/EP2017/054191

    申请日：2017-02-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MATHY, David ,  LINKOV, Alexander ,  ILLEK, Stefan ,  BUTENDEICH, Rainer

    IPC: H01L25/16 ,  H01L31/12 ,  H01L31/167 ,  H05B33/08

    CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L31/167 ,  H01L33/58 ,  H02S40/44 ,  H05B33/0857

    Abstract: Es umfasst die Lichtquelle (1) einen ersten Halbleiterchip (21) zur Erzeugung von erstem Licht und einen zweiten Halbleiterchip (22) zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist als das erste Licht. In einem Lichtmischkörper (3) werden das erste und das zweite Licht durchmischt, sodass ein Mischlicht entsteht. Ein Detektor (4) befindet sich an dem Lichtmischkörper (3) und ist zur Bestimmung eines Farborts des Mischlichts eingerichtet. Die Lichtquelle (1) umfasst ferner einen Lichtabstrahlkörper (5) zur Abstrahlung des ersten und des zweiten Lichts. Der Lichtmischkörper (3) ist aus einem ersten Material mit einem ersten Brechungsindex und der Lichtabstrahlkörper (5) aus einem zweiten Material mit einem zweiten, niedrigeren Brechungsindex erzeugt. Die Halbleiterchips (21, 22) sind entlang einer Linie (6) angeordnet und weisen unterschiedliche Abstände zu dem Detektor (4) auf. Der Lichtmischkörper (3) bedeckt die Halbleiterchips (21, 22) zumindest teilweise, sodass der Detektor (4) von jedem der Halbleiterchips (21, 22) durch den Lichtmischkörper (3) Licht empfängt.

    Abstract translation:

    时的光源（1）包括用于产生第一光，并用于产生具有不同颜色比所述第一光的第二光的第二半导体芯片（22）的第一半导体芯片（21）。 在光混合体（3）中，第一光和第二光被混合，从而形成混合光。 检测器（4）位于光混合体（3）上并被设置以确定混合光的颜色轨迹。 光源（1）还包括用于发射第一和第二光的发光体（5）。 光混合体（3）由具有第一折射率的第一材料和具有第二较低折射率的第二材料的发光体（5）构成。 半导体芯片（21,22）沿着线（6）布置并且与检测器（4）具有不同的距离。 光混合体（3）至少部分覆盖半导体芯片（21,22），使得每个半导体芯片（21,22）的检测器（4）通过光混合体（3）接收光，

    STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
    9.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    辐射半导体部件

    公开(公告)号：WO2005004244A2

    公开(公告)日：2005-01-13

    申请号：PCT/DE2004/001344

    申请日：2004-06-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BUTENDEICH, Rainer ,  LINDER, Norbert ,  MAYER, Bernd ,  PIETZONKA, Ines

    Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  LINDER, Norbert ,  MAYER, Bernd ,  PIETZONKA, Ines

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/02 ,  H01S5/3086

    Abstract: Bei einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur, die eine n-dotierte Confinementschicht (14), eine p-dotierte Confinementschicht (22), und eine zwischen der n-dotierten Confinementschicht (14) und der p-dotierten Confinementschicht (22) angeordnete aktive, Photonen emittierende Schicht (18) enthält, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß die n-dotierte Confinementschicht (14) mit einem ersten n-Dotierstoff (oder zwei voneinander verschiedenen n-Dotierstoffen) zur Erzeugung einer hohen aktiven Dotierung und eines scharfen Dotierprofils dotiert ist, und die aktive Schicht (18) mit nur einem von dem ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten n-Dotierstoff zur Verbesserung der Schichtqualität der aktiven Schicht (18) dotiert ist.

    Abstract translation: 在具有层结构，其设置在n掺杂限制层（14）发射辐射的半导体器件，p型掺杂的限制层（22），和n型掺杂的限制层（14）和p掺杂限制层（22）的活性之间， 光子发光层（18），本发明提供了具有第一n型掺杂剂（或两种不同的n型掺杂剂）的n型掺杂的限制层（14）被掺杂，以产生高活性掺杂和尖锐的掺杂分布，和 有源层（18）仅掺杂有从第一掺杂第二n型掺杂剂以改善活性层（18）的膜质量不同的角度。

    STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUTEILS
    10.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023041266A1

    公开(公告)日：2023-03-23

    申请号：PCT/EP2022/072588

    申请日：2022-08-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WIESMANN, Christopher ,  WANKERL, Heribert ,  KREINER, Laura ,  BUTENDEICH, Rainer ,  SOBCZYK, Sandra

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/46 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0041 ,  H01L33/504

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (1) angegeben mit - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Peakwellenlänge (P1) auszusenden, - einem Konversionselement (3), das dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung mit einer zweiten Peakwellenlänge (P2) auszusenden, und - einem dielektrischen Schichtenstapel (4), der auf dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2) und dem Konversionselement (3) angeordnet ist, wobei - ein Transmissionsgrad des dielektrischen Schichtenstapels (4) für Strahlung mit der ersten Peakwellenlänge (P1) und für Strahlung mit der zweiten Peakwellenlänge (P2) in einem ersten Winkelbereich größer als ein Schwellenwert (TS) ist, - der Transmissionsgrad des dielektrischen Schichtenstapels (4) für Strahlung mit der ersten Peakwellenlänge (P1) und für Strahlung mit der zweiten Peakwellenlänge (P2) in einem zweiten Winkelbereich kleiner als der Schwellenwert (TS) ist. Des Weiteren werden ein Verfahren zur Auswahl eines dielektrischen Schichtenstapels und ein Verfahren zur Auswahl eines Konversionsmaterials eines Konversionselements für ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil angegeben.

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