Abstract:
Eine Anordnung (2) für Brennstoffeinspritzanlagen zur Verbindung eines Brennstoffeinspritzventils mit einer Brennstoff führenden Komponente (3) umfasst einen Halteteil (7), der zur mechanischen Befestigung dient und einen Anschlussteil (8), an den das Brennstoffeinspritzventil hydraulisch anschließbar ist. Hierbei ist ein Verbindungsteil (9) vorgesehen, über den der mit der Brennstoff führenden Komponente (3) verbindbare Anschlussteil (8) mit dem Halteteil (7) verbindbar ist.
Abstract:
An electrochemical cell includes a solid state material that functions as an electrolyte and a separator within the electrode assembly. The solid state material is a mixture of a polymer that is interspersed with an ionically conductive ceramic material.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Alterungsdetektor für eine elektrische Schaltungskomponente und ein Verfahren zur Überwachung einer Alterung einer Schaltungskomponente. Ein Alterungsdetektor (30) für eine elektrische Schaltungskomponente (100) zum Überwachen einer Alterung der Schaltungskomponente (100) umfasst mindestens einen Eingang zum Erfassen eines Parameters der Schaltungskomponente (100). Der Alterungsdetektor (30) ist vorgerichtet zum Bestimmen einer zugehörigen Reaktionsschwelle und/oder einer Reaktion oder zum Anpassen der Reaktionsschwelle und/oder der Reaktion, wobei der Alterungsdetektor (30) weiterhin vorgerichtet ist, zumindest in Antwort auf Überschreiten der bestimmten Reaktionsschwelle durch den Parameter die Reaktion auszulösen. Der Alterungsdetektor (30) ist zudem vorgerichtet, den erfassten Parameter zum Bestimmen der Reaktionsschwelle und/oder zum Anpassen der Reaktionsschwelle und/oder der Reaktion zu verwenden.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Leistungstransistor, einen Treiber und eine Endstufe. Der Leistungstransistor umfasst einen aktiven Bereich und eine über dem aktiven Bereich angeordneten Metallisierungsebene zur Leistungsverteilung und zur Detektion eines bevorstehenden, durch wiederholtes Leistungspulsen verursachten Stress (RPP-Stress) bedingten Metallisierungsfehlers. Weiterhin umfasst der Leistungstransistor eine über der Metallisierungsebene angeordnete, weitere Metallisierungsebene (500), in der sich galvanisch getrennte Metallelemente (510, 520) in eine Erstreckungsrichtung parallel zueinander erstrecken, von denen ein Paar zur Leistungsversorgung des Leistungstransistors dient. Der Leistungstransistor ist dadurch gekennzeichnet, dass in der weiteren Metallisierungsebene (500) mindestens eine Aussparung über dem aktiven Bereich ausgebildet ist. Die Aussparung bewirkt eine verringerte Wärmeabfuhr. Dadurch erwärmt sich der Leistungstransistor im eingegrenzten Bereich stärker, sodass im durch die Kanten der Metallelemente bestimmten Übergangsbereich große Temperaturgradienten auftreten.
Abstract:
Detektor (100) zur Bestimmung eines fehlerhaften Halbleiterbauelements (101) mit einem Halbleiterbauelement (101), einer Kontaktviakette (102), die lateral beabstandet zum Halbleiterbauelement (101) angeordnet ist und das Halbleiterbauelement (101) bereichsweise umschließt, einem Guardring (103), der lateral beabstandet zum Halbleiterbauelement (101) angeordnet ist und einer Auswerteeinheit (104), die auf dem Halbleiterbauelement (101) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteeinheit (104) eingerichtet ist, eine elektrische Spannung an die Kontaktviakette (102) anzulegen, insbesondere eine dauerhafte elektrische Spannung, einen Widerstandswert der Kontaktviakette (102) zu erfassen und ein Ausgangssignal zu erzeugen, wenn der Widerstandswert der Kontaktviakette (102) einen Schwellenwert überschreitet.