Abstract:
A hermetically sealed enclosure is shown, comprising at least a first substrate and a second substrate, a function zone that is circumferentially enclosed in the enclosure, wherein the second substrate is transparent at least in part and/or at least for a bandwidth of wavelengths, at least one laser weld line to hermetically weld the substrates of the enclosure with each other and/or to hermetically seal the function zone, and at least one reduction zone for reducing an amount of molecules in the function zone.
Abstract:
Die Erfindung betrifft Solarmodule (1) umfassend eine Frontscheibe (2), eine Zwischenschicht (4), in welche Solarzellen (6) eingebettet sind, und mindestens eine Rückseitenfolie (3). Diese Solarmodule weisen, aufgrund der besonderen Beschaffenheit mindestens einer Rückseitenfolie, eine längere Lebensdauer auf. Des Weiteren haben die Solarmodule den Vorteil, dass sie kosteneffizient und einfach herstellbar sind.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine hermetisch verschlossene Umhäusung (1) umfassend zumindest ein Abdecksubstrat (5) und ein zu dem Abdecksubstrat (5) benachbart angeordnetes Substrat, welche zusammen zumindest einen Teil der Umhäusung (1) bilden, zumindest einen von der Umhäusung (1) umschlossenen Funktionsbereich (12, 13, 13a), wobei zumindest das Abdecksubstrat (5) bevorzugt ein glasartiges Material umfasst, wobei das Abdecksubstrat (5) thermisch vorgespannt ist, und wobei das Abdecksubstrat (5) mit dem zu dem Abdecksubstrat (5) benachbart angeordneten Substrat mit zumindest einer Laserbondlinie (8) hermetisch dicht gefügt ist, wobei das Abdecksubstrat (5) aus einem Material besteht, welches einen anderen Kennwert des thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE) aufweist als das benachbart angeordnete Substrat und eine thermische Vorspannung in der Umhäusung (1) aufgebaut ist, und wobei die thermische Vorspannung bevorzugt eine Druckspannung auf das Abdecksubstrat (5) ausübt.
Abstract:
Diese Anmeldung betrifft ein Verfahren und Vorrichtungen zur Erzeugung einer Vielzahl von Löchern (12) in dünnen Werkstücken (1) aus Glas oder glasähnlichen Materialien sowie aus Halbleitern. Vielfach - Laserstrahlen (41) werden auf vorbestimmte Lochungsstellen (10) des Werkstückes (1) in einem Wellenlängenbereich zwischen 1600 und 200 nm und mit einer Strahlungsintensität gerichtet, die zu lokaler, athermischer Zerstörung des Werkstückmaterials (1) entlang jeweils eines filamentartigen Kanals (11) führt. Danach werden die filamentartigen Kanäle (11) auf gewünschten Durchmesser der Löcher (12) aufgeweitet.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kühlen zumindest eines Sputtertargets (1), bei welchem ein Sputtertarget (1) an einem Targetträger (3) gehalten wird, und mittels eines Kühlkörpers (2) dem Targetträger (3) sowie dem Target Wärme entzogen wird und insbesondere mittels einer Wärmepumpe (4) der Targetträger (3) und insbesondere auch das Sputtertarget (1) auf eine Temperatur gekühlt wird, welche niedriger als die Temperatur des Kühlkörpers (2) ist und betrifft eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Abstract:
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Glasband in Form einer Glasrolle bereitzustellen, welches hinsichtlich der vorstehend Anforderungen einer langen Lebensdauer bei gleichzeitig kompakten Abmessungen optimiert ist. Zur Ermittlung eines Biegeradius an der Innenseite der Dünnglasrolle (1), welcher die oben genannten Anforderungen erfüllt, werden Bruchtests an Proben des Glasmaterials durchgeführt, statistische Parameter anhand der Bruchtests ermittelt und die statistischen Parameter in einen Bereich von Biegeradien umgerechnet, welche den Anforderungen an Lebensdauer und möglichst kompakten Abmessungen der Dünnglasrolle (1) genügen.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Weiterverarbeitung eines Dünnglases (1), bei welchem das Dünnglas (2) durch die Weiterverarbeitung unter eine Zugspannung σ app gesetzt wird, welche kleiner ist als (Formel I), wobei (Formel III) und (Formel II) Mittelwerte der Zugspannung beim Bruch von Proben (10) des Dünnglases (1) unter Biegebeanspruchung sind, wobei L ref die Kantenlänge und A ref die Fläche der Proben (10) bezeichnen, wobei (Formel III) der Mittelwert der Zugspannung beim Bruch in der Fläche der Probe (10) und (Formel II) der Mittelwert der Zugspannung bei einem von der Kante der Probe (10) ausgehenden Bruch sind, und wobei Δ e und Δ a die Standardabweichungen der Mittelwerte (Formel II), beziehungsweise (Formel III) bezeichnen, und wobei A app die Fläche des Dünnglases (1) und L app die addierte Kantenlänge gegenüberliegender Kanten (22, 23) des Dünnglases (1) und Φ eine vorgegebene maximale Bruchquote innerhalb eines Zeitraums von mindestens einem halben Jahr sind.
Abstract:
Vorrichtung zur Erzeugung von Löchern (12) in dielektrischen Werkstücken (1) in Form von dünnen Platten und Substraten, insbesondere aus Glas oder glasähnlichen Materialien sowie aus Halbleitern. Symmetrisch um das zu erzeugende Loch (12) im Werkstück (1) sind an einem Elektrodenhalter (21) einzelne Hochspannungselektroden (6a, 6b, 6c) und an einem Gegenelektrodenhalter (31) einzelne Gegenelektroden (7a, 7b, 7c) angeordnet. Die einzelnen Hochspannungselektroden (6a, 6b, 6c) und die einzelnen Gegenelektroden (7a, 7b, 7c) sind permutierend zur Abgabe von Hochspannungsüberschlägen mit einer Hochspannungsquelle verbindbar.
Abstract:
Verfahren zur spannungsarmen Herstellung von gelochten Werkstücken aus Glas, Glaskeramik oder Halbleitern. Das Werkstück wird bis auf Transformationstemperatur erwärmt und dann perforiert, basierend auf einem elektrischen Hochspannungsfeld geeigneter Frequenz oder Impulsform. Danach wird das gelochte Werkstück vom Transformationstemperaturbereich auf Raumtemperatur mit einer Rate abkühlen lassen, bei der die durch den Perforationsprozess erzeugten mechanischen Spannungen relaxieren.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten, insbesondere zum Vortrennen, eines flächigen Substrats, insbesondere eines Glassubstrats, wobei das Substrat auf einen Substratträger aufgelegt wird und im Bereich einer Einwirkungszone einer in Richtung des Substratträgers wirkenden Kraft ausgesetzt wird, jedoch im Bereich einer Ausgleichszone der in Richtung des Substratträgers wirkenden Kraft nicht ausgesetzt wird, und wobei vorzugsweise ein Vortrennen des Substrats erfolgt während das Substrat im Bereich der Einwirkungszone der in Richtung des Substratträgers wirkenden Kraft ausgesetzt ist, sowie einen Substratträger zum Auflegen eines flächigen Substrats, eine Bearbeitungsanlage zum Bearbeiten des auf dem Substratträger aufgelegten Substrats und ein verfahrensgemäß herstellbares Substrat.