HERMETISCH VERSCHLOSSENE TRANSPARENTE KAVITÄT UND DEREN UMHÄUSUNG

    公开(公告)号:WO2021013982A1

    公开(公告)日:2021-01-28

    申请号:PCT/EP2020/070934

    申请日:2020-07-24

    Applicant: SCHOTT AG

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine hermetisch verschlossene Umhäusung (1) umfassend zumindest ein Abdecksubstrat (5) und ein zu dem Abdecksubstrat (5) benachbart angeordnetes Substrat, welche zusammen zumindest einen Teil der Umhäusung (1) bilden, zumindest einen von der Umhäusung (1) umschlossenen Funktionsbereich (12, 13, 13a), wobei zumindest das Abdecksubstrat (5) bevorzugt ein glasartiges Material umfasst, wobei das Abdecksubstrat (5) thermisch vorgespannt ist, und wobei das Abdecksubstrat (5) mit dem zu dem Abdecksubstrat (5) benachbart angeordneten Substrat mit zumindest einer Laserbondlinie (8) hermetisch dicht gefügt ist, wobei das Abdecksubstrat (5) aus einem Material besteht, welches einen anderen Kennwert des thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE) aufweist als das benachbart angeordnete Substrat und eine thermische Vorspannung in der Umhäusung (1) aufgebaut ist, und wobei die thermische Vorspannung bevorzugt eine Druckspannung auf das Abdecksubstrat (5) ausübt.

    VERFAHREN ZUR WEITERVERARBEITUNG VON DÜNNGLAS UND VERFAHRENSGEMÄß HERGESTELLTES DÜNNGLAS
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR WEITERVERARBEITUNG VON DÜNNGLAS UND VERFAHRENSGEMÄß HERGESTELLTES DÜNNGLAS 审中-公开
    对于薄玻璃加工和方法方法,其由薄玻璃

    公开(公告)号:WO2015044430A1

    公开(公告)日:2015-04-02

    申请号:PCT/EP2014/070826

    申请日:2014-09-29

    Applicant: SCHOTT AG

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Weiterverarbeitung eines Dünnglases (1), bei welchem das Dünnglas (2) durch die Weiterverarbeitung unter eine Zugspannung σ app gesetzt wird, welche kleiner ist als (Formel I), wobei (Formel III) und (Formel II) Mittelwerte der Zugspannung beim Bruch von Proben (10) des Dünnglases (1) unter Biegebeanspruchung sind, wobei L ref die Kantenlänge und A ref die Fläche der Proben (10) bezeichnen, wobei (Formel III) der Mittelwert der Zugspannung beim Bruch in der Fläche der Probe (10) und (Formel II) der Mittelwert der Zugspannung bei einem von der Kante der Probe (10) ausgehenden Bruch sind, und wobei Δ e und Δ a die Standardabweichungen der Mittelwerte (Formel II), beziehungsweise (Formel III) bezeichnen, und wobei A app die Fläche des Dünnglases (1) und L app die addierte Kantenlänge gegenüberliegender Kanten (22, 23) des Dünnglases (1) und Φ eine vorgegebene maximale Bruchquote innerhalb eines Zeitraums von mindestens einem halben Jahr sind.

    Abstract translation: 是应用程序集,这是小于(式I),其中,(式III)和(式II中,本发明涉及一种方法,用于处理薄玻璃(1),其中,所述玻璃板(2)通过在拉伸应力西格玛进一步处理 )在薄玻璃(1)下的弯曲应力的样品(10)的拉伸断裂应力的平均值,所述Lref时的边长和阿雷夫指定样品(10)的)的拉伸应力的平均值的区域中,(式III断裂在的表面 样品(10)和(式II),拉伸应力的平均值是在试验片(10)破裂的边缘中的一个,并且其中传出≠s和?a是平均值的标准偏差(式II),以及(式III) 呼叫,并且其中AAPP薄玻璃表面(1)和拉普薄玻璃(1)和Φ预定的最大断裂率的相对边缘的边缘添加长度(22,23)在一段至少一半的 是一年。

    LOCHERZEUGUNG MIT MEHRFACH-ELEKTRODEN
    8.
    发明申请
    LOCHERZEUGUNG MIT MEHRFACH-ELEKTRODEN 审中-公开
    带有多个电极HOLE生产

    公开(公告)号:WO2012000684A1

    公开(公告)日:2012-01-05

    申请号:PCT/EP2011/003299

    申请日:2011-07-04

    CPC classification number: B44C1/227 B26F1/28 B81C1/00087 C03C23/00

    Abstract: Vorrichtung zur Erzeugung von Löchern (12) in dielektrischen Werkstücken (1) in Form von dünnen Platten und Substraten, insbesondere aus Glas oder glasähnlichen Materialien sowie aus Halbleitern. Symmetrisch um das zu erzeugende Loch (12) im Werkstück (1) sind an einem Elektrodenhalter (21) einzelne Hochspannungselektroden (6a, 6b, 6c) und an einem Gegenelektrodenhalter (31) einzelne Gegenelektroden (7a, 7b, 7c) angeordnet. Die einzelnen Hochspannungselektroden (6a, 6b, 6c) und die einzelnen Gegenelektroden (7a, 7b, 7c) sind permutierend zur Abgabe von Hochspannungsüberschlägen mit einer Hochspannungsquelle verbindbar.

    Abstract translation: 装置用于在薄板形式的电介质的工件(1)产生的孔(12),和基材,尤其是玻璃或玻璃类材料以及半导体的。 对称地围绕产品是在工件孔(12)(1)被附接到一个电极保持器(21)单高电压电极(6A,6B,6C)和相对电极保持器(31),从个人相对电极(7A,7B,7C)被布置。 单个高电压电极(6A,6B,6C)和各种反电极(7A,7B,7C)都是permutierend连接以与高电压源提供高电压击穿。

    VERFAHREN ZUR SPANNUNGSARMEN HERSTELLUNG VON GELOCHTEN WERKSTÜCKEN
    9.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR SPANNUNGSARMEN HERSTELLUNG VON GELOCHTEN WERKSTÜCKEN 审中-公开
    方法电压武器制造穿孔WORKPIECES

    公开(公告)号:WO2012000683A1

    公开(公告)日:2012-01-05

    申请号:PCT/EP2011/003298

    申请日:2011-07-04

    CPC classification number: C03B21/06 B26F1/28 C03B21/04 C03B25/025

    Abstract: Verfahren zur spannungsarmen Herstellung von gelochten Werkstücken aus Glas, Glaskeramik oder Halbleitern. Das Werkstück wird bis auf Transformationstemperatur erwärmt und dann perforiert, basierend auf einem elektrischen Hochspannungsfeld geeigneter Frequenz oder Impulsform. Danach wird das gelochte Werkstück vom Transformationstemperaturbereich auf Raumtemperatur mit einer Rate abkühlen lassen, bei der die durch den Perforationsprozess erzeugten mechanischen Spannungen relaxieren.

    Abstract translation: 一种用于生产由玻璃,玻璃陶瓷或半导体的冲压部件的低应力的过程。 工件被加热到相变温度,然后穿孔,基于合适的频率或脉冲波形的高电压电场。 此后,将有孔的工件被允许从转化的温度范围内冷却至室温的速率在其放松由穿孔过程中产生的机械应力。

    VERFAHREN ZUM BEARBEITEN, INSBESONDERE ZUM VORTRENNEN, EINES FLAECHIGEN SUBSTRATS

    公开(公告)号:WO2022135779A1

    公开(公告)日:2022-06-30

    申请号:PCT/EP2021/080593

    申请日:2021-11-04

    Applicant: SCHOTT AG

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten, insbesondere zum Vortrennen, eines flächigen Substrats, insbesondere eines Glassubstrats, wobei das Substrat auf einen Substratträger aufgelegt wird und im Bereich einer Einwirkungszone einer in Richtung des Substratträgers wirkenden Kraft ausgesetzt wird, jedoch im Bereich einer Ausgleichszone der in Richtung des Substratträgers wirkenden Kraft nicht ausgesetzt wird, und wobei vorzugsweise ein Vortrennen des Substrats erfolgt während das Substrat im Bereich der Einwirkungszone der in Richtung des Substratträgers wirkenden Kraft ausgesetzt ist, sowie einen Substratträger zum Auflegen eines flächigen Substrats, eine Bearbeitungsanlage zum Bearbeiten des auf dem Substratträger aufgelegten Substrats und ein verfahrensgemäß herstellbares Substrat.

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