公开(公告)号：WO2003049156A2

公开(公告)日：2003-06-12

申请号：PCT/US2002/038679

申请日：2002-12-04

Applicant: PRIMAXX, INC. ,  GRANT, Robert, W.

Inventor： GRANT, Robert, W.

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B81C1/00936 ,  B81C99/0025

Abstract: A method for Micro Electro Mechanical Etching (MEMS) etching comprising: providing a reactor 100 positioning a MEMS substrate 302 within said reactor, and release etching said substrate with a gas phase mixture 312 of a halide-containing compound and an-OH containing solvent to produce a MEMS device. The gas also includes an inert carrier gas and is at reduced pressure, preferably about 26.66 • 10 3 N/m 2 (200 Torr). The gas is heated to between 50°C and 75°C. The process conditions in said reactor are controlled such that the etch rate is surface-reaction limited. A plurality of substrates 302, 304, 306 are positioned within said reactor with their substrate planes parallel and the reactive gas is flowed in a direction parallel to the substrate planes.

Abstract translation: 一种用于微机电蚀刻（MEMS）蚀刻的方法，包括：提供反应器100，其将MEMS基板302定位在所述反应器内，并用含卤化合物和含-OH的溶剂的气相混合物312释放所述基板， 生产MEMS器件。 气体还包括惰性载气，并且在减压下，优选约26.66。 10 3 N / m 2（200乇）。 将气体加热至50℃至75℃。控制所述反应器中的工艺条件使得蚀刻速率受表面反应限制。 多个基板302,304,306设置在所述反应器内，其基板平面平行，反应气体沿平行于基板平面的方向流动。

公开(公告)号：WO2014092541A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/MY2013/000242

申请日：2013-12-09

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： MUHAMAD RAMDZAN, Buyong ,  AZLINA, Mohd Zain ,  SHAIDI, Yasin ,  ABDUL HALIM, Adom

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00936 ,  B81C2203/0714

Abstract: The present invention relates to a method for releasing a MEMS device which provides a complete dry release method to prevent stiction or adhesion problem during the MEMS device release process. Adopting an all-dry processing avoids the need to perform rinsing and drying process steps during fabrication. The release process is divided into two parts i.e. the backside release (200) and the front side release process (300).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于释放MEMS器件的方法，该MEMS器件提供完全干燥释放方法以防止在MEMS器件释放过程期间的粘连或粘附问题。 采用全干式加工避免了在制造过程中执行冲洗和干燥工艺步骤的需要。 释放过程被分为两部分，即背侧释放（200）和前侧释放过程（300）。

公开(公告)号：WO01092842A3

公开(公告)日：2002-06-06

申请号：PCT/US2001/017282

申请日：2001-05-29

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

Abstract: The disclosed fabrication methodology addresses the problem of creating low-cost micro-electro-mechanical devices and systems, and, in particular, addresses the problem of delicate microstructures being damaged by the surface tension created as a wet etchant evaporates. This disclosure demonstrates a method for employing a dry plasma etch process to release encapsulated microelectromechanical components.

Abstract translation: 所公开的制造方法解决了创建低成本微机电装置和系统的问题，并且特别地，解决了由湿蚀刻剂蒸发而产生的表面张力损坏的精细微结构的问题。 该公开内容示出了使用干等离子体蚀刻工艺来释放封装的微机电部件的方法。

公开(公告)号：WO2016167853A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：PCT/US2016/014223

申请日：2016-01-21

Applicant: THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, as represented by THE SECRETARY OF THE NAVY ,  MEYER, David, J. ,  DOWNEY, Brian, P.

Inventor： MEYER, David, J. ,  DOWNEY, Brian, P.

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L27/04

CPC classification number: B81C1/00539 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0177

Abstract: A process for fabricating a suspended microelectromechanical system (MEMS) structure comprising epitaxial semiconductor functional layers that are partially or completely suspended over a substrate. A sacrificial release layer and a functional device layer are formed on a substrate. The functional device layer is etched to form windows in the functional device layer defining an outline of a suspended MEMS device to be formed from the functional device layer. The sacrificial release layer is then etched with a selective release etchant to remove the sacrificial release layer underneath the functional layer in the area defined by the windows to form the suspended MEMS structure.

Abstract translation: 一种用于制造包括部分地或完全地悬置在衬底上的外延半导体功能层的悬置微机电系统（MEMS）结构的工艺。 牺牲释放层和功能器件层形成在衬底上。 对功能器件层进行蚀刻以在功能器件层中形成窗口，从而界定将从功能器件层形成的悬置MEMS器件的轮廓。 然后用选择性释放蚀刻剂对牺牲释放层进行蚀刻，以去除由窗口限定的区域中的功能层下方的牺牲释放层，以形成悬浮的MEMS结构。

公开(公告)号：WO2003082732A2

公开(公告)日：2003-10-09

申请号：PCT/US2003/003692

申请日：2003-02-05

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： HECK, John ,  BERRY, Michele ,  WONG, Daniel ,  RAO, Valluri

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0108 ,  H01L23/315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A packaged microelectromechanical system (18) may be formed in a hermetic cavity (22) by forming the system (18) on a semiconductor structure (12) and covering the system with a thermally decomposing film (25). That film (25) may then be covered by a sealing cover (20). Subsequently, the thermally decomposing material (25) may be decomposed, forming a cavity (22), which can then be sealed to hermetically enclose the system (18).

Abstract translation: 封装的微机电系统（18）可以通过在半导体结构（12）上形成系统（18）并用热分解膜（25）覆盖系统而形成在密封腔（22）中。 该薄膜（25）然后可被密封盖（20）覆盖。 随后，热分解材料（25）可能被分解，形成空腔（22），然后将其密封以气密地封闭系统（18）。

公开(公告)号：WO0192842A2

公开(公告)日：2001-12-06

申请号：PCT/US0117282

申请日：2001-05-29

Applicant: IC MECHANICS INC

Inventor： CARLEY RICHARD L

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08 ,  G01L

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

Abstract: The disclosed fabrication methodology addresses the problem of creating low-cost micro-electro-mechanical devices and systems, and, in particular, addresses the problem of delicate microstructures being damaged by the surface tension created as a wet etchant evaporates. This disclosure demonstrates a method for employing a dry plasma etch process to release encapsulated microelectromechanical components.

Abstract translation: 所公开的制造方法解决了创建低成本微机电装置和系统的问题，并且特别地，解决了由湿蚀刻剂蒸发而产生的表面张力损坏的精细微结构的问题。 该公开内容示出了使用干等离子体蚀刻工艺来释放封装的微机电部件的方法。

公开(公告)号：WO2011064716A2

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：PCT/IB2010/055362

申请日：2010-11-23

Applicant: FACHHOCHSCHULE BIELEFELD ,  ZIELKE, Dirk ,  HENSE, Andreas

Inventor： ZIELKE, Dirk ,  HENSE, Andreas

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/036 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung wenigstens einer Kavität in einer mikroelektronischen und/oder mikromechanischen Struktur unter Verwendung wenigstens einer Opferschicht sowie einen hiermit hergestellten Sensor oder Aktor. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein solches Verfahren beziehungsweise einen solchen Sensor oder Aktor zur Verfügung zu stellen, wobei die Opferschicht einen ausreichenden Abstand zwischen den Strukturelementen während der Präparation der mikroelektronischen und/oder mikromechanischen Struktur zur Verfügung stellt, die Opferschicht leicht zu entfernen ist und darüber hinaus auf möglichst einfache Weise ein Anhaften der Strukturelemente nach Entfernen der Opferschicht vermieden werden kann, wobei die Verfahrensschritte bei möglichst niedrigen Temperaturen ausführbar sein sollen, um beispielsweise polymere Funktionsschichten zur Ausbildung eines Sensors oder Aktors einsetzen zu können. Die Aufgabe wird einerseits durch ein gattungsgemäßes Verfahren und andererseits durch einen Sensor oder Aktor der oben genannten Gattung gelöst, wobei die Opferschicht aus wenigstens einem unterhalb seiner Schmelztemperatur mit einer Sublimationsrate von wenigstens 1nm/h sublimierenden Feststoff ausgebildet wird, und wobei der sublimierende Feststoff eine Schmelztemperatur in einem Bereich von 18°C bis 200°C aufweist.

Abstract translation:

本发明涉及一种用于生产至少一种Kavit＆AUML;在使用至少一个牺牲层与其的传感器或致动器产生的微电子和/或微机械结构以及吨。 本发明的目的，这样的方法或这样的传感器或致动器的AV导航用途，以提供供给，其中，所述牺牲层的结构元件瓦特BEAR之间有足够的距离，而镨＆AUML;微电子和/或微机械结构paration用于AV导航使用的 供应是，牺牲层是容易去除和代表了除了M＆ouml; glichst低温下执行导航用途应该是YOURSELFSOFTWAREUPDAT E，例如，聚合的;可通过去除所述牺牲层glichst简单的方式，其中，以m ouml的方法步骤能够避免结构元件的粘附 可以使用用于形成传感器或致动器的功能层。 目的是AUML一方面通过一个通用的类型＆;道路有由上述类型凝胶ouml的传感器或致动器的方法和在另一方面; ST，其中所述牺牲层的至少一个低于其熔融温度的至少1纳米/小时的升华固体升华速率形成，并且 其中所述升华固体的熔融温度在18℃至200℃的范围内

公开(公告)号：WO2004055885A8

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：PCT/US0339766

申请日：2003-12-12

Applicant: IC MECHANICS INC

Inventor： CARLEY L RICHARD ,  HSU YU-NU ,  SANTHANAM SURESH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

Abstract: This invention comprises a process for fabricating a MEMS microstructure in a sealed cavity wherein the etchant entry holes are created as a by-product of the fabrication process without an additional step to etch holes in the cap layer (20). The process involves extending the layers of sacrificial material (12, 16) past the horizontal boundaries of the cap layer (20). The cap layer (20) is supported by pillars (21) formed by a deposition in holes etched through the sacrificial layers (12,16), and the etchant entry holes are formed when the excess sacrificial material (12, 16) is etched away, leaving voids between the pillars (21) supporting the cap.

Abstract translation: 本发明包括一种用于在密封空腔中制造MEMS微结构的方法，其中蚀刻剂入口孔作为制造工艺的副产品而产生，而没有额外的步骤来蚀刻盖层（20）中的孔。 该方法包括将牺牲材料层（12,16）延伸超过盖层（20）的水平边界。 盖层（20）由通过蚀刻通过牺牲层（12,16）蚀刻的孔中的沉积形成的柱支撑（21），并且当多余的牺牲材料（12,16）被蚀刻掉时形成蚀刻剂入口孔 在支撑盖子的支柱（21）之间留下空隙。

公开(公告)号：WO2004055885A3

公开(公告)日：2004-09-16

申请号：PCT/US0339766

申请日：2003-12-12

Applicant: IC MECHANICS INC

Inventor： CARLEY L RICHARD ,  HSU YU-NU ,  SANTHANAM SURESH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

Abstract: This invention comprises a process for fabricating a MEMS microstructure in a sealed cavity wherein the etchant entry holes are created as a by-product of the fabrication process without an additional step to etch holes in the cap layer (20). The process involves extending the layers of sacrificial material (12, 16) past the horizontal boundaries of the cap layer (20). The cap layer (20) is supported by pillars (21) formed by a deposition in holes etched through the sacrificial layers (12,16), and the etchant entry holes are formed when the excess sacrificial material (12, 16) is etched away, leaving voids between the pillars (21) supporting the cap.

Abstract translation: 本发明包括一种用于在密封空腔中制造MEMS微结构的方法，其中蚀刻剂入口孔作为制造工艺的副产品而产生，而没有额外的步骤来蚀刻盖层（20）中的孔。 该方法包括将牺牲材料层（12,16）延伸超过盖层（20）的水平边界。 盖层（20）由通过蚀刻通过牺牲层（12,16）蚀刻的孔中的沉积形成的柱支撑（21），并且当多余的牺牲材料（12,16）被蚀刻掉时形成蚀刻剂入口孔 在支撑盖子的支柱（21）之间留下空隙。

公开(公告)号：WO2004055885A2

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：PCT/US2003/039766

申请日：2003-12-12

Applicant: IC MECHANICS, INC.

Inventor： CARLEY, L., Richard ,  HSU, Yu-Nu ,  SANTHANAM, Suresh

IPC: H01L21/44

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

Abstract: This invention comprises a process for fabricating a MEMS microstructure in a sealed cavity wherein the etchant entry holes are created as a by-product of the fabrication process without an additional step to etch holes in the cap layer. The process involves extending the layers of sacrificial material past the horizontal boundaries of the cap layer. The cap layer is supported by pillars formed by a deposition in holes etched through the sacrificial layers, and the etchant entry holes are formed when the excess sacrificial material is etched away, leaving voids between the pillars supporting the cap.

Abstract translation: 本发明包括一种在密封空腔中制造MEMS微结构的方法，其中蚀刻剂入口孔作为制造工艺的副产品而产生，而没有额外的步骤来蚀刻盖层中的孔。 该方法涉及将牺牲材料层延伸超过盖层的水平边界。 盖层由通过牺牲层蚀刻的孔中的沉积形成的柱支撑，并且当多余的牺牲材料被蚀刻掉时形成蚀刻剂入口孔，从而在支撑盖的支柱之间留下空隙。