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    METHOD FOR PURIFYING HALOGENATED OLIGOSILANES
    1.
    发明申请
    METHOD FOR PURIFYING HALOGENATED OLIGOSILANES 审中-公开
    PROCEDURE净化卤化低聚

    公开(公告)号：WO2016037601A4

    公开(公告)日：2016-05-12

    申请号：PCT/DE2015000439

    申请日：2015-09-07

    Applicant: PSC POLYSILANE CHEMICALS GMBH

    Inventor： BAUCH CHRISTIAN ,  HOLL SVEN ,  HEUER MATTHIAS

    IPC: C07F7/20 ,  C01B33/00 ,  C01B33/107

    CPC classification number: C01B33/10773 ,  B01D3/34 ,  C01B33/00 ,  C01B33/04 ,  C01B33/10778 ,  C07D323/00 ,  C07F7/20 ,  C08G77/60 ,  C08K3/16 ,  C08K5/54

    Abstract: The invention relates to a method for purifying halogenated oligosilanes in the form of a pure compound or a mixture of compounds with respectively at least one direct Si-Si bond, the substituents thereof being exclusively made from halogen or from halogen and hydrogen and in the composition thereof, the atomic ratio of the substituents: silicon is at least 3:2, by the action of at least one purification agent on the halogenated oligosilane and by isolating the halogenated oligosilanes with improved purity. According to prior art, halogenated monosilanes such as HSiCl3 are purified by treating with organic compounds, preferably polymers, containing amino groups, and are separated from said mixtures. Based on the contained amino groups, said method can not be used for halogenated oligosilanes as the secondary reactions lead to a decomposition of the products. The novel method is used to provide the desired products in a high yield and purity without using the amino groups. The purification of the halogenated oligosilanes is carried out in the presence of specific purification agents which transform said contaminations such as for example, FeCl2 into an insoluble and/or less volatile form. Separating the product completes the purification. Said method leads to a higher yield and prevents problems linked to the state of the art such as, for example, long distillation times. Said method is suitable for purifying for example Si2CI6, Si3CI8, Si4Cl10 and higher homologues. These can be used for example in the separation of silicon nitride layers in CVD processes.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于纯化卤代低聚作为纯化合物或化合物的混合物各自具有至少一个直接键合的Si-Si其取代基由专门的卤素或卤素和氢，并在组合物中，原子比取代基：硅为至少3： 是2时，通过至少一个纯化剂的作用，以卤代oligosilane提高纯度的卤化oligosilane和隔离。 在现有技术中卤代甲硅烷如的HSiCl 3可以通过用含氨基的优选聚合的有机化合物纯化，并从这些混合物中分离。 因为所包含的氨基，不能用于卤化低聚这种方法，因为副反应会导致产物分解。 该新方法应该提供以高收率和纯度的所需产品无氨基。 卤化低聚的纯化发生在特殊的纯化手段，所述污染物例如存在 的FeCl 2转化成不溶性和/或低挥发性的形式。 产品的分离完成纯化。 这种方法提供了高产率并且避免了与现有技术的问题，如相关联的问题 长的蒸馏时间。 该方法适用于例如的纯化 Si2CI6，Si3CI8，Si4Cl10和更高的同系物。 这一发现，例如， 在氮化硅的CVD在所述沉积过程中。

    VERFAHREN ZUR AUFREINIGUNG HALOGENIERTER OLIGOSILANE
    2.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR AUFREINIGUNG HALOGENIERTER OLIGOSILANE 审中-公开
    纯化卤代低聚硅烷的方法

    公开(公告)号：WO2016037601A1

    公开(公告)日：2016-03-17

    申请号：PCT/DE2015/000439

    申请日：2015-09-07

    Applicant: PSC POLYSILANE CHEMICALS GMBH

    Inventor： BAUCH, Christian ,  HOLL, Sven ,  HEUER, Matthias

    IPC: C07F7/20 ,  C01B33/00 ,  C01B33/107

    CPC classification number: C01B33/10773 ,  B01D3/34 ,  C01B33/00 ,  C01B33/04 ,  C01B33/10778 ,  C07D323/00 ,  C07F7/20 ,  C08G77/60 ,  C08K3/16 ,  C08K5/54

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufreinigung halogenierter Oligosilane als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen mit jeweils mindestens einer direkten Bindung Si-Si, deren Substituenten ausschließlich aus Halogen oder aus Halogen und Wasserstoff bestehen und in deren Zusammensetzung das Atomverhältnis Substituent:Silicium mindestens 3:2 beträgt, durch Einwirkung mindestens einen Aufreinigungsmittels auf das halogenierte Oligosilan und Isolierung des halogenierten Oligosilans verbesserter Reinheit. Im Stand der Technik werden halogenierte Monosilane wie HSiCl 3 durch Behandlung mit vorzugsweise polymeren organischen Verbindungen enthaltend Aminogruppen aufgereinigt und aus diesen Mischungen abgetrennt. Aufgrund der enthaltenen Aminogruppen ist dieses Verfahren für halogenierte Oligosilane nicht einsetzbar, da Nebenreaktionen zu einer Zersetzung der Produkte führen würden. Das neue Verfahren soll die gewünschten Produkte in hoher Ausbeute und Reinheit liefern, ohne dass Aminogruppen eingesetzt werden. Die Aufreinigung der halogenierten Oligosilane erfolgt in Anwesenheit spezieller Aufreinigungsmittel, die Kontaminationen wie z.B. FeCl 2 in eine unlösliche und/oder schwerer flüchtige Form überführen. Eine Abtrennung der Produkte schließt die Aufreinigung ab. Dieses Verfahren liefert eine hohe Ausbeute und umgeht die mit dem Stand der Technik verbundenen Probleme, wie z.B. lange Destillationszeiten. Das Verfahren eignet sich zur Aufreinigung von z.B. Si 2 CI 6 , Si 3 CI 8 , Si 4 Cl 10 und höherer Homologen. Diese finden z.B. bei der Abscheidung von Siliciumnitridschichten in CVD-Prozessen Verwendung.

    Abstract translation: 本发明涉及纯化卤化低聚硅烷的纯化合物或化合物混合物的方法，所述化合物或化合物的混合物各自具有至少一个直接键合Si-Si，其取代基仅由卤素或卤素和氢组成， 通过至少一种纯化剂对卤化低聚硅烷的作用和分离纯度提高的卤化低聚硅烷，其组成是原子比取代基：硅至少3：2。 在现有技术中，卤化甲硅烷如HSiCl 3通过用优选含有氨基的聚合有机化合物处理并从这些混合物中分离而纯化。 由于存在氨基，该方法不能用于卤化低聚硅烷，因为副反应导致产物分解。 新工艺应能提供高产量和高纯度的所需产品，无需使用氨基。 卤化低聚硅烷的纯化是在含有污染物的特殊清洁剂存在下进行的， FeCl 2以形成不溶性和/或较重的液体形式。 分离产物完成纯化。 该过程产生高产率并避免与现有技术相关的问题，例如， 蒸馏时间长。 该方法适用于例如纯化。 硅<子> 2 氯<子> 6 ，硅<子> 3 氯<子> 8 ，硅<子> 4 氯<子 > 10和更高的同系物。 这些发现例如 用于CVD工艺中氮化硅层的沉积。

    CATALYST USED IN HYDRODECHLORINATION REACTION OF SILICON TETRACHLORIDE FOR MANUFACTURING TRICHLOROSILANE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
    4.
    发明申请
    CATALYST USED IN HYDRODECHLORINATION REACTION OF SILICON TETRACHLORIDE FOR MANUFACTURING TRICHLOROSILANE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 审中-公开
    用于制造三氯硅烷的硅氯化物的氢氯化反应中使用的催化剂及其制造方法

    公开(公告)号：WO2012015152A2

    公开(公告)日：2012-02-02

    申请号：PCT/KR2011003249

    申请日：2011-05-02

    Applicant: NAT UNIV CHONBUK IND COOP FOUN ,  YANG O BONG ,  SHIM KYUNG BO ,  KWAK DO HWAN ,  OH DEA WOONG ,  KONGMANY SANTI

    Inventor： YANG O BONG ,  SHIM KYUNG BO ,  KWAK DO HWAN ,  OH DEA WOONG ,  KONGMANY SANTI

    IPC: B01J21/18 ,  B01J23/755 ,  B01J37/08 ,  C01B33/107

    CPC classification number: B01J21/18 ,  B01J23/02 ,  B01J23/70 ,  B01J23/755 ,  B01J23/78 ,  B01J35/1014 ,  B01J37/0207 ,  B01J37/08 ,  B01J37/10 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10773

    Abstract: The present invention relates to a catalyst used in hydrodechlorination reaction which converts silicon tetrachloride (SiCl4), a byproduct generated when making silicon wafer for solar cells, into trichlorosilane (HSiCl3), and more specifically relates to 1) an active carbon, 2) an active carbon preprocessed with steam and others, 3) a catalyst manufactured by preprocessing with steam and others an active carbon having silicon and chlorine, and 4) a catalyst introduced with one of the metals from nickel, cobalt, copper, calcium, strontium, and barium, after preprocessing with steam and others the active carbon having silicon and chlorine, and a method for manufacturing same. The four types of catalysts of the present invention have trichlorosilane yield of 9-31% with the reaction pressure of 1-5 atmospheric pressure, the reaction temperature of 600-900, and the reaction time of 5-9 hours, when manufacturing trichlorosilane from hydrodechlorination reaction of silicon tetrachloride. The present invention enables significant decrease in the cost of manufacturing polysilicon, which is a material for silicon solar cell, by reusing silicon tetrachloride, which is a main byproduct generated in the manufacturing process of polysilicon for solar cells, and enhances the economic effect by increasing the yield and reducing the energy use even when the reaction temperature and the pressure are low.

    Abstract translation: 本发明涉及用于加氢脱氯反应中的催化剂，其将制成太阳能电池用硅晶片时产生的副产物四氯化硅（SiCl 4）转化为三氯硅烷（HSiCl 3），更具体地涉及1）活性炭2） 用蒸汽等进行预处理的活性炭，3）通过蒸汽等进行预处理的催化剂和其他具有硅和氯的活性炭的催化剂，以及4）引入镍，钴，铜，钙，锶和/或其中的一种金属的催化剂 钡，在用蒸汽等进行预处理后，其具有硅和氯的活性炭及其制造方法。 本发明的四种催化剂的三氯硅烷产率为9-31％，反应压力为1-5大气压，反应温度为600-900℃，反应时间为5-9小时，当制备三氯硅烷时 四氯化硅的加氢脱氯反应。 本发明通过重复使用四氯化硅（其是太阳能电池的多晶硅制造过程中产生的主要副产物），可以大幅度降低作为硅太阳能电池的材料的多晶硅的制造成本，并且通过增加经济效应来提高经济效果 即使当反应温度和压力低时，产率也降低了能源消耗。

    カーボンナノチューブを用いた伸縮装置とその製造方法
    6.
    发明申请
    カーボンナノチューブを用いた伸縮装置とその製造方法 审中-公开
    使用碳纳米管的膨胀装置及其制造方法

    公开(公告)号：WO2011024539A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：PCT/JP2010/060042

    申请日：2010-06-14

    Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  山田 健郎 ,  畠 賢治 ,  早水 裕平

    Inventor： 山田　健郎 ,  畠　賢治 ,  早水　裕平

    IPC: G01B7/16 ,  C01B31/02 ,  G01D5/16

    CPC classification number: G01B21/32 ,  B82Y15/00 ,  C01B33/04 ,  C01B33/043 ,  C01B33/10773

    Abstract: 従来技術による、伸縮を検出できる伸縮装置は、金属・半導体等のいわば、十分に伸縮可能な部材を用いていなかったために、繰り返し検出できる伸縮は５％程度に限られており、このような従来技術の問題点に鑑み、本発明では、従来よりも格段に大きな伸縮を、繰り返し検出できる、伸縮装置を提供する。本発明によると、伸縮可能な基材上に配置され、所定の方向に配向した複数のＣＮＴを備える配向ＣＮＴ膜構造体を備え、かつ該配向ＣＮＴ膜構造体は、伸びにより裂け目を生じて亀裂帯を形成してなる伸縮装置が提供される。

    Abstract translation: 根据现有技术的能够检测膨胀和收缩的传统膨胀装置可以重复检测膨胀和收缩仅约5％，因为这些装置没有采用充分膨胀的构件，例如金属和半导体。 公开了一种能够重复地检测比常规装置检测到的膨胀和收缩显着更大的膨胀装置。 具体公开了一种膨胀装置，其包括定向CNT膜结构，其具有沿预定方向取向并设置在可膨胀基底上的多个CNT。 取向CNT膜结构包括由膨胀产生的裂纹形成的裂纹带。

    VERFAHREN ZUR BEHANDLUNG VON KATALYSATOR-PRÄKURSOREN
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR BEHANDLUNG VON KATALYSATOR-PRÄKURSOREN 审中-公开
    方法的催化剂前体的治疗

    公开(公告)号：WO2011006694A2

    公开(公告)日：2011-01-20

    申请号：PCT/EP2010/056701

    申请日：2010-05-17

    Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH ,  RAULEDER, Hartwig ,  MÜH, Ekkehard ,  SCHORK, Reinhold ,  SCHÖN, Uwe

    Inventor： RAULEDER, Hartwig ,  MÜH, Ekkehard ,  SCHORK, Reinhold ,  SCHÖN, Uwe

    IPC: B01J31/06

    CPC classification number: B01J31/08 ,  B01J37/08 ,  B01J41/04 ,  B01J41/07 ,  C01B33/107 ,  C01B33/10773 ,  C01P2006/80 ,  C07F7/125

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung eines stark Wasser enthaltenden, aminofunktionellen, polymeren Katalysator-Präkursors unter Beibehaltung seiner inneren porösen Struktur und seiner äußeren sphärischen Form unter Bildung eines Katalysators, indem der Katalysator-Präkursor bei milden Temperaturen und unter Unterdruck behandelt wird und ein Katalysator mit einem Wassergehalt unter 2,5 Gew.-% hergestellt wird. Bevorzugt ist das Verfahren integriert in ein großtechnisches Verfahren zur Herstellung von Dichlorsilan, Monosilan, Silan oder Solar- oder Halbleitersilizium aus Silanen.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于强含水，氨基官能的，聚合的催化剂，同时保持其内部多孔结构，它的外球形形状通过在温和的温度和在减压下处理的催化剂前体接触以形成催化剂前体的治疗的方法，和催化剂 与低于2.5wt％的水含量来制备。 该方法优选地被集成在二氯硅烷，甲硅烷，硅烷或太阳能或半导体级硅从硅烷的制备中的工业过程。

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