公开(公告)号：WO2011138019A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：PCT/EP2011/002213

申请日：2011-05-04

Applicant: ETH ZURICH ,  SEITA, Matteo ,  SPOLENAK, Ralph ,  ZENG, Ke

Inventor： SEITA, Matteo ,  SPOLENAK, Ralph ,  ZENG, Ke

IPC: C23C14/02 ,  C23C16/48 ,  C30B28/00 ,  C23C14/22 ,  H01L39/24

CPC classification number: C23C14/226 ,  C23C14/028 ,  C23C16/486 ,  C30B28/00 ,  H01L39/2461

Abstract: Disclosed is a method for producing a biaxially textured film (10) on a substrate (1) comprising the steps of: i) deposition of a uniaxially textured film (4, 7) on the substrate (1); ii) ion bombardment (3) of the uniaxially textured film (4, 7) with an irradiation angle (a) relative to the normal (12) to the plane of the substrate at the point of irradiation in the range of 10-80° until only nanocrystals having essentially the same out-of-plane and in-plane orientation remain in the film (4, 7) essentially over the full thickness (13) of the film (4, 7); wherein this sequence of steps i) and ii) is repeated until a biaxially textured film (10) which is essentially in-plane continuous is formed. The correspondingly produced biaxially textured films show uniform texture over the full thickness of the film layer and can be used for many applications such as microelectronics applications.

Abstract translation: 公开了一种在基板（1）上制造双轴纹理膜（10）的方法，包括以下步骤：i）将单轴纹理膜（4,7）沉积在基板（1）上; ii）在10-80°的照射点处，具有相对于法线（12）至基板平面的照射角度（a）的单轴纹理膜（4,7）的离子轰击（3） 直到仅具有基本上相同的外平面和面内取向的纳米晶体基本上保留在膜（4,7）的膜（4,7）的整个厚度（13）上; 其中重复步骤i）和ii）的这个顺序，直到形成基本上是平面内的连续的双轴纹理膜（10）。 相应生产的双轴纹理膜在膜层的全部厚度上显示出均匀的织构，并且可用于诸如微电子应用的许多应用。

公开(公告)号：WO2010004863A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：PCT/JP2009/061354

申请日：2009-06-23

Applicant: 日鉱金属株式会社 ,  佐藤 和幸 ,  小井土 由将

Inventor： 佐藤　和幸 ,  小井土　由将

IPC: H01L21/02 ,  C04B37/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B23/02 ,  C30B28/00 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/187 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/31663

Abstract: シリコンウエハであって、多結晶の焼結シリコンウエハの中に単結晶ウエハが埋め込まれた構造を備えていることを特徴とするハイブリッドシリコンウエハ。多結晶焼結シリコンの一部をくり抜き、このくり抜いた部分に単結晶インゴットを挿入し、これらをＨＩＰにより相互に加熱拡散接合して、多結晶の焼結シリコンと単結晶シリコンインゴットの複合体を作製し、この複合体をスライスして多結晶の焼結シリコンウエハの中に単結晶ウエハが埋め込まれた構造を有するハイブリッドシリコンウエハの製造方法。多結晶シリコンウエハと単結晶ウエハの双方の機能を備えたハイブリッドシリコンウエハ及びその製造方法を提供することを課題とする。

Abstract translation: 提供了一种混合硅晶片，其特征在于具有将单晶晶片嵌入多晶烧结硅晶片中的结构。 还公开了一种制造具有其中单晶晶片嵌入多晶烧结晶片的结构的混合硅晶片的方法。 在该方法中，将多晶烧结硅的一部分中空化，将单晶锭插入中空部，通过HIP的热扩散接合将中空部和单晶锭彼此接合，制造 复合体的多晶烧结硅和单晶硅锭，然后将复合体切片。 因此，提供具有多晶硅晶片和单晶晶片的功能的混合硅晶片以及制造这种混合硅晶片的方法。

公开(公告)号：WO2010114148A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：PCT/JP2010/056125

申请日：2010-03-30

Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA ,  UNIVERSITY OF YAMANASHI ,  SAITO, Hiroshi ,  MATSUDA, Takanori ,  TAKASHIMA, Kenji ,  KUMADA, Nobuhiro

Inventor： SAITO, Hiroshi ,  MATSUDA, Takanori ,  TAKASHIMA, Kenji ,  KUMADA, Nobuhiro

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C03B29/00 ,  C30B30/04 ,  C30B28/00 ,  H01L41/187

CPC classification number: C30B29/24 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/26 ,  C04B35/2666 ,  C04B35/2675 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6263 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C30B28/00 ,  C30B30/04 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/43

Abstract: To provide a piezoelectric ceramic containing BiFeO3 having a {110} plane orientation in a pseudo-cubic form, which is suited for the domain engineering, the piezoelectric ceramic includes a perovskite-type metal oxide represented by the following general formula (1), and has a {110} plane orientation in a pseudo-cubic form: General Formula (1) xBiFeO 3 -(1-x)ABO 3 where A and B each represent one kind or more of metal ions; A represents a metal ion having a valence of 1, 2 or 3; and B represents a metal ion having a valence of 3, 4, or 5, provided that x is within a range of 0.3≤x≤1.

Abstract translation: 为了提供一种适用于领域工程的具有假立方形{110}面取向的BiFeO 3的压电陶瓷，压电陶瓷包括由以下通式（1）表示的钙钛矿型金属氧化物，和 具有假立方形的{110}平面取向：通式（1）xBiFeO3-（1-x）ABO3其中A和B各自表示一种以上的金属离子; A表示化合价为1,2或3的金属离子; 并且B表示具有3,4或5价的金属离子，条件是x在0.3 = x = 1的范围内。

公开(公告)号：WO2005029550A2

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：PCT/US2004030329

申请日：2004-09-16

Applicant: UNIV COLUMBIA ,  IM JAMES S

Inventor： IM JAMES S

IPC: C30B1/02 ,  C30B1/06 ,  C30B1/08 ,  C30B28/02 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  H01L20060101 ,  H01L

CPC classification number: C30B28/00 ,  C03C23/0025 ,  C30B28/08 ,  C30B35/00 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296

Abstract: System and method generating a polycrystalline thin film with a particular crystalline orientation for use as thin film transistors, microelectronic devices and the like. In one exemplary embodiment, a polycrystalline silicon thin film that has a substantially uniform crystalline orientation is produced so that its crystals are provided in at least one direction. The crystalline orientation may be any low index orientation and may be achieved with sequential lateral solidification. The polycrystalline thin film may then be crystallized in a direction that is perpendicular to the first direction by, e.g., a sequential lateral solidification procedure so that the crystalline orientation is approximately the same as the first direction, and is substantially uniform in all directions.

Abstract translation: 产生具有特定晶体取向的多晶薄膜以用作薄膜晶体管，微电子器件等的系统和方法。 在一个示例性实施例中，制造具有基本上均匀的晶体取向的多晶硅薄膜，使得其晶体沿至少一个方向提供。 晶体取向可以是任何低折射率取向并且可以通过顺序横向固化来实现。 然后可以通过例如顺序横向凝固过程在垂直于第一方向的方向上结晶多晶薄膜，使得晶体取向与第一方向大致相同，并且在所有方向上基本均匀。

公开(公告)号：WO2015199636A1

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：PCT/UA2015/000016

申请日：2015-03-06

Applicant: ШВАРЦМАН, Леонид Яковлевич ,  ПРУТЦКОВ, Дмитрий Владимирович ,  ДОДОНОВ, Владимир Николаевич

Inventor： ШВАРЦМАН, Леонид Яковлевич ,  ПРУТЦКОВ, Дмитрий Владимирович ,  ДОДОНОВ, Владимир Николаевич ,  МЕРКЕР, Рольф Курт

IPC: C01B33/025 ,  C01B33/03 ,  C01B33/02 ,  C30B28/00 ,  C30B29/06 ,  C01B33/029

CPC classification number: C01B33/02 ,  C01B33/025 ,  C01B33/029 ,  C01B33/03 ,  C30B28/00 ,  C30B29/06

Abstract: Использование: техническое решение относится к технологии получения поликристаллического кремния, пригодного, например, для изготовления солнечных батарей. Сущность изобретения: способ получения поликристаллического кремния включает смешивание диоксида кремния и восстановителя, высокоэнергетическую обработку смеси, взаимодействие полученного продукта с хлорирующим агентом с образованием хлорсодержащего соединения кремния, которое направляют на получение из него поликристаллического кремния, при этом осуществляют переработку побочных продуктов. Новым является то, что в качестве диоксида кремния используют кварцевый песок и/или техногенное сырье, содержащее кремнезем, высокоэнергетическую обработку смеси проводят при температуре 1800-2000°С в твердой фазе, в качестве хлорирующего агента используют хлор для получения хлорсодержащего соединения кремния - тетрахлорида кремния, из которого гидрированием получают трихлорсилан, который направляют, по крайней мере, частично на получение водородным восстановлением поликристаллического кремния. Новым является также то, что высокоэнергетическую обработку смеси проводят в печи сопротивления с неподвижным слоем, полученный продукт сортируют, дробят и выделяют фракцию -50+10мм. Новым является также то, что высокоэнергетическую обработку смеси проводят в электротермической печи кипящего слоя, а к полученному в ней продукту добавляют диоксид кремния и органическое связующее, а затем окомковывают и прокаливают. Новым является также то, что водород для гидрирования и восстановления и хлор получают электролитическим разложением соляной кислоты, полученной при переработке побочных продуктов. Новым является то, что, по крайней мере, часть трихлорсилана направляют на получение моносилана и поликристаллического кремния методом пиролиза моносилана. Достигаемый технический результат: интенсификация основных технологических процессов, что позволяет увеличить степень извлечения кремния в годную продукцию при одновременном обеспечении высокого качества полученного продукта с минимальными энергетическими и материальными затратами и, как следствие, удешевление целевого продукта почти в 2 раза.

Abstract translation: 用途：该技术方案涉及一种多晶硅制备技术，例如适用于制造太阳能电池板。 本发明的精神：多晶硅制备方法包括将二氧化硅与还原剂混合，使混合物进行高能处理，并使所生产的产物与氯化剂反应形成用于生产的含氯硅化合物 多晶硅，其中副产物被加工。 本发明是新颖的，其中使用石英砂和/或工业含二氧化硅的原料作为二氧化硅，混合物的高能处理在1800℃和2000℃之间的温度下进行， 固相，氯用作氯化剂，以便生产用于通过氢化制备三氯硅烷的含氯硅化合物 - 四氯化硅，所述三氯硅烷至少部分用于通过氢气制备多晶硅 减少。 混合物的高能处理也是在固定床电阻炉中进行的，并且生产的产品被分选，粉碎并分离出一个-50 + 10mm的分数。 本发明的新颖之处在于，混合物的高能处理在电热沸腾炉中进行，其中所生产的产物中加入了二氧化硅和有机粘合剂，然后进行造粒和退火。 通过电解分解在副产物加工过程中产生酸的盐酸得到用于氢化和还原的氢气和氯的新颖性。 本发明是新的，其中至少一部分三氯硅烷用于制备甲硅烷，然后经历热解以产生多晶硅。 取得的技术成果：加剧了主要的工艺流程，从而能够将硅提取程度提高到有用的产品中，同时以最少的能量和材料费用提供高质量的生产产品，从而减少 目标产品的价格几乎是2倍。

公开(公告)号：WO2010073712A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：PCT/JP2009/007279

申请日：2009-12-25

Applicant: 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 ,  株式会社コンポン研究所 ,  平等拓範 ,  秋山順 ,  浅井滋生 ,  原邦彦

Inventor： 平等拓範 ,  秋山順 ,  浅井滋生 ,  原邦彦

IPC: C04B35/00 ,  B28B1/00 ,  C04B35/447 ,  C04B35/50 ,  C04B35/645 ,  C30B1/02 ,  C30B29/22 ,  H01S3/16

CPC classification number: H01F41/0253 ,  B28B1/00 ,  B33Y40/00 ,  C04B35/447 ,  C04B35/50 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/9653 ,  C30B28/00 ,  C30B29/22 ,  C30B29/30 ,  C30B30/04 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1611 ,  H01S3/1618 ,  H01S3/1671 ,  H01S3/1673 ,  H01S3/1685

Abstract: 　透光性多結晶材料を製造するにあたっては、希土類元素が添加された光学的に異方性の単結晶粒子を含む原料粉末を、溶液中に懸濁してなる懸濁液（スラリー１）を準備する。磁場空間でスリップキャスティングを行うことにより、懸濁液から成形体を得る。このとき、単結晶粒子が所定の磁気異方性を発揮するように温度制御しつつ、単結晶粒子における磁化容易軸の方向に応じて静磁場及び回転磁場のうちの一方を選択して印加する。成形体を焼成して、結晶方位が制御された多結晶構造を有する透光性多結晶材料を得る。この焼成工程では、成形体を１６００～１９００Ｋの温度で一次焼結を施してから、一次焼結体を１６００～１９００Ｋの温度で熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ処理）する。

Abstract translation: 提供一种透光性多晶材料的制造方法，其中通过在溶液中悬浮含有添加有稀土元素的光学各向异性单晶颗粒的起始粉末来制备悬浮液（浆料1）。 通过在磁场空间内的滑移铸造从悬浮液获得模制品。 此时控制温度，使得单晶晶粒呈现预定的磁各向异性，同时选择并施加在单晶粒的易磁化轴方向上的静磁场或旋转磁场。 将模制品烘烤以获得具有多晶结构的透光多晶材料，其中晶体取向受到控制。 在该烘烤步骤中，将模制品在1,600至1900K的温度下进行一次烧结，然后在1600至1900℃的温度下对一次烧结体进行热等静压（HIP处理）。

公开(公告)号：WO2009011234A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：PCT/JP2008/062173

申请日：2008-07-04

Applicant: 日鉱金属株式会社 ,  鈴木 了 ,  高村 博

Inventor： 鈴木 了 ,  高村 博

IPC: C01B33/02

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B28/00 ,  H01L29/045

Abstract:  焼結シリコンウエハであって、Ｘ線回折で測定される（２２０）面の強度と（１１１）面の強度との比 ［Ｉ（２２０）／Ｉ（１１１）・・・（１）］が０．５以上、０．８以下であり、かつ（３１１）面の強度と（１１１）面の強度との比［Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）・・・（２）］が０．３以上、０．５以下であることを特徴とする焼結シリコンウエハ。平滑な表面を有する焼結シリコンウエハであり、単結晶シリコンと同等の表面粗さを保有する焼結シリコンウエハを提供することにある。

Abstract translation: 提供了一种烧结硅晶片，其特征在于测量了（式（1）：I（220）/ I（111）]的比例，即（220）相的强度与（111）相的强度比 （311）/ I（111）]的比值，即（311）相的强度与（311）/ I（111）的强度的比例，通过x射线衍射测定为0.5以上且不大于0.8， 通过X射线衍射测量的（111）相的相位为0.3以上且不大于0.5。 具有光滑表面的烧结硅晶片具有与单晶硅相当的表面粗糙度。