公开(公告)号：WO2017171414A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：PCT/KR2017/003453

申请日：2017-03-30

Applicant: VIEWORKS CO., LTD.

Inventor： LEE, Denny Lap Yen ,  JANG, Hyun Suk

IPC: G01T1/02 ,  G01T1/20 ,  G01T1/24

CPC classification number: G01T1/247 ,  G01T1/241 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14687

Abstract: The invention relates to a two steps image capture panel for recording x-ray image information. More particularly, the invention relates to a method and an apparatus for directing the internal electric field to capture the x-ray image first on an insulating surface, avoiding charge injection noise from the insulating surface, and then re-directing the internal electrical field to transfer the image charge from the insulating surface to a conductive readout electrode with electric field sufficient for charge gain during image readout.

Abstract translation: 本发明涉及用于记录X射线图像信息的两步图像捕获面板。 更具体地说，本发明涉及一种用于引导内部电场以首先在绝缘表面上捕获X射线图像，避免来自绝缘表面的电荷注入噪声，然后将内部电场重新引导到 将图像电荷从绝缘表面转移到导电读出电极，其电场足以在图像读出期间获得电荷增益。

公开(公告)号：WO2016130978A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：PCT/US2016/017846

申请日：2016-02-12

Applicant: BROOKHAVEN SCIENCE ASSOCIATES, LLC ,  NORFOLK STATE UNIVERSITY

Inventor： ROY, Utpal, N. ,  JAMES, Ralph, B. ,  BOLOTNIKOV, Aleksey ,  CAMARDA, Giuseppe ,  CUI, Yonggang ,  HOSSAIN, Anwar ,  YANG, Ge ,  PRADHAN, Aswini ,  MUNDLE, Rajeh

IPC: G01T1/16 ,  G01T1/24

CPC classification number: G01T1/241 ,  G01T1/247

Abstract: Technologies are described for semiconductor radiation detectors. The semiconductor radiation detectors may comprise a semiconductor material. The semiconductor material may include a first surface and a second surface. The first surface may be opposite from the second surface. The semiconductor material may include at least one metal component. The semiconductor material may be effective to absorb radiation and induce a current pulse in response thereto. The semiconductor radiation detector may comprise an electrode contact. The electrode contact may include a metal doped oxide deposited on the first surface of the semiconductor material. The metal doped oxide may include the metal component element of the semiconductor material.

Abstract translation: 技术描述为半导体辐射探测器。 半导体辐射检测器可以包括半导体材料。 半导体材料可以包括第一表面和第二表面。 第一表面可以与第二表面相反。 半导体材料可以包括至少一种金属组分。 半导体材料可以有效地吸收辐射并响应于此而引起电流脉冲。 半导体辐射检测器可以包括电极接触。 电极接触可以包括沉积在半导体材料的第一表面上的金属掺杂氧化物。 掺杂金属的氧化物可以包括半导体材料的金属组分元素。

公开(公告)号：WO2016064374A1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：PCT/US2014/061349

申请日：2014-10-20

Applicant: ANALOGIC CORPORATION

Inventor： ABENAIM, Daniel ,  LUHTA, Randy ,  CHOQUETTE, Martin

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/24

CPC classification number: G01T1/2018 ,  G01T1/241 ,  G01T1/244

Abstract: Among other things, a detector unit for a detector array of a radiation imaging modality is provided. In some embodiments, the detector unit comprises a radiation detection sub-assembly and an electronics sub-assembly. The electronics sub- assembly comprises electronic circuitry, embedded within a molding compound, configured to digitize analog signals yielded from the radiation detection sub- assembly and/or to otherwise process such analog signals. The electronics sub- assembly also comprises a substrate, such as a printed circuit board, configured to route signals between the electronic circuitry and a photodetector array of the radiation detection sub-assembly and/or to route signals between the electronic circuitry and digital processing components, such as an image generator, for example.

Abstract translation: 提供了一种用于辐射成像模式的检测器阵列的检测器单元。 在一些实施例中，检测器单元包括辐射检测子组件和电子子组件。 电子子组件包括嵌入在模制化合物内的电子电路，其被配置为数字化从辐射检测子组件产生的模拟信号和/或另外处理这样的模拟信号。 电子子组件还包括诸如印刷电路板的衬底，其被配置为在电子电路和辐射检测子组件的光电检测器阵列之间路由信号和/或在电子电路和数字处理组件之间路由信号 ，例如图像生成器。

公开(公告)号：WO2014129507A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/JP2014/053941

申请日：2014-02-19

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社

Inventor： 藤井　義磨郎 ,  永野　輝昌 ,  山村　和久 ,  里　健一 ,  土屋　龍太郎

IPC: H01L27/144 ,  G01T1/161 ,  G01T1/20 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L27/14663 ,  G01N23/046 ,  G01T1/241 ,  G01T1/2985 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14661 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/115 ,  H01L2224/13

Abstract: 　この検出器の個々の半導体チップは、複数の光検出部を有する半導体基板と、半導体基板の表面上に形成された絶縁層と、絶縁層上に配置された共通電極と、個々の光検出部のクエンチング抵抗と共通電極とを電気的に接続する読出配線と、共通電極から半導体基板の貫通孔を介して、半導体基板の裏面に延びた貫通電極とを備えている。

Abstract translation: 该检测器的每个半导体芯片设置有：具有多个光电检测器部件的半导体基板; 绝缘层，形成在所述半导体衬底的表面上; 布置在绝缘层上的公共电极; 将每个光电检测器部分的淬火电阻和公共电极彼此电连接的读取布线; 以及从半导体基板的通孔从公共电极延伸到半导体基板的背面的贯通电极。

公开(公告)号：WO2014117574A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/CN2013/087694

申请日：2013-11-22

Applicant: 同方威视技术股份有限公司 ,  清华大学

Inventor： 张岚 ,  李玉兰 ,  李元景 ,  刘以农 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  张韡 ,  刘延青 ,  李军

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/115 ,  G01T1/241

Abstract: 提供一种辐射探测器（100），该辐射探测器（100）包括：用于感测辐射的半导体晶体（101），半导体晶体（101）包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极（103）；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极（102），其中，阳极电极（103）为条带形状，阴极电极（102）为平面形状，并且阴极电极（102）与阳极电极（103）平行地延伸大致等于阳极电极（103）的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。

公开(公告)号：WO2013030708A2

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：PCT/IB2012/054170

申请日：2012-08-16

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH ,  RÖSSL, Ewald ,  PROKSA, Roland

Inventor： RÖSSL, Ewald ,  PROKSA, Roland

CPC classification number: G01T1/24 ,  G01T1/241 ,  G01T1/247

Abstract: Adetector array includes at least one direct conversion detector pixel (114 - 114 M ) configured to detect photons of poly-chromatic ionizing radiation. The pixel includes a cathode layer (116), an anode layer (118) including an anode electrode (118 -118 M ) for each of the at least one detector pixels, a direct conversion material (120), disposed between the cathode layer and the anode layer, anda gate electrode disposed in the direct conversion material, parallelto and between the cathode and anode layers.

Abstract translation: 检测器阵列包括被配置为检测多色电离辐射的光子的至少一个直接转换检测器像素（114-140M）。 像素包括阴极层（116），包括用于至少一个检测器像素中的每一个的阳极电极（118 -118M）的阳极层（118），直接转换材料（120），设置在阴极层和 阳极层和设置在直接转换材料中的平行于阴极和阳极层之间的栅电极。

公开(公告)号：WO2013007695A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：PCT/EP2012/063416

申请日：2012-07-09

Applicant: TRIXELL ,  BLANCHON, David ,  COUDER, David ,  CANDIARD, Benoît

Inventor： BLANCHON, David ,  COUDER, David ,  CANDIARD, Benoît

IPC: H04N5/32 ,  H04N5/353 ,  H04N5/374 ,  H04N5/232

CPC classification number: G01T1/241 ,  H04N5/232 ,  H04N5/32 ,  H04N5/353 ,  H04N5/361 ,  H04N5/374

Abstract: L'invention concerne un procédé de commande d'un dispositif photosensible, par exemple d'un détecteur numérique de rayons X comprenant une matrice de points photosensibles. Le dispositif photosensible comprend un conducteur colonne, des conducteurs ligne et des points photosensibles. Chaque point photosensible est relié entre le conducteur colonne et l'un des conducteurs ligne, et comprend un élément photosensible apte à convertir un flux de photons en charges électriques, et un transistor apte à transférer les charges électriques vers le conducteur colonne sur commande d'un signal reçu par le conducteur ligne correspondant. L'invention repose sur la présence d'une capacité de couplage parasite entre le drain et la source de chaque transistor à l'état bloqué. Cette capacité introduit une variation de potentiel sur le conducteur colonne avec la réception de photons. Le procédé selon l'invention comporte des étapes (21, 22, 23, 24) permettant de comparer la variation de potentiel à un seuil, une étape de lecture (25) des points photosensibles étant exécutée en cas de comparaison positive.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于控制感光装置的方法，例如包括光敏点阵列的数字X射线检测器。 感光装置包括列导体，线导体和光敏点。 每个感光点连接在列导体和一条线导体之间，并且包括能够将光子通量转换成电荷的光敏元件，以及能够基于以下方式将电荷转移到列导体的晶体管： 由相应线路导线接收的信号的控制。 本发明取决于在关闭状态下存在用于在每个晶体管的漏极和源极之间的交叉耦合的电容器。 所述电容器在接收光子时向列导体提供潜在的变化。 根据本发明的方法包括用于将电位变化与阈值进行比较的步骤（21,22,23,24），并且读取光敏点的步骤（25）在以下情况下执行： 比较是积极的。

公开(公告)号：WO2012098477A3

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：PCT/IB2012050105

申请日：2012-01-10

Applicant: KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV ,  PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY ,  HERRMANN CHRISTOPH ,  MUELHENS OLIVER

Inventor： HERRMANN CHRISTOPH ,  MUELHENS OLIVER

IPC: G01T1/24

CPC classification number: H01L27/14609 ,  A61B6/4233 ,  G01T1/24 ,  G01T1/241 ,  G01T1/247 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14658 ,  H04N5/369 ,  H05G1/56

Abstract: An imaging system (100) includes a radiation source (112) that emits radiation that traverses an examination region and a detector array (114) with a plurality of photon counting detector pixels (116) that detect radiation traversing the examination region and respectfully generate a signal indicative of the detected radiation. The photon counting detector pixel includes a direct conversion layer (122) having a first radiation receiving side (202) and second opposing side (206), a cathode (118) affixed to and covering all of or a substantial portion of the first side, an anode (120) affixed to a centrally located region (208) of the second side, wherein the anode includes at least two sub-anodes (120, 120i, 1202, 120N), and a metallization (124) affixed to the second side, surrounding the anode and the anode region, with a gap between the anode and the metallization. The system further includes a reconstructor (144) that reconstructs the signal to generate volumetric image data indicative of the examination region.

Abstract translation: 一种成像系统（100）包括：辐射源（112），辐射源（112）发射穿过检查区域和检测器阵列（114）的辐射，多个光子计数检测器像素（116）检测穿过检查区域的辐射并且分别生成 指示检测到的辐射的信号。 光子计数检测器像素包括具有第一辐射接收侧（202）和第二相反侧（206）的直接转换层（122），固定并覆盖第一侧的全部或大部分的阴极（118） 固定到所述第二侧的中心定位区域（208）的阳极（120），其中所述阳极包括至少两个子阳极（120,120 1，120 2，120 N），以及固定到所述第二侧的金属化部（124） 围绕阳极和阳极区域，在阳极和金属化之间具有间隙。 该系统还包括重建器（144），其重建信号以生成指示检查区域的体积图像数据。

公开(公告)号：WO2010064048A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：PCT/GB2009/051645

申请日：2009-12-03

Applicant: BAE SYSTEMS plc ,  HORSFALL, Alton, Barrett ,  SILVIE, Jonathon, Alexander

Inventor： HORSFALL, Alton, Barrett ,  SILVIE, Jonathon, Alexander

IPC: G01T1/24

CPC classification number: G01T1/241 ,  G01T3/08

Abstract: A radiation detector is disclosed. The detector comprises a detector element on which electrodes are formed. First and second electrodes are provided at a first surface of the detector element, and are arranged such that, on application of an electric field between the first and second electrodes, a first detector region is formed adjacent the first surface of the detector element. A third electrode is provided on a second surface of the detector element, and is arranged such that, on application of an electric field between the first and third electrodes, a second detection region is formed between the first and second surfaces of the detector element. The first and second detection regions are differently sized for the detection of different types of radiation. Apparatus for detecting radiation, and handheld devices comprising such apparatus, are also disclosed.

Abstract translation: 公开了一种辐射检测器。 检测器包括其上形成有电极的检测器元件。 第一和第二电极设置在检测器元件的第一表面处，并且布置成使得在第一和第二电极之间施加电场时，在检测器元件的第一表面附近形成第一检测器区域。 第三电极设置在检测器元件的第二表面上，并且被布置为使得在第一和第三电极之间施加电场时，在检测器元件的第一和第二表面之间形成第二检测区域。 第一和第二检测区域的尺寸不同以用于检测不同类型的辐射。 还公开了用于检测辐射的装置和包括这种装置的手持装置。

公开(公告)号：WO2008088481A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：PCT/US2007/024860

申请日：2007-12-05

Applicant: REDLEN TECHNOLOGIES ,  CHEN, Henry ,  BINDLEY, Glenn ,  LU, Pinghe

Inventor： CHEN, Henry ,  BINDLEY, Glenn ,  LU, Pinghe

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/16

CPC classification number: G01T1/2928 ,  G01T1/241

Abstract: A radiation detector is described having a semiconductor substrate with opposing front and rear surfaces, a cathode electrode located on the front surface of said semiconductor substrate, a plurality of anode electrodes located on the rear surface of said semiconductor substrate and a solder mask disposed above the anode electrodes. The solder mask has openings extending to the anode electrodes for placing solder in said openings.

Abstract translation: 描述了一种辐射检测器，其具有具有相对的前后表面的半导体衬底，位于所述半导体衬底的前表面上的阴极电极，位于所述半导体衬底的后表面上的多个阳极电极和设置在所述半导体衬底的上表面上的焊接掩模 阳极电极。 焊接掩模具有延伸到阳极电极的开口，用于将焊料放置在所述开口中。