公开(公告)号：WO2018170232A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：PCT/US2018/022590

申请日：2018-03-15

Applicant: SYMMETRY SENSORS, INC.

Inventor： CHOW, Vincent, Y.

IPC: G01D21/00 ,  G01D21/02 ,  H01L25/16 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/08

CPC classification number: H04N5/378 ,  G01N15/06 ,  G01N15/1404 ,  G01N15/1429 ,  G01N15/1436 ,  G01N15/1459 ,  G01N15/1475 ,  G01N2015/0693 ,  G01N2015/1479 ,  G01N2015/1486 ,  G01N2015/1497 ,  G06K9/6206 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H04N5/351

Abstract: A system and method for optical perception can include a current confining pixel (CCP) that includes a detector pair, the detector pair including a first detector and a second detector, coupled together in an inverse polarity configuration such that the current confining pixel defines a sense node and a reference node together forming a differential output across the pair of detectors. The system and method can include a plurality of CCPs arranged in a CCP array, coupled together in any suitable manner; receiving, at a current confining pixel (CCP), an input signal; generating a differential output signal based on the input signal; and, analyzing an output of a CCP.

公开(公告)号：WO2017169754A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：PCT/JP2017/010301

申请日：2017-03-15

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 城戸　英男 ,  多田　正裕 ,  豊島　隆寛 ,  舘下　八州志 ,  岩田　晃

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/35563 ,  H04N5/3591

Abstract: 本技術は、高感度画素と低感度画素を有する画素においてダイナミックレンジをより拡大することができるようにする固体撮像装置、及び電子機器に関する。 固体撮像装置は、複数の画素が２次元状に配置されている画素アレイ部を備え、画素は、第１の光電変換部と、第１の光電変換部よりも感度が低い第２の光電変換部とを有し、第２の光電変換部は、光の入射する光軸方向のサイズが、第１の光電変換部の光軸方向のサイズよりも小さいサイズとなる。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSイメージセンサに適用することができる。

Abstract translation:

该技术，能够具有高灵敏度像素和低灵敏度的像素，以及电子设备被更扩大的动态范围中的像素的固态成像装置。 该固态成像装置包括具有多个像素的像素阵列部被布置二维，像素包括第一光电转换单元，灵敏度比所述第一光电转换单元是下第二光电转换 和一个部分，所述第二光电转换单元，在入射光的光轴方向上的尺寸，尺寸比光电转换单元的第一光轴的尺寸小。 这种技术，例如，可以适用于背面照射型的CMOS图像传感器。

公开(公告)号：WO2017110482A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/JP2016/086466

申请日：2016-12-08

Applicant: SONY CORPORATION

Inventor： TSUKUDA Yasunori ,  TAKAMIYA Kenichi

IPC: H04N5/378 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643

Abstract: An imaging device comprising a pixel substrate including pixel element circuitry, a logic substrate including read circuitry configured to receive an output signal voltage from the pixel element circuitry, and electrically-conductive material arranged between the pixel substrate and the logic substrate, wherein the electrically-conductive material is configured to transfer at least one reference voltage from the logic substrate to the pixel substrate, wherein the electrically-conductive material comprises a Cu-Cu bonding portion.

Abstract translation: 一种成像装置，包括：像素基板，包括像素元件电路;逻辑基板，包括读取电路，配置为从像素元件电路接收输出信号电压;以及导电材料，设置在像素基板和 所述逻辑衬底，其中所述导电材料经配置以将至少一个参考电压从所述逻辑衬底转移到所述像素衬底，其中所述导电材料包含Cu-Cu结合部分。

公开(公告)号：WO2016181391A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/IL2016/050495

申请日：2016-05-10

Applicant: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED

Inventor： ORENSTEIN, Meir ,  BAHIR, Gad

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/20 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L31/1013 ,  H01L27/14609 ,  H01L31/035236

Abstract: An image sensor is disclosed. The image sensor comprises an array of active pixel cells on a substrate. Each active pixel cell of the present embodiments has: a light detector, monolithically integrated with the substrate; and a signal processing circuit, monolithically integrated with the substrate in a region at least partially surrounding the light detector, and being in electronic communication with the light detector. The light detector and the signal processing circuit are optionally formed of different material systems. A lattice mismatch between the light detector and the substrate is optionally at least 10%.

Abstract translation: 公开了一种图像传感器。 图像传感器包括在衬底上的有源像素单元阵列。 本实施例的每个有源像素单元具有：与衬底整体集成的光检测器; 以及信号处理电路，在至少部分地围绕光检测器的区域中与衬底单片集成，并且与光检测器电子通信。 光检测器和信号处理电路可选地由不同的材料系统形成。 光检测器和衬底之间的晶格失配可选地至少为10％。

公开(公告)号：WO2016163240A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：PCT/JP2016/059321

申请日：2016-03-24

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 佐野　拓也 ,  若野　壽史

IPC: H04N5/374 ,  H01L27/146 ,  H04N5/355 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/3595 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/355 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 　本開示は、画素特性の劣化を抑止するとともに、VSL動作範囲を確保することができるようにする固体撮像素子、および電子装置に関する。 本開示の第１の側面である固体撮像素子は、各画素にそれぞれ対応する複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部によって共有され、前記光電変換部で発生された電荷を蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に蓄積されている前記電荷の読み出しを制御するための複数のトランジスタとを含む複数の共有画素単位から成る固定撮像素子において、前記供給画素単位における前記複数のトランジスタの配置は対称性を有し、前記複数のトランジスタには、変換効率を切り替えるためのスイッチとして機能するトランジスタが含まれる。本開示は、例えば裏面照射型CMOSイメージセンサに適用できる。

Abstract translation: 本公开涉及可以抑制像素特性的劣化并且可以确保VSL的操作范围的固态成像元件和电子设备。 根据本公开的第一方面的固态成像元件包括多个共享像素单元，其包含：多个光电转换单元，每个光电转换单元对应于像素; 存储单元，由多个光电转换单元共享，并存储由光电转换单元生成的电荷; 以及用于控制存储在存储单元中的电荷的读取的多个晶体管。 共享像素单元中的多个晶体管的布置具有对称性，并且多个晶体管包括用作用于改变转换效率的开关的晶体管。 本公开可以应用于例如背照式CMOS图像传感器。

公开(公告)号：WO2016090144A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/US2015/063744

申请日：2015-12-03

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  LAJEVARDI, Pedram ,  SHAH, Nishit ,  LANG, Christoph

Inventor： LAJEVARDI, Pedram ,  SHAH, Nishit ,  LANG, Christoph

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/142 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/23245 ,  H04N5/3698 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  Y02E10/50

Abstract: A semiconductor sensor and energy collector device is configured to collect energy and simultaneously generate image data in a camera or other imaging device. The device includes an array of pixels that are divided into super pixel groups that include a predetermined number of pixels. In a first operating mode, a first set of the pixels in each super pixel operates as a photovoltaic energy collector while a second set of the pixels in each super pixel group operate as image data sensors. In a second operating mode, at least one pixel in each super pixel group that operates as a photovoltaic energy collector in the first operating mode operates as an additional image data sensor.

Abstract translation: 半导体传感器和能量收集器装置被配置为收集能量并同时在相机或其它成像装置中生成图像数据。 该装置包括被划分成包括预定数量的像素的超像素组的像素阵列。 在第一操作模式中，每个超像素中的第一组像素用作光伏能量收集器，而每个超像素组中的第二组像素用作图像数据传感器。 在第二操作模式中，在第一操作模式中作为光伏能量收集器工作的每个超像素组中的至少一个像素作为附加图像数据传感器工作。

公开(公告)号：WO2016083664A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/FI2015/050802

申请日：2015-11-19

Applicant: NOKIA TECHNOLOGIES OY

Inventor： VAARA, Markku ,  GRÖNHOLM, Kim

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/369 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/37455 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14625 ,  H04N5/353 ,  H04N5/3572 ,  H04N5/3696 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

Abstract: The invention relates to a structure of a semiconductor chip (100) comprising photosensitive elements (104) for image capturing. The semiconductor chip (100) comprises a set of photosensitive elements (104) for forming electric signals on the basis of electromagnetic radiation received by the photosensitive elements (104); and other electronic circuitry. A surface of the semiconductor chip comprises a first region (102) and a second region (110); and the set of photosensitive elements (104) is located in the first region (102) and the other electronic circuitry is located in the second region (110). The invention also relates to methods, apparatuses, and computer program products.

Abstract translation: 本发明涉及包括用于图像捕获的光敏元件（104）的半导体芯片（100）的结构。 半导体芯片（100）包括用于基于由感光元件（104）接收的电磁辐射形成电信号的一组光敏元件（104）。 和其他电子电路。 半导体芯片的表面包括第一区域（102）和第二区域（110）; 并且所述一组感光元件（104）位于所述第一区域（102）中，并且所述另一电子电路位于所述第二区域（110）中。 本发明还涉及方法，装置和计算机程序产品。

公开(公告)号：WO2015129197A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/JP2015/000720

申请日：2015-02-17

Applicant: SONY CORPORATION

Inventor： UENO, Yosuke ,  IKEDA, Yusuke ,  MATSUMOTO, Shizunori ,  HARUTA, Tsutomu ,  YOSHIKAWA, Rei

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/357 ,  H04N5/3698 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

Abstract: An imaging element comprises a photoelectric conversion unit formed in a pixel region and configured to convert light into electrical charge. Further, the imaging element includes a transistor formed in the pixel region and configured to transfer electric charge from the photoelectric conversion unit. The photoelectric conversion unit of the imaging element may be connected to a well of the pixel region, where the well of the pixel region has a negative potential.

Abstract translation: 成像元件包括形成在像素区域中并被配置为将光转换成电荷的光电转换单元。 此外，成像元件包括形成在像素区域中并被配置为从光电转换单元传送电荷的晶体管。 成像元件的光电转换单元可以连接到像素区域的阱，其中像素区域的阱具有负电位。

公开(公告)号：WO2015079250A1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：PCT/GB2014/053536

申请日：2014-11-28

Applicant: THE SCIENCE AND TECHNOLOGY FACILITIES COUNCIL

Inventor： FRENCH, Marcus Julian ,  VEALE, Matthew Charles

IPC: H04N5/3745 ,  H04N5/369 ,  H01L27/146 ,  H04N5/32 ,  H04N5/372

CPC classification number: H04N5/32 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14806 ,  H04N3/155 ,  H04N5/369 ,  H04N5/37213 ,  H04N5/374 ,  H04N5/37452

Abstract: A hybrid pixel sensor array is provided. Each pixel of the array comprises: a sensor for generating an imaging signal; a Charged-Coupled Device (CCD) array, coupled to the sensor so as to receive samples from the imaging signal and configured for storage of a plurality of samples; and active CMOS circuitry, coupled to the CCD array for generating a pixel output signal from the stored samples. The sensors of the pixels are part of a sensor portion of the hybrid pixel sensor array that is separate from both the CCD array and active CMOS circuitry of the pixels.

Abstract translation: 提供了一种混合像素传感器阵列。 阵列的每个像素包括：用于产生成像信号的传感器; 耦合到所述传感器的电荷耦合器件（CCD）阵列，以便从所述成像信号接收采样并被配置为存储多个采样; 和有源CMOS电路，耦合到CCD阵列，用于从存储的样本产生像素输出信号。 像素的传感器是与像素的CCD阵列和有源CMOS电路分离的混合像素传感器阵列的传感器部分的一部分。

公开(公告)号：WO2015048304A2

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/US2014/057481

申请日：2014-09-25

Applicant: PRINCETON INFRARED TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： ETTENBERG, Martin, H.

IPC: G01N21/359

CPC classification number: H01L27/14679 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14652 ,  H01L27/14694 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844

Abstract: A photodiode pixel structure for imaging short wave infrared (SWIR) and visible light built in a planar structure and may be used for one dimensional and two dimensional photodiode arrays. The photodiode arrays may be hybridized to a read out integrated circuit (ROIC), for example, a silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) circuit. The photodiode in each pixel is buried under the surface and does not directly contact the ROIC amplification circuit. Charge is transferred form the detector using a junction field effect transistor (JFET) in each pixel. Disconnecting the photodiode from the ROIC amplification circuit enables low dark current as well as double correlated sampling in the pixel.

Abstract translation: 用于成像短波红外（SWIR）和可见光的光电二极管像素结构，其构建在平面结构中，并且可用于一维和二维光电二极管阵列。 光电二极管阵列可以与读出集成电路（ROIC）杂交，例如，硅互补金属氧化物半导体（CMOS）电路。 每个像素中的光电二极管埋在表面下，不直接接触ROIC放大电路。 在每个像素中使用结场效应晶体管（JFET）从检测器传送电荷。 将光电二极管与ROIC放大电路断开，可以实现低暗电流以及像素双重相关采样。