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公开(公告)号：WO2019120052A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：PCT/CN2018/117868
申请日：2018-11-28
Applicant: 北京外号信息技术有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/345 , G06K9/20 , H04B10/116
CPC classification number: G06K9/20 , H04B10/116 , H04N5/232 , H04N5/235 , H04N5/345 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 一种用于对光源传递的信息进行解码的方法，所述光源被配置为能够工作于至少两种模式，其中，在不同的模式下，当通过滚动快门成像器件对该光源拍摄时所获得的该光源的图像上呈现出不同的预定外观，以表示不同的数据，所述方法包括：通过滚动快门成像器件对所述光源进行连续拍摄；获取所述光源的若干帧连续图像；针对所述光源的每一帧图像，分别提取出该图像的起始部分和结束部分；对提取出的所述起始部分和结束部分进行分析，以确定每个起始部分和结束部分表示的数据；以及对每一帧图像的结束部分表示的数据和紧随其后的下一帧图像的起始部分表示的数据执行数据去除操作，以确定出所述光源传递的数据序列。
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公开(公告)号：WO2019059562A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/KR2018/010284
申请日：2018-09-04
Applicant: 삼성전자 주식회사
Inventor： 우수이타카후미
Abstract: 본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는 제1 이미지 센서의 화소 배열의 적어도 하나의 행 단위로 순차적으로 노출 및 리드아웃을 수행하는 제1 카메라, 제2 이미지 센서의 화소 배열의 적어도 하나의 행 단위로 순차적으로 노출 및 리드아웃을 수행하는 제2 카메라 및 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 제1 노출 구간 및 제1 리드아웃 속도에 기초하여, 상기 제1 이미지 센서로 제1 이미지를 획득하고, 상기 제1 노출 구간의 적어도 일부를 포함하는 제2 노출 구간 및 상기 제2 리드아웃 속도에 기초하여, 상기 제2 이미지 센서로 복수의 제2 이미지를 획득하여 제3 이미지를 생성하도록 설정되고, 상기 제3 이미지 중 상기 제1 이미지에 대응되는 영역은, 상기 제1 이미지의 제1 노출 구간과 근사한 노출 구간을 가질 수 있다. 이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.
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公开(公告)号：WO2018234925A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：PCT/IB2018/054220
申请日：2018-06-12
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Abstract: 優れた画像品位の画像を取得する撮像システムなどを提供する。 撮像部にマトリクス状に配置された複数の画素ユニットを設ける。１つの画素ユニットは複数のサブ 画素ユニットを有し、１つのサブ画素ユニットは、偏光素子と画素を有する。サブ画素ユニットは、 特定の偏光角の光を電気信号に変換する機能を有する。１つの画素ユニットに含まれる複数のサブ画 素ユニットは、 それぞれが異なる偏光角の光を電気信号に変換する。 演算部において、 画素ユニット 毎に最も暗い光を変換した電気信号を抽出し、画像データを生成する。
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公开(公告)号：WO2018211985A1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：PCT/JP2018/017488
申请日：2018-05-02
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 近藤 弘康
Abstract: 本開示は、固定列のカラムAD回路で発生するノイズに起因する縦筋ノイズによる影響を低減することができるようにする撮像素子、および撮像素子の制御方法、撮像装置、並びに電子機器に関する。 垂直転送線と、AD変換器との接続を、行単位で画素信号が出力される度に、列単位で切り替えて接続し、前記接続が切り替えられた状態で、AD変換器によりAD変換された画素信号を、前記接続が切り替えられる前の画素信号に復元して読み出す。本開示は、撮像装置に適応することができる。
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公开(公告)号：WO2018179646A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：PCT/JP2017/046665
申请日：2017-12-26
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 原田 耕一
IPC: G01J1/02 , G01J1/42 , G01J1/44 , H01L27/144 , H01L27/146 , H04N5/33 , H04N5/374
CPC classification number: G01J1/02 , G01J1/42 , G01J1/44 , H01L27/144 , H01L27/146 , H04N5/33 , H04N5/374
Abstract: 行列状に配置される複数の画素を備え、各行は、流れる電流が温度依存性を有し、第１の極性を有する第１のトランジスタを含み、遮光されない第１の画素と、第１のトランジスタを含み、遮光される、１つの第２の画素とを含み、行単位で、第１の画素の電流と第２の画素の電流との差分電流を出力する、遠赤外線撮像装置が、提供される。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2018142970A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：PCT/JP2018/001587
申请日：2018-01-19
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L27/146 , H01L29/78 , H04N5/374
CPC classification number: H01L21/265 , H01L27/146 , H01L29/78 , H04N5/374
Abstract: 本技術は、ノイズを低減させることができるようにするトランジスタ、製造方法に関する。 半導体基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極から延在するように半導体基板表面に形成されたソース領域と、ソース領域と対向する位置に、ゲート電極に接触する部分がないように半導体基板表面に形成されたドレイン領域とを備える。ソース領域とドレイン領域は、非対称である。ドレイン領域は、ソース領域よりも深い位置に形成されている。ゲート電極のゲート端において、ドレイン領域は、半導体基板の表面から離れた位置に形成されている。本技術は、例えば、増幅トランジスタに適用できる。
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公开(公告)号：WO2018135261A1
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：PCT/JP2017/046872
申请日：2017-12-27
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 神戸 照美
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: ２つのイメージセンサを接合した素子において、同一の明るさの画像データの撮像を容易にする。 固体撮像素子は、第１センサチップおよび第２センサチップを具備する。第１センサチップにおいて、第１表面に配線が形成され、その第１表面に対する第１裏面に第１光電変換素子が形成される。また、第２センサチップにおいて、第１表面に接合された第２表面に配線が形成され、その第１表面に対する第２裏面に第２光電変換素子が形成される。
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公开(公告)号：WO2018124056A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/JP2017/046600
申请日：2017-12-26
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
Inventor： 末廣 直人
Abstract: 撮像装置（１００）は、非破壊読み出しが可能な撮像素子（１０１）と、光を撮像素子（１０１）に集光する撮像系（１０６）と、撮像系（１０６）の光を遮光する遮光部（１０７）と、撮像素子（１０１）で得られた本画像（１２１）から補正用画像（１４１）を差し引くことで補正後画像（１４２）を生成する補正部（１０５）とを備え、補正部（１０５）は、遮光状態の１回の露光により撮像素子（１０１）で得られ、それぞれ露光時間が異なる複数の遮光画像（１３１）を非破壊読み出しを用いて取得し、複数の遮光画像（１３１）の少なくとも一つを用いて補正用画像（１４１）を生成する。
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公开(公告)号：WO2018043140A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：PCT/JP2017/029494
申请日：2017-08-17
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N9/07
CPC classification number: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N9/07
Abstract: 本技術は、有機光電変換膜を用いたCISのチップサイズを小型化することができるようにする固体撮像素子、および電子装置に関する。 本技術の第１の側面である固体撮像素子は、積層されている第１および第２基板と、前記第１基板の上に形成されている第１有機光電変換膜とを備え、前記第２基板には、Latch回路が形成されていることを特徴とする。本技術は、例えば、裏面照射型のCISに適用できる。
Abstract translation:
此技术中，固态成像设备，其允许以降低CIS芯片尺寸的使用有机光电转换膜的大小，以及电子设备。 的固态成像装置是本技术的第一实施例包括第一和第二基板被层叠，并且其在第一基板上形成的第一有机光电转换层，所述第二 特征的特征在于在衬底上形成锁存电路。 本技术可以应用于例如背照式CIS。
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公开(公告)号：WO2018034027A1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：PCT/JP2017/017665
申请日：2017-05-10
Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventor： 瀬山 茂
Abstract: 画像データを撮像する撮像装置において、搭載しているＡ／Ｄ変換器のビット解像度を超える階調表現力（すなわち、ダイナミックレンジ）の画像情報を取得する。 固体撮像素子は、画素アレイ部と、統計処理部とを具備する。この固体撮像素子において画素アレイ部には、それぞれが画素信号を生成する複数の画素が二次元格子状に配列される。また、この固体撮像素子において、統計処理部は、画素アレイ部内の複数の画素それぞれの画素信号のばらつきの度合いを示す統計量を複数の画素それぞれの信号値として取得する。
Abstract translation: 用于成像
图像数据的成像装置，并且获取灰度表示功率超过位分辨率A / d转换器的所述图像信息被安装（即，动态范围）。 固态成像装置包括像素阵列单元和统计处理单元。 在该固态成像装置中，在像素阵列部分中以二维点阵图案排列各自产生像素信号的多个像素。 此外，在固态成像装置中，统计处理单元获得表示所述多个像素的像素阵列部作为每个所述多个像素的信号值的每个像素的信号的分散的程度的统计数据。
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