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    拡散処理装置およびそれを用いたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法
    2.
    发明申请
    拡散処理装置およびそれを用いたＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法 审中-公开
    用于制造R-T-B系统烧结磁体的扩散处理装置和方法

    公开(公告)号：WO2017033861A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：PCT/JP2016/074242

    申请日：2016-08-19

    Applicant: 日立金属株式会社

    Inventor： 國吉　太

    IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  C22C28/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08

    CPC classification number: B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  C22C28/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02

    Abstract: 拡散処理装置は、焼結磁石片およびＲＨ拡散源を受容する処理空間（２４）を有する円筒状の本体（１２）と、円筒状の本体の両端の第１および第２開口をそれぞれ気密シールする第１および第２蓋とを有する処理容器（１０）と、直交座標系ｘｙｚにおいて処理容器の長手方向をｙ軸方向に配置した状態で、処理容器をｘ軸方向に予め決められた距離だけ搬送する搬送装置（３０）と、処理容器（１０）の下側に配置される下側加熱部（５０ａ）と処理容器の上側に配置される上側加熱部（５０ｂ）とを有し、下側加熱部および上側加熱部は、それぞれｚ軸方向に可動で、処理容器の少なくとも中央部分を包囲するように配置され得る、加熱装置（５０）と、処理容器の長手方向をｙ軸方向に配置し、下側加熱部および上側加熱部によって包囲された状態で、処理容器をｙ軸を中心に回転させる第１回転装置（４０）とを有する。

    Abstract translation: 扩散处理装置包括：圆筒体（12），包括用于容纳烧结磁体片和RH扩散源的处理空间（24） 处理容器（10），其包括用于分别气密地密封所述圆柱体两端的第一和第二开口的第一和第二盖; 输送装置（30），其处理容器的纵向在正交坐标系xyz中沿y轴方向配置，将处理容器沿x轴方向输送预定距离; 加热装置（50），其包括设置在处理容器（10）下方的下加热单元（50a）和设置在处理容器上的上加热单元（50b），其中下加热单元和上加热单元各自可移动 在z轴方向上，并且可以设置成包围至少处理容器的中心部分; 以及第一旋转装置（40），其处理容器的纵向方向设置在y轴方向上，并且处理容器被下加热单元和上加热单元包围，围绕y旋转处理容器 -轴。

    Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法
    7.
    发明申请
    Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法 审中-公开
    用于生产基于R-T-B的烧结磁体的方法

    公开(公告)号：WO2016043039A1

    公开(公告)日：2016-03-24

    申请号：PCT/JP2015/074777

    申请日：2015-08-31

    Applicant: 日立金属株式会社

    Inventor： 佐藤　鉄兵 ,  國吉　太 ,  石井　倫太郎 ,  山方　亮一

    IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  C21D6/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08

    CPC classification number: H01F1/08 ,  B22F3/24 ,  B22F2999/00 ,  C21D6/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  C22C38/06 ,  C22C38/16 ,  H01F1/0577 ,  H01F41/02 ,  C22C2202/02

    Abstract: 　１）成形体を焼結し、２７．５質量％以上、３４．０質量％以下のＲと、０．８５質量％以上、０．９３質量％以下のＢと、０．２０質量％以上、０．７０質量％以下のＧａと、０．２質量％より多く、０．５０質量％以下のＣｕと、０．０５質量％以上、０．５質量％以下のＡｌと、０質量％以上、０．１質量％以下のＭと、を含有し、残部がＴおよび不可避不純物であり、式（１）および（２）を満足するＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を準備する工程と、　２）Ｒ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を７３０℃以上１０２０℃以下の温度に加熱後、５℃／分以上で３００℃まで冷却する高温熱処理工程と　３）高温熱処理工程後のＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石素材を４４０℃以上５５０℃以下の温度に加熱する低温熱処理工程と、を含むＲ－Ｔ－Ｂ系焼結磁石の製造方法である。　［Ｔ］－７２．３［Ｂ］＞０　（１）　（［Ｔ］－７２．３［Ｂ］）／５５．８５＜１３［Ｇａ］／６９．７２　（２）　（なお、［Ｔ］は質量％で示すＴの含有量であり、［Ｂ］は質量％で示すＢの含有量であり、［Ｇａ］は質量％で示すＧａの含有量である）

    Abstract translation: 本发明提供一种RTB系烧结磁铁的制造方法，其特征在于，具备以下步骤：1）通过烧结成形体而制造RTB系烧结磁铁原料的工序，含有27.5〜34.0质量％的R，0.85 B：-0.93质量％，Ga：0.20-0.70质量％，Cu：0.2质量％〜0.50质量％，Al：0.05〜0.5质量％，M：0〜0.1质量％，余量： T和不可避免的杂质，并满足式（1）和（2）; 2）高温热处理步骤，用于在730-1020℃的温度下加热R-T-B系烧结磁体原料，然后以5℃/分钟以上的冷却速度冷却至300℃; 和3）在高温热处理步骤之后的低温热处理步骤，用于在440-550℃的温度下加热R-T-B系烧结磁体原料。 式（1）：[T] -72.3 [B]> 0式（2）：（[T] -72.3 [B]）/ 55.85 <13 [Ga] /69.72（这里，[T] 以质量％表示，[B]表示以质量％表示的B的含量，[Ga]表示以质量％计的Ga含量。

    非磁性スラリー組成物及び希土類磁石の製造方法
    8.
    发明申请
    非磁性スラリー組成物及び希土類磁石の製造方法 审中-公开
    非磁性浆料组合物和生产稀土磁铁的方法

    公开(公告)号：WO2015156074A1

    公开(公告)日：2015-10-15

    申请号：PCT/JP2015/057029

    申请日：2015-03-10

    Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  関西ペイント株式会社

    Inventor： 駒林　健太郎 ,  垣花　大 ,  庄司　哲也 ,  芳賀　一昭 ,  佐久間　大祐 ,  永井　彰典 ,  遠藤　浩司 ,  吉田　健太 ,  赤羽　準治

    IPC: H01F1/08 ,  B22F3/24 ,  B22F9/00 ,  C22C28/00 ,  H01F1/057 ,  H01F41/02

    CPC classification number: B22F3/24 ,  B22F9/00 ,  C22C28/00 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02

    Abstract: 　本発明は、塗工性能に優れかつネオジム磁石に熱減磁を抑える保持力を付与することができる、改質剤を提供すること。本発明は、Ｎｄ 2 Ｆｅ 14 Ｂ相を含んでなる磁性体に塗布する非磁性スラリー組成物であって、２５℃での該非磁性スラリー組成物の粘度が、せん断速度０．１ｓ -1 で５００～５０００Ｐａ・s、かつ、せん断速度１００ｓ -1 で１０～３００Ｐａ・sであり、該非磁性スラリー組成物が、希土類／Ｃｕ合金の金属粒子（Ａ）及びバインダー（Ｂ）を含有し、該金属粒子（Ａ）の酸素濃度が、３０００ｐｐｍ未満である非磁性スラリー組成物を提供する。

    Abstract translation: 本发明提供一种改性剂，其具有优异的涂布加工性，并能够提供具有抑制热退磁的保持力的钕磁体。 本发明提供一种应用于含有Nd 2 Fe 14 B相的磁体的非磁性浆料组合物。 这种非磁性浆料组合物在100s -1的剪切速率下，在剪切速率为0.1s-1时，在25℃下的粘度为500-5,000Pa·s，25℃下的粘度为10-300Pa·s 。 该非磁性浆料组合物含有（A）稀土/ Cu合金的金属颗粒和（B）粘合剂。 金属粒子（A）的氧浓度小于3000ppm。

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