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    MID-INFRARED DETECTOR USING A HEAVILY DOPED BACKPLANE TO THE DETECTOR STRUCTURE
    1.
    发明申请
    MID-INFRARED DETECTOR USING A HEAVILY DOPED BACKPLANE TO THE DETECTOR STRUCTURE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019040486A1

    公开(公告)日：2019-02-28

    申请号：PCT/US2018/047318

    申请日：2018-08-21

    申请人： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM

    发明人： WASSERMAN, Daniel

    IPC分类号： G02B6/00

    CPC分类号： H01L31/184 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/101

    摘要： A mid-infrared detector that uses a heavily doped material (e.g., indium arsenide) as a backplane to the detector structure to improve detector performance and fabrication cost. The infrared detector includes a substrate and a backplane of heavily doped material consisting of two or more of the following materials: indium, gallium, arsenic and antimony. The backplane resides directly on the substrate. The infrared detector further includes a photodetector (e.g., type-I or type-II strained layer superlattice (SLS) nBn photodetector, type-I or type-II SLS pn junction photodetector, a quantum-dot infrared photodetector, a quantum well infrared photodetector, a homogeneous material pn junction photodetector) residing directly on the backplane. Additionally, the infrared detector may include a metal structure residing directly on the photodetector. In this manner, the absorption of electromagnetic energy in the photodetector is enhanced.

    PHOTODIODE PLACEMENT FOR CROSS TALK SUPPRESSION
    2.
    发明申请
    PHOTODIODE PLACEMENT FOR CROSS TALK SUPPRESSION 审中-公开
    用于交叉抑制的光电放置

    公开(公告)号：WO2016167753A1

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：PCT/US2015/025823

    申请日：2015-04-14

    申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY

    发明人： GRZESIK, Michael J.

    IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0232

    CPC分类号： H01L31/0232 ,  G01T1/248 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/107 ,  Y02E10/544

    摘要： There is provided a photodiode array. The photodiode array includes a substrate that has an optical interface surface arranged, for accepting external input radiation into the substrate. A plurality of photodiodes are disposed at a substrate surface opposite the optical interface surface of the substrate. Each photodiode in the plurality of photodiodes includes a photodiode material that generates light into the substrate as a result of external input radiation absorption by the photodiode. There is aperiodic photodiode placement along at least one direction of the array.

    摘要翻译： 提供了一个光电二极管阵列。 光电二极管阵列包括具有布置用于接受外部输入辐射到基板中的光学界面的基板。 多个光电二极管设置在与衬底的光学界面表面相对的衬底表面处。 多个光电二极管中的每个光电二极管包括由于光电二极管的外部输入辐射吸收而将光发射到衬底中的光电二极管材料。 沿着阵列的至少一个方向存在非周期光电二极管放置。

    固体撮像装置、及び、電子機器
    4.
    发明申请
    固体撮像装置、及び、電子機器 审中-公开
    固态图像拾取装置和电子装置

    公开(公告)号：WO2016056396A1

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：PCT/JP2015/077010

    申请日：2015-09-25

    申请人： ソニー株式会社

    发明人： 杉崎　太郎 ,  広田　功

    IPC分类号： H01L27/14 ,  G02B5/20 ,  H01L27/00 ,  H01L27/144 ,  H04N5/369

    CPC分类号： H01L25/0657 ,  G02B5/20 ,  H01L27/00 ,  H01L27/14 ,  H01L27/144 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L31/028 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/0328 ,  H04N5/3696 ,  H04N5/374

    摘要： 　本技術は、通常画像と狭帯域画像等とを、同時に取得することができるようにする固体撮像装置、及び、電子機器に関する。 固体撮像装置は、2層以上に積層された複数の基板を備え、その複数の基板のうちの2個以上の基板は、光電変換を行う画素を有する基板になっている。画素を有する基板の少なくとも1個の基板は、可視光を受光する可視光センサになっており、画素を有する基板の少なくとも他の1個の基板は、狭帯域の波長帯の光を透過する光学フィルタである狭帯域フィルタを有し、狭帯域の光である狭帯域光を受光する狭帯域光センサになっている。

    摘要翻译： 本发明的技术涉及能够同时获取正常图像和窄带图像等的固态图像拾取装置和电子装置。 固态图像拾取装置设置有至少层叠的多个基板。 从多个基板中，至少两个基板是具有进行光电转换的像素的基板。 具有像素的衬底的至少一个衬底是接收可见光的可见光传感器。 具有像素的衬底的至少一个其它衬底是具有窄带滤光器的窄带光学传感器，窄带滤光器是通过窄带波长范围的光并且接收窄带光的窄带光的滤光器。

    COMPOUND-SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC CELL AND MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND-SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC CELL
    5.
    发明申请
    COMPOUND-SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC CELL AND MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND-SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC CELL 审中-公开
    化合物 - 半导体光电池和复合半导体光伏电池的制造方法

    公开(公告)号：WO2016006247A1

    公开(公告)日：2016-01-14

    申请号：PCT/JP2015/003451

    申请日：2015-07-08

    申请人： RICOH COMPANY, LTD. ,  SATO, Shunichi

    发明人： SATO, Shunichi

    IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0693

    CPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    摘要： A compound-semiconductor photovoltaic cell includes a first photoelectric conversion cell made of a first compound-semiconductor material which lattice matches with GaAs or Ge; a first tunnel junction layer arranged on a deep side farther than the first photoelectric conversion cell in a light incident direction, and including a first p-type (Al x1 Ga 1-x1 ) y1 In 1-y1 As (0≦x1 x2 Ga 1-x2 ) y2 In 1-y2 P (0≦x2 x2 Ga 1-x2 ) y2 In 1-y2 P layer is greater than a lattice constant of the first photoelectric conversion cell.

    摘要翻译： 化合物半导体光伏电池包括与GaAs或Ge晶格匹配的第一化合物半导体材料制成的第一光电转换单元; 第一隧道结层，沿着光入射方向布置在比第一光电转换单元更远的深侧，并且包括第一p型（Al x Ga 1-x 1）y 1 In 1-y 1 As（0≤x1 <1,0

    INTEGRATION OF EPITAXIAL LIFT-OFF SOLAR CELLS WITH MINI-PARABOLIC CONCENTRATOR ARRAYS VIA PRINTING METHOD
    6.
    发明申请
    INTEGRATION OF EPITAXIAL LIFT-OFF SOLAR CELLS WITH MINI-PARABOLIC CONCENTRATOR ARRAYS VIA PRINTING METHOD 审中-公开
    通过印刷方法将外延起飞的太阳能电池与微型聚光器阵列集成

    公开(公告)号：WO2015156874A3

    公开(公告)日：2015-12-17

    申请号：PCT/US2015011601

    申请日：2015-01-15

    申请人： UNIVERITY OF MICHIGAN

    发明人： FORREST STEPHEN R ,  LEE KYUSANG ,  FAN DEJIU ,  ZIMMERMAN JERAMY

    IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/1896 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    摘要： There is disclosed a method of preparing a photovoltaic device. In particular, the method comprises integrating epitaxial lift-off solar cells with mini-parabolic concentrator arrays via a printing method. Thus, there is disclosed a method comprising providing a growth substrate; depositing at least one protection layer on the growth substrate; depositing at least one sacrificial layer on the protection layer; depositing at least one photoactive cell on the sacrificial layer; etching a pattern of at least two parallel trenches that extend from the at least one photoactive cell to the sacrificial layer; depositing a metal on the at least one photoactive cell; bonding said metal to a host substrate; and removing the sacrificial layer with one or more etch steps. The host substrate can be a siloxane, which when rolled, can form a stamp used to integrate solar cells into concentrator arrays. There are also disclosed a method of making a growth substrate and the growth substrate made therefrom.

    摘要翻译： 公开了一种制备光伏器件的方法。 特别地，该方法包括通过印刷方法将外延剥离太阳能电池与微型抛物面聚光器阵列集成。 因此，公开了一种包括提供生长衬底的方法; 在生长衬底上沉积至少一个保护层; 在保护层上沉积至少一个牺牲层; 在所述牺牲层上沉积至少一个光活性单元; 蚀刻从至少一个光活性单元延伸到牺牲层的至少两个平行沟槽的图案; 在所述至少一个光活性电池上沉积金属; 将所述金属键合到主体衬底; 以及用一个或多个蚀刻步骤去除牺牲层。 主体衬底可以是硅氧烷，其在卷绕时可以形成用于将太阳能电池集成到聚光器阵列中的印模。 还公开了一种制备生长衬底和由其制成的生长衬底的方法。

    POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
    7.
    发明申请
    POWER SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    功率半导体器件

    公开(公告)号：WO2015183544A1

    公开(公告)日：2015-12-03

    申请号：PCT/US2015/030351

    申请日：2015-05-12

    申请人： OPEL SOLAR, INC. ,  UNIVERSITY OF CONNECTICUT TECHNOLOGY PARTNERSHIPS & LICENSING

    发明人： TAYLOR, Geoff, W.

    IPC分类号： H01L29/745 ,  H01L29/749 ,  H01L29/15 ,  G02B6/293

    CPC分类号： H01L31/1136 ,  G02B6/00 ,  G02B6/12 ,  G02B6/29338 ,  G02B6/3596 ,  G02B6/4295 ,  G02B6/43 ,  G02B2006/12145 ,  H01L27/1443 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/122 ,  H01L29/7392 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7424 ,  H01L29/745 ,  H01L29/749 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035209

    摘要： A semiconductor device suitable for power applications includes a thyristor epitaxial layer structure defining an anode region offset vertically from a cathode region with a plurality of intermediate regions therebetween. An anode electrode is electrically coupled to the anode region. A cathode electrode is electrically coupled to the cathode region. A switchable current path that extends vertically between the anode region and the cathode region has a conducting state and a non-conducting state. An epitaxial resistive region is electrically coupled to and extends laterally from one of the plurality of intermediate regions. An FET is provided having a channel that is electrically coupled to the epitaxial resistive region. The FET can be configured to inject (or remove) electrical carriers into (or from) the one intermediate region via the epitaxial resistive region in order to switch the switchable current path between its non-conducting state and its conducting state.

    摘要翻译： 适用于功率应用的半导体器件包括限定从阴极区垂直偏移的阳极区的晶闸管外延层结构，其间具有多个中间区。 阳极电极电耦合到阳极区域。 阴极电连接到阴极区。 在阳极区域和阴极区域之间垂直延伸的可切换电流路径具有导通状态和非导通状态。 外延电阻区域电耦合到多个中间区域中的一个并且从其横向延伸。 提供具有电耦合到外延电阻区的沟道的FET。 FET可以被配置为通过外延电阻区域将（或从）一个中间区域注入（或去除）电载体，以便在其导通状态和其导通状态之间切换可切换电流路径。