公开(公告)号：WO2016054527A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/US2015/053756

申请日：2015-10-02

Applicant: CORNELL UNIVERSITY

Inventor： ROBINSON, Richard, D. ,  HANRATH, Tobias ,  WILLIAMSON, Curtis ,  NEVERS, Douglas

IPC: C01G21/21 ,  C01G3/12 ,  C01G11/02

CPC classification number: C01G3/12 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/007 ,  C01G11/02 ,  C01G21/21 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/22 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95

Abstract: A methodology for synthesizing a nanoparticle batch, such as but not limited to a metal chalcogenide nanoparticle batch and further such as but not limited to a metal sulfide nanoparticle batch is predicated upon an expectation and observation that at elevated concentrations of at least one reactant material within a heat-up nanoparticle batch synthesis method, the resulting nucleated batch comprises nanoparticles that may be dimensionally focused to provide a substantially monodisperse nanoparticle batch. The embodied methodology is also applicable to a continuous reactor. The embodied methodology also considers viscosity as a dimensionally focusing result effective variable.

Abstract translation: 合成纳米颗粒批料的方法，例如但不限于金属硫族化物纳米颗粒批料，并且进一步例如但不限于金属硫化物纳米颗粒批次，是基于期望和观察，在高浓度的至少一种反应物材料内 加热纳米颗粒批量合成方法，所得到的成核批料包含可以尺寸聚焦以提供基本上单分散的纳米颗粒批料的纳米颗粒。 具体的方法也适用于连续反应器。 具体的方法也将粘度视为尺寸聚焦结果的有效变量。

公开(公告)号：WO2014007867A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：PCT/US2013/032460

申请日：2013-03-15

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

Inventor： YANG, Yang ,  ZHU, Rui ,  CHEN, Chun Chao ,  DOU, Letian ,  LI, Gang

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L31/18 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0064 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/4226 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/5369 ,  Y02E10/549 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/932

Abstract: An electro-optic device includes a first electrode, an active layer formed over and electrically connected with the first electrode, a buffer layer formed over and electrically connected with the active layer, and a second electrode formed directly on the buffer layer. The second electrode includes a plurality of nanowires interconnected into a network of nanowires. The buffer layer provides a physical barrier between the active layer and the plurality of nanowires to prevent damage to the active layer while the second electrode is formed.

Abstract translation: 电光装置包括第一电极，形成在第一电极上并与第一电极电连接的有源层，形成在有源层上并与之有电连接的缓冲层，以及直接形成在缓冲层上的第二电极。 第二电极包括互连到纳米线网络中的多个纳米线。 缓冲层在有源层和多个纳米线之间提供物理屏障，以防止在形成第二电极时损坏有源层。

公开(公告)号：WO2010062644A2

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/US2009/062356

申请日：2009-10-28

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA ,  WANG, Deli ,  SOCI, Cesare ,  BAO, Xinyu ,  WEI, Wei ,  JING, Yi ,  SUN, Ke

Inventor： WANG, Deli ,  SOCI, Cesare ,  BAO, Xinyu ,  WEI, Wei ,  JING, Yi ,  SUN, Ke

IPC: H01L21/20 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L21/0262 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02636 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7784 ,  H01L29/88 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/074 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  Y02E10/50 ,  Y10S438/938 ,  Y10S438/967 ,  Y10S438/974 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/763 ,  Y10S977/764 ,  Y10S977/765 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/819 ,  Y10S977/825

Abstract: Embodiments of the invention provide a method for direct heteroepitaxial growth of vertical III-V semiconductor nanowires on a silicon substrate. The silicon substrate is etched to substantially completely remove native oxide. It is promptly placed in a reaction chamber. The substrate is heated and maintained at a growth temperature. Group III-V precursors are flowed for a growth time. Preferred embodiment vertical Group III-V nanowires on silicon have a core-shell structure, which provides a radial homojunction or heterojunction. A doped nanowire core is surrounded by a shell with complementary doping. Such can provide high optical absorption due to the long optical path in the axial direction of the vertical nanowires, while reducing considerably the distance over which carriers must diffuse before being collected in the radial direction. Alloy composition can also be varied. Radial and axial homojunctions and heterojunctions can be realized. Embodiments provide for flexible Group III-V nanowire structures. An array of Group III-V nanowire structures is embedded in polymer. A fabrication method forms the vertical nanowires on a substrate, e.g., a silicon substrate. Preferably, the nanowires are formed by the preferred methods for fabrication of Group III-V nanowires on silicon. Devices can be formed with core/shell and core/multi-shell nanowires and the devices are released from the substrate upon which the nanowires were formed to create a flexible structure that includes an array of vertical nanowires embedded in polymer.

Abstract translation: 本发明的实施例提供了一种用于在硅衬底上直接异质外延生长垂直III-V半导体纳米线的方法。 蚀刻硅衬底以基本上完​​全去除自然氧化物。 它被迅速放入反应室。 衬底被加热并保持在生长温度。 III-V族前体流动一段时间。 硅上的优选实施例垂直III-V族纳米线具有提供径向同质结或异质结的核 - 壳结构。 掺杂的纳米线核心被具有互补掺杂的壳体包围。 由于垂直纳米线的轴向方向上的长光路，这可以提供高光吸收，同时显着减小载流子在沿径向方向收集之前必须扩散的距离。 合金成分也可以变化。 可以实现径向和轴向同质结和异质结。 实施例提供柔性的III-V族纳米线结构。 一组III-V纳米线结构嵌入聚合物中。 制造方法在衬底（例如硅衬底）上形成垂直纳米线。 优选地，纳米线由用于在硅上制造III-V族纳米线的优选方法形成。 器件可以由核/壳和核/多壳纳米线形成，并且器件从其上形成纳米线的衬底释放，以创建包括嵌入聚合物中的垂直纳米线阵列的柔性结构。

公开(公告)号：WO2016164791A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：PCT/US2016/026743

申请日：2016-04-08

Applicant: STC.UNM ,  SANDIA CORPORATION

Inventor： KEMP, Richard Alan ,  DICKIE, Diane ,  HERNANDEZ-SANCHEZ, Bernadette A. ,  LAMBERT, Timothy N.

IPC: C01B25/08 ,  C01G19/00 ,  C07F7/22 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B25/08 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C07F9/5045 ,  C22C1/00 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/81 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/896

Abstract: The present invention provides a novel solution or route for metal phosphide (MP x ) nanomaterials from the thermal decomposition of metal bis[bis(diisopropylphosphino)amide], M[N(PPri 2 ) 2 ] 2 , and/or single-source precursors. Synthetic routes to MP x nanomaterials may be used in energy applications including batteries, semiconductors, magnets, catalyst, lasers, inks, electrocatalysts and photodiodes.

Abstract translation: 本发明提供了金属双[双（二异丙基膦基）酰胺]，M [N（PPri2）2] 2和/或单源前体的热分解的金属磷化物（MPx）纳米材料的新颖解决方案。 到MPx纳米材料的合成路线可用于能量应用，包括电池，半导体，磁体，催化剂，激光，油墨，电催化剂和光电二极管。

公开(公告)号：WO2015071768A2

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：PCT/IB2014/003032

申请日：2014-11-12

Applicant: NANOCO TECHNOLOGIES, LTD.

Inventor： HARRIS, James

CPC classification number: H01L33/504 ,  B82Y20/00 ,  C09K11/54 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  H01L33/483 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0083 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/95 ,  H01L2924/00014

Abstract: An LED device has a cap containing one or more quantum dot (QD) phosphors. The cap may be sized and configured to be integrated with standard LED packages. The QD phosphor may be held within the well of the LED package, so as to absorb the maximum amount of light emitted by the LED, but arranged in spaced-apart relation from the LED chip to avoid excessive heat that can lead to degradation of the QD phosphor(s). The packages may be manufactured and stored for subsequent assembly onto an LED device.

Abstract translation: LED器件具有包含一个或多个量子点（QD）荧光体的帽。 帽的尺寸和构造可以与标准LED封装集成。 QD磷光体可以保持在LED封装的阱内，以便吸收由LED发射的最大量的光，但是以与LED芯片隔开的关系布置，以避免过度的热量，这可能导致 QD磷光体。 封装可以被制造并存储用于随后组装到LED装置上。

公开(公告)号：WO2011023520A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：PCT/EP2010/061404

申请日：2010-08-05

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  IBM UNITED KINGDOM LIMITED ,  CHIDAMBARRAO, Dureseti ,  SEKARIC, Lidija

Inventor： CHIDAMBARRAO, Dureseti ,  SEKARIC, Lidija

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/937 ,  Y10S977/938

Abstract: A semiconductor structure includes an n-channel field effect transistor (NFET) nanowire, the NFET nanowire comprising a film wrapping around a core of the NFET nanowire, the film wrapping configured to provide tensile stress in the NFET nanowire. A method of making a semiconductor structure includes growing a film wrapping around a core of an n-channel field effect transistor (NFET) nanowire of the semiconductor structure, the film wrapping being configured to provide tensile stress in the NFET nanowire.

Abstract translation: 半导体结构包括n沟道场效应晶体管（NFET）纳米线，所述NFET纳米线包括围绕NFET纳米线的核缠绕的膜，所述膜包覆被配置为在NFET纳米线中提供拉伸应力。 制造半导体结构的方法包括生长围绕半导体结构的n沟道场效应晶体管（NFET）纳米线的芯缠绕的膜，膜缠绕被配置为在NFET纳米线中提供拉伸应力。

公开(公告)号：WO2019059966A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：PCT/US2018/027427

申请日：2018-04-13

Applicant: RAYTHEON COMPANY

Inventor： LIN, Stephanie, J. ,  CHOW, James, R. ,  SPARIOSU, Kalin

IPC: B82Y30/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/88 ,  H01L31/0352 ,  G02B6/02

CPC classification number: C09K11/662 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/007 ,  C01G21/21 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/60 ,  C09K11/025 ,  C09K11/54 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  F21K9/64 ,  F21V7/22 ,  F21Y2115/10 ,  H01L31/035218 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0041 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/95

Abstract: In certain embodiments, a first semiconductor material is vaporized to generate a vapor phase condensate. The vapor phase condensate is allowed to form nanoparticles. The nanoparticles are annealed to yield nanoparticles or cores. The cores are overcoated by introducing a solution containing second semiconductor material precursors in a coordinating solvent into a suspension of cores at a desired elevated temperature and mixing for a period of time sufficient to cause diffusion of the shell into the core. The diffusion of the shell into the core causes the quantum dots to exhibit a broadened optical emission. The produced quantum dots may be incorporated into a quantum dot based radiation source.

公开(公告)号：WO2016088646A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/JP2015/083246

申请日：2015-11-26

Applicant: 昭和電工株式会社

Inventor： 山木　繁 ,  関根　敬史 ,  横山　絢子

IPC: C08F220/12 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C08F2/44 ,  C08F216/12 ,  G02B1/04 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56

CPC classification number: C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C08F2/44 ,  C08F216/12 ,  C08F220/12 ,  C08K3/32 ,  C08K7/18 ,  C08K2201/001 ,  C08K2201/011 ,  C09K11/703 ,  G02B1/04 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0083 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/95

Abstract: 　発光体である半導体ナノ粒子を含み、半導体ナノ粒子の分散性が良好であり、低粘度で優れた成形性を有する半導体ナノ粒子含有硬化性組成物を提供する。トリシクロデカン構造を有する単官能の（メタ）アクリレート化合物（ａ）と、２つ以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する（メタ）アクリレート化合物（ｂ１）および下記式（１）で表される化合物（ｂ２）から選ばれる少なくとも１種の化合物（ｂ）と、重合開始剤（ｃ）と、発光体である半導体ナノ粒子（ｄ）とを含む半導体ナノ粒子含有硬化性組成物。Ｈ ２ Ｃ＝Ｃ（Ｒ １ ）－ＣＨ ２ －Ｏ－ＣＨ ２ －Ｃ（Ｒ ２ ）＝ＣＨ ２ （１）（式（１）中、Ｒ １ およびＲ ２ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～４のアルキル基、またはエステル結合を有する炭素数４～１０の有機基を表す。）

Abstract translation: 本发明提供含有半导体纳米粒子的固化性组合物，其含有分散性好，粘度低，成型性优异的发光半导体纳米粒子。 一种包含半导体纳米颗粒的可固化组合物，其包含：具有三环癸烷结构的单官能（甲基）丙烯酸酯化合物（a） 至少一种选自具有两个以上（甲基）丙烯酰氧基的（甲基）丙烯酸酯化合物（b1）和式（1）所示的化合物（b2））的化合物（b） 聚合引发剂（c）; 和发光半导体纳米粒子（d）。 H 2 C = C（R 1）-CH 2 -O-CH 2 -C（R 2）= CH 2（1）（式（1）中，R 1和R 2各自独立地表示氢原子， 具有酯键和4-10个碳原子的有机基团）

公开(公告)号：WO2007086188A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：PCT/JP2006/323559

申请日：2006-11-27

Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 ,  関口 満 ,  塚田 和也 ,  岡田 尚大

Inventor： 関口 満 ,  塚田 和也 ,  岡田 尚大

IPC: C09K11/74 ,  B22F1/00 ,  B82B1/00 ,  C01B21/06 ,  C01B25/08 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/70 ,  C09K11/75 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00

CPC classification number: C09K11/7442 ,  B22F1/0025 ,  B82Y30/00 ,  C01B21/0632 ,  C01G15/00 ,  C01G28/02 ,  C01G30/002 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/30 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/40 ,  C09K11/62 ,  C22C1/0491 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/832 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2933 ,  Y10T428/2991

Abstract: 　従来のコア／シェル型のナノサイズの半導体よりも優れた光学特性（発光強度、発光寿命）を有する半導体ナノ粒子および半導体ナノロッドを提供することを目的とする。この目的はコア層と中間層とシェル層とを含む、平均粒径が２～５０ｎｍの範囲の三層型半導体ナノ粒子および三層型半導体ナノロッドであり、上記各層がそれぞれ異なる結晶で形成されており、シェル層を形成する結晶のバンドギャップが、コア層を形成する結晶のバンドギャップよりも大きく、かつ中間層を形成する結晶の格子定数が、コア層を形成する結晶の格子定数とシェル層を形成する結晶の格子定数との間の値である三層型半導体ナノ粒子および三層型半導体ナノロッドによって達成される。

Abstract translation: 具有优于常规核/壳纳米尺寸半导体的光学特性（发光强度和发光寿命）的半导体纳米颗粒和半导体纳米棒。 提供平均粒径为2〜50nm的三层半导体纳米颗粒和三层半导体纳米棒，其包含芯层，中间层和壳层，其中层由不同的晶体构成，并且 其中，构成壳层的晶体的表面带隙大于构成芯层的晶体的带隙，构成中间层的晶体的晶体晶格常数为假定构成核心层的晶体的晶格常数与构成芯层的晶体的晶格常数 壳层。

公开(公告)号：WO2005078167A2

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/GB2005000390

申请日：2005-02-04

Applicant: BTG INT LTD ,  SEIFERT WERNER ,  SAMUELSON LARS IVAR ,  OHLSSON BJORN JONAS ,  BORGSTROM LARS MAGNUS

Inventor： SEIFERT WERNER ,  SAMUELSON LARS IVAR ,  OHLSSON BJORN JONAS ,  BORGSTROM LARS MAGNUS

IPC: B01J23/52 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B29/60 ,  C30B29/62 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B11/12 ,  B01J23/52 ,  B82Y30/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  C30B29/62 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02653 ,  Y10S977/825

Abstract: Nanowhiskers are grown in a non-preferential growth direction by regulation of nucleation conditions to inhibit growth in a preferential direction. In a preferred implementation, III-V semiconductor nanowhiskers are grown on an (001) III-V semiconductor substrate surface by effectively inhibiting growth in the preferential B direction. As one example, InP nano-wires were grown by metal-organic vapor phase epitaxy directly on (001) InP substrates. Characterization by scanning electron microscopy and transmission electron microscopy revealed wires with nearly square cross sections and a perfect zincblende crystalline structure that is free of stacking faults.

Abstract translation: 纳米晶须通过调节成核条件在非优先生长方向生长，以抑制生长在优先方向。 在优选的实施方案中，通过有效地抑制优先的111B方向的生长，在（001）III-V半导体衬底表面上生长<001> III-V半导体纳米晶须。 作为一个示例，通过直接在（001）InP衬底上的金属 - 有机气相外延生长<001> InP纳米线。 通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜的表征显示具有近似正方形截面的线和完全的闪锌矿晶体结构，其没有堆垛层错。