公开(公告)号：WO2008013245A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：PCT/JP2007/064714

申请日：2007-07-26

Applicant: ネクスト株式会社 ,  本田 壽謙 ,  田邉 勲

Inventor： 本田 壽謙 ,  田邉 勲

IPC: G08B13/22 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L41/12

CPC classification number: G06K19/06196 ,  G08B13/2408 ,  G08B13/2437 ,  H01L41/12 ,  H01L41/47 ,  Y10T156/1761

Abstract: 　確実に振動を発生させることによって、振動受信側による警告発生ミスを防止することができる磁気マーカを提供する。 　磁気マーカ１０は、ケース１２の本体１２Ａ内に、湾曲した振動板１５と平面状の振動板１６が磁歪振動可能に収納されている。前記ケース１２の開口部側の主面には低保磁力磁石２０が設けられており、着磁及び消磁が可能となっている。前記磁気マーカ１０は、接着テープ２２の剥離紙２４を剥がして商品３０などに取り付けられる。以上のような構成の磁気マーカ１０は、前記低保磁力磁石２０が消磁されない限りは、ゲート通過時に２枚の振動板１５及び１６が磁歪振動するため、振動受信側による警報の発生を確実に促すことができる。

Abstract translation: 提供了一种可靠地产生振动从振动接收侧发出警告的磁性标记。 磁性标记（10）具有弯曲的振动板（15）和平坦的振动板（16），以在壳体（12）的主体（12A）内被磁致伸缩地振动。 在壳体（12）的开口部侧的主面上，配置有低矫顽力磁铁（20）进行磁化和退磁。 通过剥离粘合带（22）的剥离片（24）将磁性标记（10）附接到商品（30）等。 在磁性标记（10）中，只要低矫顽力磁体（20）不消磁，两片振动板（15,16）在通过栅极时被磁致伸缩地振动。 因此，可靠地使振动受力侧发出警告。

公开(公告)号：WO2007106024A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：PCT/SE2007/050088

申请日：2007-02-14

Applicant: ABB AB

Inventor： HANS, LING ,  WINTZELL, Håkan, F. ,  MINGSHENG, WANG ,  GUSTAFSSON, Per, S.

IPC: G01L3/10

CPC classification number: H01L41/125 ,  G01L3/102 ,  G01L3/103 ,  H01L41/47

Abstract: The invention relates to a measuring device including a layer of a magnetoelastic alloy formed on a load-carrying member, which layer is intended for measuring stresses induced by a force ap- plied to the load-carrying member, wherein the average grain size of said layer is in the range of 100 nm to 10 000nm, and a method for production thereof.

Abstract translation: 本发明涉及一种测量装置，其包括形成在承载构件上的磁弹性合金层，该层用于测量由施加到承载构件的力引起的应力，其中所述 层在100nm〜10000nm的范围内，以及其制造方法。

公开(公告)号：WO2016176509A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：PCT/US2016/029883

申请日：2016-04-28

Applicant: UNIVERSITY OF WASHINGTON

Inventor： TAYA, Minoru

IPC: H01L41/06 ,  H01L41/12 ,  H02N2/04 ,  H02N2/08

CPC classification number: A61B34/73 ,  A61B17/00234 ,  A61B34/30 ,  A61B34/32 ,  A61B2017/00345 ,  A61B2017/00526 ,  A61B2017/00867 ,  A61B2018/0019 ,  A61B2018/00577 ,  A61B2034/2051 ,  A61B2034/302 ,  A61B2034/731 ,  A61B2090/374 ,  A61M31/002 ,  A61M2210/1007 ,  H01L41/12 ,  H01L41/47

Abstract: Nano-actuators having a helical member formed with a ferromagnetic shape memory alloy (FSMA) are disclosed that are elastically deformable between a compressed state and an expanded state by the application of a magnetic field. The nano-actuators may include a ferromagnetic head portion, that may be formed from the FSMA or from another material. A thin biocompatible external layer provides a platform for attaching a ligand that is selected to bind with a target cell type, for example, a target cancer cell. The nano-actuators are magnetically propelled to the target cells, and oscillated and/or rotated to mechanically damage the target cells to induce apoptosis. The nano-actuators may be formed by electro deposition of the FSMA into a nano-helical template.

Abstract translation: 公开了具有形成有铁磁形状记忆合金（FSMA）的螺旋构件的纳米致动器，其通过施加磁场在压缩状态和膨胀状态之间可弹性变形。 纳米致动器可以包括可由FSMA或另一种材料形成的铁磁头部分。 薄的生物相容性外层提供了用于连接选择与靶细胞类型例如靶癌细胞结合的配体的平台。 纳米致动器被磁性推进到靶细胞，并且振荡和/或旋转以机械损伤靶细胞以诱导细胞凋亡。 可以通过将FSMA电沉积成纳米螺旋模板来形成纳米致动器。

公开(公告)号：WO2015083821A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：PCT/JP2014/082249

申请日：2014-12-05

Applicant: 国立大学法人弘前大学 ,  国立大学法人東北大学 ,  東北特殊鋼株式会社

Inventor： 古屋　泰文 ,  山浦　真一 ,  中嶋　宇史 ,  江幡　貴司 ,  佐藤　武信

IPC: C22F1/10 ,  C22C19/07 ,  H02N2/00 ,  C22F1/00

CPC classification number: H01L41/47 ,  C22C19/07 ,  C22F1/10 ,  H01L41/125 ,  H01L41/20 ,  H02N2/00

Abstract: 逆磁歪現象を利用する振動発電や力センサーなどに使用される磁歪材料の磁歪量を高めることができる磁歪材料の製造方法および磁歪量増加方法を提供する。Co：67～87 質量 %、Fe および不可避的不純物：残部の組成から成る合金素材を溶解、鋳造後、熱間鍛造することにより、磁歪量100ppm 以上の磁歪材料を製造する。さらに、熱間鍛造後、冷間圧延を行うことにより、磁歪量130ppm以上の磁歪材料を製造することができる。熱間加工後または冷間加工後に400～1000℃で熱処理することもできる。

Abstract translation: 提供一种制造磁致伸缩材料的方法和增加磁致伸缩量的方法，通过该方法可以增加在振动发电中使用的磁致伸缩材料中的磁致伸缩量，力传感器等，其利用 反磁致伸缩现象。 具有100ppm以上的磁致伸缩量的磁致伸缩材料是通过将含有67-87质量％Co的组成和余量的Fe和不可避免的杂质的合金材料溶解和铸造，然后进行热锻造而制造的。 此外，通过在热锻后进行冷轧，可以制造具有130ppm以上的磁致伸缩量的磁致伸缩材料。 在热处理或冷加工后也可以在400-1000℃进行热处理。

公开(公告)号：WO2011147946A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：PCT/EP2011/058695

申请日：2011-05-26

Applicant: ETO MAGNETIC GMBH ,  LAUFENBERG, Markus ,  PAGOUNIS, Emmanouel ,  DREVERMANN, Anne ,  STURZ, Laszlo

Inventor： LAUFENBERG, Markus ,  PAGOUNIS, Emmanouel ,  DREVERMANN, Anne ,  STURZ, Laszlo

IPC: H01L41/20 ,  C30B11/00

CPC classification number: B22D23/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/14 ,  C30B29/52 ,  H01F1/0308 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47

Abstract: Die Erfindung umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines eine Kristallorientierung entlang einer ersten Kristallachse aufweisenden MSM-Aktorelements aus einem Einkristall-MSM-Körper durch Einbringen eines aufgeschmolzenen Legierungsmaterials in eine Formschale und nachfolgendes Erstarren des Legierungsmaterials, mit den Schritten: Vorsehen einer einen Ankeimbereich (24), einen Selektorbereich (26) sowie einen Kristallbereich (28) aufweisenden, zumindest abschnittsweise entlang einer Längsachse (22) ausgerichteten Formschale, Einbringen des aufgeschmolzenen MSM-Legierungsmaterials, insbesondere NiMnGa-basierten Legierungsmaterials, in die Formschale, ohne dass ein gesonderter Ankeimkristall vorgesehen ist, - Verfestigen des MSM-Legierungsmaterials durch Erzeugen einer sich vom Ankeimbereich über den Selektorbereich in den Kristallbereich entlang eines Erstarrungspfades bewegenden Erstarrungsfront, wobei der Erstarrungspfad im Kristallbereich entlang der Längsachse verläuft, im Selektorbereich einen von der Längsachse ausgelenkten Bereich ausbildet, dessen maximale Auslenkung, bezogen auf die Längsachse, größer als eine maximale Querschnittsweite im Selektorbereich ist, und die Längsachse (22) eine Winkelabweichung von weniger als 10°, bevorzugt weniger als 6°, weiter bevorzugt weniger als 3°, von der ersten Kristallachse aufweist, und Zerteilen des erstarrten MSM-Legierungsmaterials in eine Mehrzahl von MSM-Aktorelementen.

Abstract translation: 本发明包括用于沿着具有单晶MSM体的MSM致动器元件通过将熔融合金材料进入合金材料的模具壳和随后的凝固，包括以下步骤的第一晶轴产生的晶体取向的方法：提供一个Ankeimbereich（24） 具有，至少在沿纵向轴线的部分对准的壳模的选择器部分（26）和晶体区（28），（22），将所述熔融MSM合金材料，在外壳模具特别是基于NiMnGa合金材料，而无需设置单独的Ankeimkristall， - 通过在晶体区域沿着凝固路径经由选择器区域中生成从Ankeimbereich移动凝固前沿，固化该MSM合金材料，其中在所述晶体区域的凝固路径沿着所述纵向轴线，在SEL ektorbereich一个从纵向轴线区域的形式，它的最大位移，相对于纵向轴线弯曲，比在选择区域的最大横截面宽度和纵向轴线（22）小于10°的角偏差，优选地小于6°，更优选小于大 3°，具有作为从第一晶轴，和切割所述固化MSM合金材料成多个MSM致动器元件。

公开(公告)号：WO2011016399A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：PCT/JP2010/062928

申请日：2010-07-30

Applicant: トピー工業株式会社 ,  国立大学法人信州大学 ,  国立大学法人東北大学 ,  本江 克次 ,  中島 浩二 ,  石川 智仁 ,  杉山 雅治 ,  五十嵐 貴教 ,  脇若 弘之 ,  牧野 彰宏 ,  井上 明久

Inventor： 本江　克次 ,  中島　浩二 ,  石川　智仁 ,  杉山　雅治 ,  五十嵐　貴教 ,  脇若　弘之 ,  牧野　彰宏 ,  井上　明久

IPC: H01L41/12 ,  C22C45/02 ,  C23C4/06 ,  C23C4/12 ,  G01L1/12 ,  G01L3/10 ,  G01L9/16 ,  H01F10/13 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01L3/102 ,  C22C33/003 ,  C22C45/02 ,  C23C4/06 ,  G01L3/103 ,  G01L3/105 ,  G01R33/18 ,  H01F10/131 ,  H01L41/125 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  Y10T428/265

Abstract: 　ゼロ磁界付近で優れた磁歪特性を発揮できる磁歪膜およびその製造方法を提供する。磁歪膜は、被検体上に溶射形成され、ガラス遷移温度より低く且つ、キュリー点温度以上で熱処理されていることを特徴とした金属ガラスの膜で構成され、－１５ｋＡ／ｍ以上、＋１５ｋＡ／ｍ以下の磁界範囲のうちの少なくとも一部の範囲内で、磁界と磁歪とが直線特性を示す。

Abstract translation: 公开了一种磁致伸缩膜，其可以在零场附近表现出优异的磁致伸缩特性; 以及制造磁致伸缩膜的方法。 磁致伸缩膜包括金属玻璃膜，其特征在于通过在样品上的喷雾形成并在低于玻璃化转变温度且等于或高于居里温度的温度下加热。 在磁致伸缩膜中，磁场和磁致伸缩性在至少一部分磁场范围为-15kA / m至+15kA / m的范围内具有线性特性。

公开(公告)号：WO2009147135A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：PCT/EP2009/056739

申请日：2009-06-02

Applicant: LEIBNIZ-INSTITUT FÜR FESTKÖRPER- UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V. ,  FÄHLER, Sebastian ,  THOMAS, Michael ,  HECZKO, Oleg ,  BUSCHBECK, Jörg ,  Mc CORD, Jeffrey

Inventor： FÄHLER, Sebastian ,  THOMAS, Michael ,  HECZKO, Oleg ,  BUSCHBECK, Jörg ,  Mc CORD, Jeffrey

IPC: H01L41/20 ,  F03G7/06

CPC classification number: H01L41/12 ,  F03G7/065 ,  H01L41/125 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Materialwissenschaften und betrifft ein Bauelement, welches beispielsweise für Mikrobauteile, Mikrosensoren und Mikroaktoren zur Anwendung kommen kann. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Bauelement anzugeben, bei welchem eine deutlich größere relative Längenänderungen auftritt. Die Aufgabe wird gelöst durch ein Bauelement aus einem ferromagnetischen Formgedächtnis-Material, hergestellt durch ein Verfahren, bei dem auf ein einkristallines oder biaxial texturiertes Substrat mindestens eine Opferschicht aufgebracht wird, auf die eine epitaktische oder texturierte Schicht aus einem ferromagnetischen Formgedächtnismaterial mit einer Schichtdicke von ≤ 50 μm aufgebracht wird, nachfolgend die Opferschicht mindestens teilweise entfernt wird, und während oder nach der Schichtaufbringung eine Strukturierung mindestens des ferromagnetischen Formgedächtnismaterials dahingehend realisiert wird, dass ein Aspektverhältnis erreicht wird, bei dem mindestens eine Länge um mindestens einen Faktor als 3 größer ist als die Dicke der Schicht oder der kürzesten Abmessung des Bauteils.

Abstract translation: 本发明涉及材料科学的领域，并涉及可用于例如用于微组件，微传感器和微致动器的装置。 本发明的目的是提供一种在其中发生显著较大的相对长度的变化的装置。 该目的通过由铁磁形状记忆材料制成的装置来实现，通过其中至少一个牺牲层沉积在单晶或双轴织构化衬底的方法，制备在其上的外延或铁磁形状记忆材料的纹理层=的层厚度 50微米施加，随后将牺牲层是至少部分地移除，并且在或结构至少铁磁形状记忆材料在薄膜沉积后的效果的实现，在达到的纵横比，其中的最小长度为至少3倍量比较大 的层或部件的最短尺寸的厚度。

公开(公告)号：WO2005042134A2

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：PCT/US2004034812

申请日：2004-10-20

Applicant: BACH DAVID T ,  ANJANAPPA MUNISWAMAPPA

Inventor： BACH DAVID T ,  ANJANAPPA MUNISWAMAPPA

IPC: C08F2/46 ,  H01L41/12 ,  H01L41/22 ,  B01F

CPC classification number: H01L41/12 ,  H01L41/47

Abstract: A method of making beams, clamps and other structures by curing a polymer containing a magnetostrictive material. A magnetostrictive material like TERFENOL-D (TM) is placed in a polymer. This mixture is put onto a slide in a film. The mixture is cured by UV light (or other means) so that it cross-links. A second layer of polymer with no magnetostrictive material can be cured on top of the first layer. This leads to a beam structure which exhibits a bending moment in an applied magnetic field. By aligning the magnetostrictive particles before curing with a magnetic field, a beam or other structure can be produced with aligned particles. A mask can be used to selectively cure regions where the magnetostrictive particles have different alignments on the same layer. It is possible to build up multiple layer structures with layers of magnetostrictive particles aligned in different directions.

Abstract translation: 通过固化含有磁致伸缩材料的聚合物来制造光束，夹子和其它结构的方法。 将诸如TERFENOL-D TM的磁致伸缩材料放置在聚合物中。 将该混合物放在胶片中的幻灯片上。 混合物通过紫外光（或其他方式）固化，使其交联。 第二层不含磁致伸缩材料的聚合物可在第一层的顶部固化。 这导致在施加的磁场中呈现弯曲力矩的梁结构。 通过将固化前的磁致伸缩颗粒与磁场对准，可以用对准的颗粒产生束或其它结构。 可以使用掩模来选择性地固化磁致伸缩颗粒在同一层上具有不同对准的区域。 可以建立具有沿不同方向排列的磁致伸缩颗粒层的多层结构。

公开(公告)号：WO2017044675A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：PCT/US2016/050854

申请日：2016-09-09

Applicant: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： ANNAPRAGADA, Rao ,  WANG, Yu-Jen ,  SHEN, Dongna

IPC: H01F41/30 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L41/47 ,  H01F41/308 ,  H01L27/224 ,  H01L41/06 ,  H01L41/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: An improved method for etching a magnetic tunneling junction (MTJ) structure is achieved. A stack of MTJ layers is provided on a bottom electrode 10. The MTJ stack is patterned to form a MTJ device 12 wherein sidewall damage or sidewall redeposition 14 is formed on sidewalls of the MTJ device. A dielectric layer 16 is deposited on the MTJ device and the bottom electrode. The dielectric layer is etched away using ion beam 20 etching at an angle 22 relative to vertical of greater than 50 degrees wherein the dielectric layer on the sidewalls is etched away and wherein sidewall damage or sidewall redeposition is also removed and wherein some of the dielectric layer remains on horizontal surfaces of the bottom electrode.

Abstract translation: 实现了一种用于蚀刻磁隧道结（MTJ）结构的改进方法。 在底部电极10上提供一堆MTJ层。图案化MTJ堆叠以形成MTJ装置12，其中侧壁损伤或侧壁再沉积14形成在MTJ装置的侧壁上。 电介质层16沉积在MTJ器件和底部电极上。 使用离子束20蚀刻介质层，以相对于大于50度的垂直方向的角度22蚀刻，其中侧壁上的介电层被蚀刻掉，并且其中侧壁损伤或侧壁再沉积也被去除，并且其中介电层 保留在底部电极的水平表面上。

公开(公告)号：WO2016132581A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/JP2015/076397

申请日：2015-09-17

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 源明　裕也

IPC: G01B7/16 ,  G01D5/14 ,  H01L41/047 ,  H01L41/113 ,  H01L41/187 ,  H01L41/257

CPC classification number: G01B7/16 ,  G01L1/16 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0533 ,  H01L41/113 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/23 ,  H01L41/257 ,  H01L41/273 ,  H01L41/29 ,  H01L41/313 ,  H01L41/43 ,  H01L41/47

Abstract: 　圧電素子（１）は、厚み方向を分極方向とする第１および第２圧電体層（２Ａ，２Ｂ）ならびに第１圧電体層（２Ａ）と第２圧電体層（２Ｂ）との間に設けられた弾性体層（８）を有する積層体（１２）と、積層体（１２）の外表面に設けられた第１および第２端子電極（５ａ，５ｂ）と、第１圧電体層（２Ａ）の正の極性面に設けられた第１検出用電極（４ａ）と、第１圧電体層（２Ａ）の負の極性面に設けられた第２検出用電極（４ｂ）と、第２圧電体層（２Ｂ）の正の極性面に設けられた第３検出用電極（４ｃ）と、第２圧電体層（２Ｂ）の負の極性面に設けられた第４検出用電極（４ｄ）とを備える。第１検出用電極（４ａ）と第４検出用電極（４ｄ）とは、第１端子電極（５ａ）に接続され、第２検出用電極（４ｂ）と第３検出用電極（４ｃ）とは、第２端子電極（５ｂ）に接続される。

Abstract translation: 压电元件（1）具有层叠体（12），其具有厚度方向作为偏振方向的第一和第二压电体层（2A，2B），以及设置在第一 压电层（2A）和第二压电层（2B）; 设置在层叠体（12）的外表面上的第一和第二端子电极（5a，5b） 设置在第一压电体层（2A）的正极面上的第一检测电极（4a）; 设置在第一压电体层（2A）的负极面上的第二检测电极（4b）; 设置在第二压电层（2B）的正极面上的第三检测电极（4c）; 以及设置在第二压电体层（2B）的负极面上的第四检测电极（4d）。 第一检测电极（4a）和第四检测电极（4d）连接到第一端子电极（5a），第二检测电极（4b）和第三检测电极（4c）连接到第二端子电极 5B）。