公开(公告)号：WO2019091357A1

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：PCT/CN2018/114031

申请日：2018-11-06

Applicant: 华侨大学

Inventor： 魏展画

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种混合钙钛矿薄膜的制备方法，是将CsPbBr 3 和CH 3 NH 3 Br溶解于DMSO溶液中，混合均匀后通过旋涂形成厚度为100-200nm的薄膜；其中所述CsPbBr 3 和CH 3 NH 3 Br的比例为1:0.2-1.2，其中CsPbBr 3 的物质量溶度为0.4-0.6M。制备的混合钙钛矿薄膜组装而成的LED器件性能优异，电流效率最高可达到77.18，最高亮度超过50,000cdm -2 ，最高的外量子效率达到20.31％，极大地超越了现有技术的记录。

公开(公告)号：WO2018205735A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：PCT/CN2018/078754

申请日：2018-03-12

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

Inventor： 冯翔 ,  杨瑞智 ,  刘莎 ,  乔赟 ,  孙晓 ,  邱云 ,  张强 ,  杨照坤 ,  王瑞勇 ,  尤杨

IPC: H01L51/40 ,  H01L27/28

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0014

Abstract: 一种显示面板制造方法、显示面板的制造设备和显示面板，属于显示技术领域。该方法包括：通过微流控技术在衬底基板（11）上形成多个半导体材料液滴（201）；对该多个半导体材料液滴进行固化处理，固化处理后的该多个半导体材料液滴形成半导体层图案（202）。通过微流控技术在衬底基板上形成半导体层图案，无需使用光刻胶。解决了相关技术中当半导体层图案由有机半导体材料制成时，若采用传统的构图工艺制造该半导体层图案，由于该构图工艺中需要使用光刻胶，光刻胶可能污染有机半导体材料，影响半导体层图案的性能的问题。达到了可以使用各种半导体材料来形成半导体层图案的效果。

公开(公告)号：WO2018176546A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：PCT/CN2017/082053

申请日：2017-04-26

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 王威

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/502 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/08 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3213 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0028 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/305 ,  H01L2251/306 ,  H01L2251/308

Abstract: 提供一种量子点发光二极管显示面板，包括薄膜晶体管（TFT）阵列基板（1）以及阵列设置在该TFT阵列基板（1）上的多个像素结构（2），其特征在于，所述像素结构（2）包括按照远离所述TFT阵列基板（1）的方向依次叠层设置的第一电极（21）、空穴传输功能层（22）、量子点发光层（23）、电子传输功能层（24）和第二电极（25）；所述量子点发光层（23）包括有机溶剂材料和分散在所述有机溶剂材料中的量子点材料，所述量子点材料在电致激发的条件下发光。提供一种如上所述量子点发光二极管显示面板的制备方法，其中，所述像素结构（2）中的量子点发光层（23）通过涂布工艺制备获得。

公开(公告)号：WO2018103646A1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：PCT/CN2017/114674

申请日：2017-12-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾仁需 ,  元磊 ,  汪钰成 ,  庞体强 ,  张玉明

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01G9/2072 ,  C23C14/042 ,  C23C14/083 ,  C23C14/18 ,  C23C14/185 ,  H01G9/0036 ,  H01G9/2009 ,  H01G9/2018 ,  H01L27/302 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/4226 ,  H01L51/428 ,  H01L51/441 ,  H01L2251/303 ,  Y02E10/549

Abstract: 一种基于CH 3 NH 3 PbI 3 材料的HEMT/HHMT器件的制备方法。其中该制备包括：选取Al 2 O 3 衬底（101）；制作源电极和漏电极（105）；在源电极、漏电极（105）及未被源电极和漏电极（105）覆盖的Al 2 O 3 衬底（101）表面形成第一电子传输层（106）；在第一电子传输层（106）表面制备CH 3 NH 3 PbI 3 材料形成第一光吸收层（107）；在第一光吸收层（107）表面形成栅电极（108）以完成所述HEMT器件的制备。

公开(公告)号：WO2018068722A1

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：PCT/CN2017/105677

申请日：2017-10-11

Applicant: THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： YAN, He ,  JIANG, Kui

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/0047 ,  C01B32/152 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/146 ,  C08G2261/149 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/44 ,  H01L51/441 ,  Y02E10/549

Abstract: An organic solar cell comprises a photoactive layer that comprises at least one donor polymer and two non-fullerene molecular acceptors. Further, an organic solar cell comprises a photoactive layer that comprises one donor polymer, one fullerene acceptor, and one non-fullerene molecular acceptor. The donor polymer may exhibit temperature dependent aggregation (TDA) properties in solution, wherein the absorption onset of the polymer solution exhibits a red shift of at least 80 nm when the solution is cooled from 100℃ to room temperature or the absorption onset of the polymer solution exhibits a red shift of at least 40 nm when the solution is cooled from 100℃ to 0℃.

Abstract translation: 有机太阳能电池包含光敏层，其包含至少一种供体聚合物和两种非富勒烯分子受体。 此外，有机太阳能电池包含光敏层，其包含一种供体聚合物，一种富勒烯受体和一种非富勒烯分子受体。 供体聚合物可以在溶液中表现出温度依赖性聚集（TDA）性质，其中当溶液从100℃冷却到室温或聚合物的吸收开始时，聚合物溶液的吸收开始显示红移至少80nm 当溶液从100℃冷却到0℃时，溶液表现出红移至少40nm。

公开(公告)号：WO2018000294A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：PCT/CN2016/087831

申请日：2016-06-30

Applicant: THE UNIVERSITY OF HONG KONG

Inventor： CHOY, Chik Ho, Wallace ,  ZHANG, Hong

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01G9/2059 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0025 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/424

Abstract: Methods for the all room-temperature fabrication of organolead halide perovskite films which are PbI 2 residue-free, have large grain-sizes, and are highly crystalline. All room-temperature fabrication of high-performance flexible perovskite solar cells are achieved by using such organolead halide perovskite films.

Abstract translation: 全部室温制造无PbI 2残留的有机卤化物钙钛矿膜的方法具有大的晶粒尺寸，并且是高度结晶的。 所有室温下制造高性能柔性钙钛矿太阳能电池都是通过使用这种有机卤化物钙钛矿薄膜来实现的。

公开(公告)号：WO2018000179A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：PCT/CN2016/087413

申请日：2016-06-28

Applicant: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC ,  ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC ,  LIU, Chun ,  TREFONAS, Peter ,  FENG, Shaoguang ,  LI, Yang ,  ZHU, Minrong ,  GRIGG, David D. ,  SPENCER, Liam P. ,  DEVORE, David D. ,  INMAN, Ashley ,  AQAD, Emad

Inventor： LIU, Chun ,  TREFONAS, Peter ,  FENG, Shaoguang ,  LI, Yang ,  ZHU, Minrong ,  GRIGG, David D. ,  SPENCER, Liam P. ,  DEVORE, David D. ,  INMAN, Ashley ,  AQAD, Emad

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/56 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1452 ,  C08G2261/3221 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/512 ,  C08G2261/794 ,  C08G2261/95 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0025 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088 ,  C09D165/00 ,  C08L25/18

Abstract: A method for producing an organic charge transporting film. The method comprises steps of: (a) applying to a substrate a first polymer resin which has substituents which are sulfonic acids, sulfonic acid salts or esters of sulfonic acids; and (b) applying over the first polymer resin a second polymer resin having M w at least 3,000 and comprising arylmethoxy linkages.

Abstract translation: 制造有机电荷输送膜的方法。 该方法包括以下步骤：（a）将具有磺酸，磺酸盐或磺酸酯取代基的第一聚合物树脂施加到基材上; 和（b）在第一聚合物树脂上施加M w为至少3,000且包含芳基甲氧基键的第二聚合物树脂。

公开(公告)号：WO2017158551A2

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：PCT/IB2017/051538

申请日：2017-03-16

Applicant: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL)

Inventor： LI, Xiong ,  YI, Chenyi ,  BI, Dongqin ,  ZAKEERUDDIN, Shaik Mohammed ,  GRAETZEL, Michael ,  HAGFELDT, Anders

CPC classification number: H01L51/447 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/4226 ,  Y02E10/549

Abstract: The present invention relates to a method for producing a solid state solar cell, comprising the steps of providing a conductive support layer or current collector, applying a metal oxide layer on the conducting support layer, applying at least one sensitizer layer onto the metal oxide layer or onto a first optional layer covering the metal oxide layer, said first optional layer comprising a charge transporting layer, applying a second optional layer onto the sensitizer layer, said second optional layer being selected from a charge transporting layer, a protective layer, or a combination of both layers, and providing a counter electrode or a metal electrode onto the sensitizer layer or the second optional layer. The at least one sensitizer layer comprises an organic-inorganic or metal halide perovskite and is treated by the application of a vacuum before the annealing of the sensitizer. (VASP refers to vacuum-flash assisted solution process and CP to conventional process)

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造固态太阳能电池的方法，其包括以下步骤：提供导电支撑层或集电器，在导电支撑层上施加金属氧化物层，至少施加 在金属氧化物层上或在覆盖金属氧化物层的第一任选层上的一个敏化剂层，所述第一任选层包含电荷传输层，在敏化剂层上施加第二任选层，所述第二任选层选自电荷传输 层，保护层或两层的组合，并且在敏化剂层或第二可选层上提供对电极或金属电极。 该至少一个敏化剂层包含有机 - 无机或金属卤化物钙钛矿，并且在敏化剂退火之前通过施加真空来处理。 （VASP指真空闪蒸辅助溶液工艺，CP指传统工艺）

公开(公告)号：WO2017128551A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：PCT/CN2016/081679

申请日：2016-05-11

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 徐超

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/502 ,  G02F1/133603 ,  G02F2201/44 ,  H01L27/3232 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/50 ,  H01L51/504 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5278 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/305 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/558

Abstract: 一种量子点发光器件(100)及其制备方法及液晶显示装置(10)。量子点发光器件(100)包括相对且间隔设置的阳极(110)和阴极(190)以及依次层叠设置在阳极(110)和阴极(190)之间的空穴注入层(120)、第一空穴传输层(130)、第一量子点发光层(140)、电荷产生层(150)、第二量子点发光层(160)、第一电子传输层(170)及电子注入层(180)，且空穴注入层(120)与阳极(110)接触，电子注入层(180)与阴极(190)接触，电荷产生层(150)包括依次层叠设置的第二电子传输层(151)、载流子产生层(152)及第二空穴传输层(153)，且第二电子传输层(151)设置在第一量子点发光层(140)远离第一空穴传输层(130)的表面，第二空穴传输层(153)设置在第二量子点发光层(160)远离第一电子传输层(170)的表面，第一量子点发光层(140)发出第一光线，第二量子点发光层(160)发出第二光线，其中，第二电子传输层(151)包括水醇溶性聚合物。

公开(公告)号：WO2017103610A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：PCT/GB2016/053967

申请日：2016-12-16

Applicant: CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED ,  SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD

Inventor： KUGLER, Thomas ,  ZUBERI, Sheena ,  BOURCET, Florence ,  GIGUERE, Jean-Benoit

IPC: C07D235/18 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  H01B1/12 ,  H01L51/30 ,  H01L51/52

CPC classification number: C08G61/02 ,  C07D235/18 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/143 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/514 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/792 ,  C08G2261/95 ,  C08L2205/02 ,  C09K11/06 ,  H01B1/128 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/5076 ,  H01L51/5092 ,  C08K5/3447 ,  C08L65/00 ,  C08K5/3445 ,  C09D165/00

Abstract: A compound of formula (I): (Core)n – (X)m wherein Core is a core group; n is 0 and m is 1, or n is 1 and m is at least 1; and X is a group of formula (II): wherein: R 1 , R 3 and R 5 are each independently H or a substituent; R 2 and R 4 are each a substituent; one of R 1 -R 5 is a direct bond or divalent linking group linking the group of formula (II) to Core in the case where n is 1; x and y are 0, 1, 2, 3 or 4; and the compound of formula (I) is substituted with at least one ionic substituent. The compound may be used as an n-dopant to dope an organic semiconductor.

Abstract translation: 式（I）的化合物：（核心）n - （X）m其中核心是核心基团; n是0并且m是1，或者n是1并且m至少是1; 和X是式（II）的基团：其中：R 1，R 3和R 5各自独立地为H或取代基; R 2和R 4各自是取代基; 在n是1的情况下，R 1 -OR 5中的一个是直接键或将式（II）的基团连接到核心的二价连接基团; x和y是0,1,2,3或4; 并且式（I）的化合物被至少一个离子取代基取代。 该化合物可以用作n-掺杂剂掺杂有机半导体。