QUASI-LINEAR SPIN TORQUE NANO-OSCILLATORS
    1.
    发明申请
    QUASI-LINEAR SPIN TORQUE NANO-OSCILLATORS 审中-公开
    准线性旋转扭矩纳米振荡器

    公开(公告)号:WO2014110603A1

    公开(公告)日:2014-07-17

    申请号:PCT/US2014/011555

    申请日:2014-01-14

    CPC classification number: H03L7/26 H03B15/006

    Abstract: Techniques, systems, and devices are disclosed for implementing a quasi-linear spin-torque nano-oscillator based on exertion of a spin-transfer torque on the local magnetic moments in the magnetic layer and precession of the magnetic moments in the magnetic layer within a spin valve. Examples of spin-torque nano-oscillators (STNOs) are disclosed to use spin polarized currents to excite nano magnets that undergo persistent oscillations at RF or microwave frequencies. The spin currents are applied in a non-uniform manner to both excite the nano magnets into oscillations and generate dynamic damping at large amplitude as a feedback to reduce the nonlinearity associated with mixing amplitude and phase fluctuations.

    Abstract translation: 公开了技术,系统和装置,用于基于在磁性层中的局部磁矩上施加自旋转移扭矩并且在磁性层内的磁性层中的磁矩的进动来实现准线性自旋扭矩纳秒振荡器 自旋阀。 公开了自旋扭矩纳米振荡器(STNO)的示例,以使用自旋极化电流来激发在RF或微波频率下经历持续振荡的纳米磁体。 以不均匀的方式施加自旋电流,以将纳米磁体激发成振荡并在大幅度下产生动态阻尼作为反馈,以减少与振幅和相位波动的混合相关的非线性。

    OSCILLATEUR A TRANSFERT DE SPIN
    2.
    发明申请
    OSCILLATEUR A TRANSFERT DE SPIN 审中-公开
    旋转振荡器

    公开(公告)号:WO2011154477A1

    公开(公告)日:2011-12-15

    申请号:PCT/EP2011/059558

    申请日:2011-06-09

    Abstract: La présente invention concerne un oscillateur (30) à transfert de spin comportant un empilement magnétique (E) incluant au moins deux couches magnétiques (32,34) dont au moins une desdites deux couches magnétiques, dite couche oscillante (32), a une aimantation de direction variable et des moyens d'alimentation (31, 35) en courant aptes à faire circuler un courant d'électrons perpendiculairement au plan dudit empilement magnétique (E). L'empilement magnétique (E) comportant des moyens (33) aptes à générer des inhomogénéités de courant au niveau de la surface de ladite couche oscillante et l'intensité de courant fourni par lesdits moyens d'alimentation (31, 35) est choisie de sorte l'aimantation de ladite couche oscillante présente une configuration magnétique cohérente, ladite configuration magnétique oscillant dans son ensemble à une même fréquence fondamentale.

    Abstract translation: 本发明涉及一种自旋转移振荡器(30),它包括一个包括至少两个磁性层(32,34)的磁性堆叠(E),所述两个磁性层中的至少一个称为振荡层(32) 具有可变方向磁化和能够使电子流的电流垂直于所述磁性堆叠(E)的平面流动的电流供给装置(31,35)。 磁性堆叠(E)包括能够在所述振荡层的表面的电平处产生电流的不均匀性的装置(33),并且选择由所述供给装置(31,35)提供的电流的强度,使得磁性堆叠 所述振荡层具有一致的磁性结构,所述磁性结构整体上以相同的基频振荡。

    OSCILLATEUR RADIOFREQUENCE MAGNETORESISTIF ET PROCEDE DE GENERATION D'UN SIGNAL OSCILLANT
    3.
    发明申请
    OSCILLATEUR RADIOFREQUENCE MAGNETORESISTIF ET PROCEDE DE GENERATION D'UN SIGNAL OSCILLANT 审中-公开
    磁阻无线电振荡器及产生振荡信号的方法

    公开(公告)号:WO2011107475A1

    公开(公告)日:2011-09-09

    申请号:PCT/EP2011/053027

    申请日:2011-03-01

    CPC classification number: H03B15/006

    Abstract: Cet ocillateur radiofréquence intégre : - un dispositif magnétorésistif (6) à base d'un courant électrique polarisé en spin pour générer un signal oscillant à une fréquence d'oscillation sur une borne (10) de sortie, et - une borne (18) de commande de la fréquence ou de l'amplitude du signal oscillant, et - une boucle (44) de rétroaction comportant un amplificateur (46) équipé : - d'une entrée raccordée à la borne (10) de sortie du dispositif magnétorésistif (6) de manière à amplifier la partie d'un signal oscillant captée au niveau de la borne de sortie, et - d'une sortie raccordée à la borne (18) de commande de manière à injecter sur cette borne de commande la partie amplifiée du signal oscillant en phase avec le signal oscillant généré sur la borne de sortie.

    Abstract translation: 本发明涉及一种射频振荡器,其包括:用于在输出端子(10)上以振荡频率产生振荡信号的自旋极化电流磁阻器件(6)和用于控制频率或振幅的端子(18) 以及包括放大器(46)的反馈回路(44),所述放大器(46)具有:连接到所述磁阻器件(6)的输出端子(10)的输入端,以便放大所述振荡信号部分 输出端子和连接到控制端子(18)的输出端,以便将与在输出端子处产生的振荡信号相关的振荡信号的放大部分注入到所述控制端子上。

    磁性発振素子
    4.
    发明申请
    磁性発振素子 审中-公开
    磁振荡器

    公开(公告)号:WO2011039843A1

    公开(公告)日:2011-04-07

    申请号:PCT/JP2009/066970

    申请日:2009-09-29

    Abstract:  磁性発振素子においては、第1の強磁性層(1)と、第1の強磁性層(1)に積層される絶縁層(2)と、絶縁層(2)に積層される第2の強磁性層(3)と、第1及び第2の強磁性層(1及び3)並びに絶縁層(2)の膜面に対して垂直方向に電流Iを通電する一対の電極(42及び43)と、を具備し、第1及び第2の強磁性層(1及び3)間の面内において接合抵抗が異なる領域を有する。

    Abstract translation: 一种磁振荡器,其具有:第一铁磁层(1); 堆叠在所述第一铁磁层(1)上的绝缘层(2); 堆叠在绝缘层(2)上的第二铁磁层(3); 以及一对垂直于第一和第二铁磁层(1和3)和绝缘层(2)的膜表面提供电流(I)的电极(42和43)。 磁性振荡器具有在第一和第二铁磁层(1和3)之间的平面处具有不同面积电阻积的区域。

    強磁性細線素子
    5.
    发明申请
    強磁性細線素子 审中-公开
    光纤元件

    公开(公告)号:WO2009130738A1

    公开(公告)日:2009-10-29

    申请号:PCT/JP2008/001040

    申请日:2008-04-21

    CPC classification number: G11C11/14 G11C19/0808 H01L43/08 H03B15/006

    Abstract:  磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線を用いる。反強磁性細線などの磁壁固定手段を用いることにより磁壁が細線内を移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給すると、磁壁は移動することなくその磁気モーメントが回転する。これにより、磁気モーメントの回転をTMR素子などで検出することが可能となる。この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。

    Abstract translation: 铁磁细线元件使用结合有磁畴壁的铁磁细线,其中磁畴壁中心的磁矩在与细线的长轴方向垂直的方向上被引导。 在通过使用诸如反铁磁细线的磁畴壁固定装置固定磁畴壁使磁畴壁不在细线内移动的同时,向细线提供直流电流。 因此,磁畴壁不移动但其磁矩转动。 这使得可以通过TMR元件等检测磁矩的旋转。也可以使用铁磁细线元件的结构立即获得微波振荡器或磁存储器。

    スピンバルブ素子の駆動方法及びスピンバルブ素子
    6.
    发明申请
    スピンバルブ素子の駆動方法及びスピンバルブ素子 审中-公开
    旋转元件驱动方法和旋转阀元件

    公开(公告)号:WO2009078201A1

    公开(公告)日:2009-06-25

    申请号:PCT/JP2008/065409

    申请日:2008-08-28

    Abstract:  スピンバルブ素子に印加する外部磁場を弱くして、あるいは全く用いずに駆動してマイクロ波を発振させるために、一対の強磁性層の各層の保磁力が互いに異なっているスピンバルブ素子から電磁信号を得るスピンバルブ素子の駆動方法またはそのようなスピンバルブ素子。一対の強磁性層のうち保磁力の大きい強磁性層である固定層を、固定層の膜面にほぼ垂直になるような向きに磁化し、一対の強磁性層の一方から他方へ中間層を通過させて電流を流す。駆動の際、外部磁場の大きさの値とスピンバルブ素子に流す電流の値とからなる値の組を所定の条件を満たすようにする。あるいは、一対の強磁性層のうち保持力の小さい強磁性層であるフリー層の物性をこのような条件を実現し得るようなものとする。

    Abstract translation: 公开了一种自旋阀元件,其中一对铁磁层具有不同的矫顽力,使得自旋阀元件可以被驱动以利用外部弱磁场或不施加外部磁场来振荡微波, 用于从旋转阀元件获取电磁信号的阀元件驱动方法。 成对的铁磁层的矫顽力较高的固定层或铁磁层基本上垂直于固定层的膜面被磁化,使得电流从成对的铁磁层中的一个通过中间层 。 在该驱动时刻,使外部磁场的大小的值和供给到自旋阀元件的电流值的集合满足规定的条件。 在成对的铁磁层中,可选地,具有较低矫顽力的自由层或铁磁层具有能够实现该条件的物理性质。

    スピンバルブ素子
    7.
    发明申请
    スピンバルブ素子 审中-公开
    旋转阀元件

    公开(公告)号:WO2009050945A1

    公开(公告)日:2009-04-23

    申请号:PCT/JP2008/065406

    申请日:2008-08-28

    Abstract:  スピンバルブ素子に流せる電力を増大するために、絶縁体層24または非磁性層51が強磁性体層23,25によって挟持されて、微細孔を複数有する多孔質層10(10´)を一方の強磁性体層に接するように、または、その強磁性体層との間に他の層を置いて配置する。これにより、広い領域の単一の磁区の磁性多層膜を用いなくても、例えば、スピンパブル素子によってマイクロ波を発振させる際にマイクロ波の電力を大きくすることができる。

    Abstract translation: 为了增加能够流入自旋阀元件的功率,绝缘层(24)或非磁性层(51)被铁磁层(23,25)和多孔层(10(10')夹持) ))布置成与铁磁层中的一个或铁磁层之间经由其它层接触。 因此,可以在不使用宽​​区域单磁畴的磁性多层膜的情况下,通过自旋阀元件振荡微波时增加微波的功率。

    FREQUENCY SENSOR
    8.
    发明申请
    FREQUENCY SENSOR 审中-公开

    公开(公告)号:WO2019105964A1

    公开(公告)日:2019-06-06

    申请号:PCT/EP2018/082768

    申请日:2018-11-28

    CPC classification number: G01R23/06 H03B15/006

    Abstract: A frequency sensor is provided. The frequency sensor may include: a magnetoresistive nano-oscillator including a magnetic heterostructure of at least a magnetic free layer, a magnetic reference layer and a non-magnetic intermediate layer arranged between the magnetic free layer and the magnetic reference layer; a coupling arrangement for coupling an incoming signal to at least one magnetic mode of the magnetic free layer, and a frequency estimator. The frequency estimator may be configured to: perform a plurality of voltage measurements across the magnetoresistive nano-oscillator over time; calculate a time averaged voltage across the magnetoresistive nano-oscillator based on the plurality of voltage measurements; estimate, over a finite range of frequencies, a frequency of the incoming signal based on the calculated time averaged voltage, and output a signal representative of the estimated frequency. A method of estimating a frequency of an incoming signal is also provided.

    SYNCHRONIZATION OF MULTIPLE NANO-CONTACT SPIN TORQUE OSCILLATORS
    9.
    发明申请
    SYNCHRONIZATION OF MULTIPLE NANO-CONTACT SPIN TORQUE OSCILLATORS 审中-公开
    多个纳米接触自旋扭矩振荡器的同步

    公开(公告)号:WO2017111688A1

    公开(公告)日:2017-06-29

    申请号:PCT/SE2016/051290

    申请日:2016-12-20

    CPC classification number: B82Y25/00 H01F10/32 H01L43/08 H03B15/006

    Abstract: A spin oscillator device (NCI) comprising a first spin torque oscillator, STO (2), having an extended multilayered magnetic thin-film stack (2), wherein a nano-contact, NC, (6) is provided on said magnetic film stack (2) providing an NC-STO (2, 6) comprising a magnetic free-layer (3) and having a nanoscopic region, wherein the NC (6) is configured to focus electric current (I de ) to the nanoscopic region, configured to generate the necessary current densities needed to excite propagating spin waves (SWs) in the magnetic free layer (3), wherein a circumferential magnetic field (H Oe ) surrounds the NC (6), wherein an externally applied field (H ext ) is configured to control the control the propagation of the spin waves (SWs) forming a spin wave beam (SW beam) to a second spin oscillator device (NCn), which is arranged in spin wave communication and synchronized to the first NCI.

    Abstract translation: 包括具有延伸的多层磁性薄膜堆栈(2)的第一自旋扭矩振荡器STO(2)的自旋振荡器装置(NCI),其中纳米触点NC(6) )提供在所述磁性膜叠层(2)上以提供包括磁性自由层(3)并且具有纳米级区域的NC-STO(2,6),其中所述NC(6)被配置为将电流(I 其被配置为产生激励所述磁性自由层(3)中的传播自旋波(SW)所需的必要电流密度,其中周向磁场(H 0 e) )包围NC(6),其中外部施加的场(H ext /)被配置为控制形成自旋波束(SW)的自旋波(SW)的传播的控制 光束)到第二自旋振荡器装置(NCn),第二自旋振荡器装置以自旋波通信布置并与第一NCI同步。

    SPIN TORQUE OSCILLATOR WITH BUILT-IN MIXER
    10.
    发明申请
    SPIN TORQUE OSCILLATOR WITH BUILT-IN MIXER 审中-公开
    带内置混合器的旋转扭矩振荡器

    公开(公告)号:WO2017052655A1

    公开(公告)日:2017-03-30

    申请号:PCT/US2015/052484

    申请日:2015-09-25

    CPC classification number: H03B15/006 H03D7/14

    Abstract: Described is an apparatus which comprises: a magnetic junction device having a magnetic layer with in-plane anisotropy and a magnetic layer with perpendicular anisotropy; a spin orbit coupling (SOC) layer coupled to the magnetic junction device; a first non-magnetic conductor coupled to one end of the SOC layer; a second non-magnetic conductor coupled to another end of the SOC layer; a third non-magnetic layer coupled to the magnetic junction device; and a bias T network coupled to the third non-magnetic layer.

    Abstract translation: 描述了一种装置,其包括:具有具有面内各向异性的磁性层和具有垂直各向异性的磁性层的磁性连接装置; 耦合到所述磁连接装置的自旋轨道耦合(SOC)层; 耦合到所述SOC层的一端的第一非磁性导体; 耦合到所述SOC层的另一端的第二非磁性导体; 耦合到所述磁结装置的第三非磁性层; 以及耦合到第三非磁性层的偏置T网络。

Patent Agency Ranking