公开(公告)号：WO2021189874A1

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：PCT/CN2020/129202

申请日：2020-11-16

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 喻学锋 ,  喻彬璐 ,  王佳宏 ,  杨娜

IPC: C30B29/10 ,  C30B29/62 ,  C30B25/00 ,  C30B25/005

Abstract: 本发明公开一种一磷化硅(SiP)晶体生长调控方法，该方法涉及单晶材料生长。制备方法是将硅源、磷源、输运剂、调控剂一起真空密封于石英管中，经过高温烧结成功得到SiP线状单晶，晶体长度可达到厘米级。该方法通过引入合适的调控剂便能改变SiP晶体形貌，晶体尺寸显著增大，并且大大提高晶体结晶性，这对于获得高质量单晶SiP具有重要意义。

公开(公告)号：WO2018169073A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：PCT/JP2018/010588

申请日：2018-03-16

Applicant: 国立大学法人名古屋大学

Inventor： 宇治原　徹 ,  竹内　幸久 ,  塩尻　大士 ,  松本　昌樹 ,  齊藤　廣志 ,  林　育夫

IPC: C30B29/62 ,  C04B35/581 ,  C30B29/38

Abstract: 本技術の目的は、金属粒子の混入を抑制することを図ったＡｌＮウィスカーの製造方法および製造装置およびＡｌＮウィスカー構造体およびＡｌＮウィスカーならびに樹脂成形体とその製造方法を提供することである。このＡｌＮウィスカーの製造方法においては、材料収容部（１２００）の内部でＡｌ含有材料を加熱してＡｌガスを発生させ、連通部（１２２０）から反応室（１３００）にＡｌガスを導入するとともにガス導入口（１３２０）から反応室（１３００）に窒素ガスを導入し、反応室（１３００）の内部に配置されたＡｌ 2 Ｏ 3 基板（１３１０）の表面からＡｌＮウィスカー（１００）を成長させる。

公开(公告)号：WO2018123899A1

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：PCT/JP2017/046218

申请日：2017-12-22

Applicant: 国立大学法人名古屋大学

Inventor： 岡本　佳比古 ,  竹中　康司 ,  井ノ原　拓実 ,  和田　泰地 ,  吉川　侑磨

IPC: H01L35/16 ,  C22C27/02 ,  C30B29/52 ,  C30B29/62 ,  H01L35/14 ,  C01B33/06

Abstract: ある態様の熱電変換材料は、下記式（１）： （Ｍ １ １－ｘ Ｍ ２ ｘ ） ４ Ｓｉ（Ｔｅ １－ｙ Ｍ ３ ｙ ） ４ 　（１） （式中、Ｍ １ はＴａまたはＮｂであり、　Ｍ ２ は、周期表４～１２族の元素からなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、　Ｍ ３ は、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、ＳｎおよびＰｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、　０≦ｘ＜０．２であり、　０≦ｙ＜０．２であり、　Ｍ ２ は、０＜ｘの場合、Ｍ １ と異なる元素である。） で表されることを特徴とする。

公开(公告)号：WO2013023585A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/CN2012/080144

申请日：2012-08-15

Applicant: 武善东 ,  武征 ,  张建华 ,  武善斌

Inventor： 武善东 ,  武征 ,  张建华 ,  武善斌

IPC: C30B29/46 ,  C30B29/62 ,  C30B7/14

CPC classification number: C30B7/14 ,  C30B29/46 ,  C30B29/62

Abstract: 本发明公开了一种大规模生产硫酸钙晶须的连续化工艺方法，解决了现有大规模生产硫酸钙晶须不能连续化流水作业的问题。本发明按照生产硫酸钙晶须必须遵循的五项基本要求即：溶液稀、含盐稳、速度慢、搅拌匀、陈化（时间）长，经改进合成硫酸钙结晶的条件，可以大规模连续化的合成硫酸钙晶须。本发明进一步减少了人工操作工作量并降低了技术要求，具有简易、高效、节能、环保、晶须质量极为优良的独特优点。

公开(公告)号：WO2008072479A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：PCT/JP2007/073034

申请日：2007-11-29

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  川島 孝啓 ,  齋藤 徹

Inventor： 川島 孝啓 ,  齋藤 徹

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B33/06 ,  C30B29/62 ,  H01L29/06 ,  H01L31/10 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C30B11/12 ,  C30B29/605 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/18 ,  H01L43/08 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762

Abstract: 　本発明のナノワイヤは、第１の材料から形成されたナノワイヤ本体と、第２の材料から形成され、ナノワイヤ本体の内部の少なくとも一部に内包している複数の半導体粒子とを備える。

Abstract translation: 公开了一种纳米线，其包括由第一材料制成的纳米线主体和由第二材料制成并内部包含在纳米线主体的至少一部分中的多个半导体颗粒。

公开(公告)号：WO2005078167A2

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/GB2005000390

申请日：2005-02-04

Applicant: BTG INT LTD ,  SEIFERT WERNER ,  SAMUELSON LARS IVAR ,  OHLSSON BJORN JONAS ,  BORGSTROM LARS MAGNUS

Inventor： SEIFERT WERNER ,  SAMUELSON LARS IVAR ,  OHLSSON BJORN JONAS ,  BORGSTROM LARS MAGNUS

IPC: B01J23/52 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B29/60 ,  C30B29/62 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B11/12 ,  B01J23/52 ,  B82Y30/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  C30B29/62 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02653 ,  Y10S977/825

Abstract: Nanowhiskers are grown in a non-preferential growth direction by regulation of nucleation conditions to inhibit growth in a preferential direction. In a preferred implementation, III-V semiconductor nanowhiskers are grown on an (001) III-V semiconductor substrate surface by effectively inhibiting growth in the preferential B direction. As one example, InP nano-wires were grown by metal-organic vapor phase epitaxy directly on (001) InP substrates. Characterization by scanning electron microscopy and transmission electron microscopy revealed wires with nearly square cross sections and a perfect zincblende crystalline structure that is free of stacking faults.

Abstract translation: 纳米晶须通过调节成核条件在非优先生长方向生长，以抑制生长在优先方向。 在优选的实施方案中，通过有效地抑制优先的111B方向的生长，在（001）III-V半导体衬底表面上生长<001> III-V半导体纳米晶须。 作为一个示例，通过直接在（001）InP衬底上的金属 - 有机气相外延生长<001> InP纳米线。 通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜的表征显示具有近似正方形截面的线和完全的闪锌矿晶体结构，其没有堆垛层错。

公开(公告)号：WO2005051842A2

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：PCT/US2004038271

申请日：2004-11-16

Applicant: GEN ELECTRIC ,  TSAKALAKOS LOUCAS ,  LEE JI-UNG ,  HUBER WILLIAM HULLINGER ,  CORDERMAN REED ROEDER ,  MANI VANITA

Inventor： TSAKALAKOS LOUCAS ,  LEE JI-UNG ,  HUBER WILLIAM HULLINGER ,  CORDERMAN REED ROEDER ,  MANI VANITA

IPC: B01J23/52 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J27/22 ,  B01J37/02 ,  B01J37/08 ,  C01B31/30 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/36 ,  C30B29/60 ,  C30B29/62 ,  H01J9/02 ,  C01B31/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B01J23/52 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J27/22 ,  B01J37/0215 ,  B01J37/0238 ,  B01J37/08 ,  C01B32/90 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/04 ,  C30B11/12 ,  C30B29/36 ,  C30B29/60 ,  C30B29/62 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: In a method of making an elongated carbide nanostructure, a plurality of spatially­-separated catalyst particles is applied to a substrate. The spatially-separated catalyst particles and at least a portion of the substrate are exposed to a metal-containing vapor at a preselected temperature and for a period sufficient to cause an inorganic nano­structure to form between the substrate and at least one of the catalyst particles. The inorganic nano-structure is exposed to a carbon-containing vapor source at a preselected temperature and for a period sufficient to carburize the inorganic nano­structure.

Abstract translation: 在制造细长的碳化物纳米结构的方法中，将许多空间分离的催化剂颗粒施加到基底上。 将空间分离的催化剂颗粒和基材的至少一部分在预选温度下暴露于含金属的蒸汽，并持续足以使底物与至少一种催化剂颗粒之间形成无机纳米结构的时间。 将无机纳米结构在预选温度下暴露于含碳蒸汽源，并持续足以使无机纳米结构渗碳的时间。

公开(公告)号：WO2004039731A3

公开(公告)日：2004-06-24

申请号：PCT/US0234861

申请日：2002-10-29

Applicant: MIDWEST RESEARCH INST ,  NORMAN ANDREW G ,  OLSON JERRY M

Inventor： NORMAN ANDREW G ,  OLSON JERRY M

IPC: C01G20060101 ,  C23C16/30 ,  C30B23/04 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/14 ,  C30B25/22 ,  C30B29/60 ,  C30B29/62

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C23C16/301 ,  C30B25/02 ,  C30B29/60 ,  C30B29/605

Abstract: Nanostructures (18) and methods for production thereof by phase separation during metal organic vapor-phase epitaxy (MOVPE). An embodiment of one of the methods may comprise providing a growth surface in a reaction chamber and introducing a first mixture of precursor materials into the reaction chamber to form a buffer layer (12) thereon. A second mixture of precursor materials may be provided into the reaction chamber to form an active region (14) on the buffer layer (12), wherein the nanostructure (18) is embedded in a matrix (16) in the active region (14). Additional steps are also disclosed for preparing the nanostructure (18) product for various applications.

Abstract translation: 纳米结构（18）及其在金属有机气相外延（MOVPE）期间通过相分离生产它们的方法。 其中一种方法的实施方式可以包括在反应室中提供生长表面并且将前体材料的第一混合物引入到反应室中以在其上形成缓冲层（12）。 前体材料的第二混合物可以被提供到反应室中以在缓冲层（12）上形成活性区域（14），其中纳米结构（18）嵌入活性区域（14）中的基体（16）中， 。 还公开了用于制备用于各种应用的纳米结构（18）产品的附加步骤。

公开(公告)号：WO99058925A3

公开(公告)日：2000-02-17

申请号：PCT/RU1999/000155

申请日：1999-05-13

IPC: B81B1/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/62 ,  G01B7/34 ,  G01Q70/10 ,  G01Q70/12 ,  G01Q70/14 ,  G01Q70/16 ,  G01N27/00

CPC classification number: G01Q70/16 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/62 ,  G01Q70/12 ,  Y10S117/902 ,  Y10S977/873 ,  Y10S977/875

Abstract: AFM/STM probes are based on whiskers grown by the vapor-liquid-solid (VLS) mechanism. Silicon cantilevers oriented along the crystallographic plane (111) are prepared from silicon-on-insulator structures that contain a thin layer (111) on a (100) substrate with SiO2 interposed layer. At removal of solidified alloy globules inherent in the growth mechanism sharpening of the whiskers takes place and, in such a way, the probes are formed. Cross-sections of the wiskers grown by the mechanism on the cantilevers can be controllably changed during the growth process so that step-shaped whiskers optimal for fabrication of the probes can be prepared. Also, whiskers with expansions/contractions can be formed that are important for fabrication of probes suitable for investigations in coarse surfaces, complicated cavitites, grooves typical for semiconductor microelectronics, etc.

Abstract translation: AFM / STM探针基于通过气 - 液 - 固（VLS）机制生长的晶须。 沿着结晶平面（111）取向的硅悬臂由绝缘体上硅结构制备，其中在（100）衬底上含有SiO 2插入层的薄层（111）。 在去除生长机理固有的凝固合金球时，会发生晶须的磨碎，并以这种方式形成探针。 通过悬臂机构生长的晶须的横截面可以在生长过程中可控地改变，从而可以制备用于探针制造最佳的阶梯形晶须。 此外，可以形成具有膨胀/收缩的晶须，其对于制造适于在粗糙表面，复杂的空穴蚀刻，用于半导体微电子学的典型的凹槽等的研究的探针是重要的。

公开(公告)号：WO2020138378A1

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：PCT/JP2019/051332

申请日：2019-12-26

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  国立大学法人 筑波大学

Inventor： 藤森　利彦 ,  日方　威 ,  大久保　総一郎 ,  藤田　淳一 ,  大塚　順

IPC: C01B32/162 ,  B01J31/22 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/164 ,  C01B32/168 ,  C30B29/02 ,  C30B29/62

Abstract: カーボンナノチューブの製造方法は、浮遊状態の触媒粒子に炭素含有ガスを供給することにより、前記触媒粒子からカーボンナノチューブを成長させる成長工程と、浮遊状態の前記カーボンナノチューブに引張力を加えることにより、前記カーボンナノチューブを伸長させる伸長工程とを含む。