公开(公告)号：WO2022172824A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：PCT/JP2022/004028

申请日：2022-02-02

申请人： ＤＩＣ株式会社

发明人： 高　榕輝 ,  狩野　佑介 ,  田淵　穣 ,  袁　建軍

IPC分类号： B01J27/051 ,  B01J27/049 ,  B01J37/20 ,  C01B3/04 ,  C25B11/075 ,  C25B11/091 ,  C30B29/48 ,  H01M8/0656

摘要： 本発明の第１の態様の水素発生触媒は、二硫化モリブデンの３Ｒ結晶構造を含む硫化モリブデン粉体を含有する。本発明の第２の態様の水素発生触媒は、第３族～第１３族金属がドープされ、かつ、二硫化モリブデンの３Ｒ結晶構造を含む、金属ドープ硫化モリブデン粉体を含有する。

公开(公告)号：WO2021175089A1

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：PCT/CN2021/075520

申请日：2021-02-05

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 徐刚

IPC分类号： C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48

摘要： 本发明公开一种反应腔室，包括：腔体，腔体与上盖通过绝缘部相连，且腔体与上盖形成内腔，上盖开设有与内腔连通的通孔；进气机构包括至少部分设置在通孔中的绝缘主体，绝缘主体中设置有进气通道，绝缘主体的背离内腔的一侧设置有法兰部件，法兰部件接地，且用于将进气通道的进气端与用于输送反应气体的进气管的出气端相连通；进气通道的出气端与内腔相连通；并且，进气通道包括至少两个在通孔的轴向上依次连通的通道段，且任意相邻两个通道段在垂直于通孔的轴向的平面上的正投影相互错开。本方案解决现有的反应腔室内部容易发生意外打火的问题。

公开(公告)号：WO2019092704A1

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：PCT/IL2018/051186

申请日：2018-11-06

申请人： YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM LTD

发明人： BANIN, Uri ,  NING, Jiajia ,  WAISKOPF, Nir

IPC分类号： C30B7/14 ,  C30B29/48 ,  C30B29/60 ,  C09K11/08

CPC分类号： C30B29/60 ,  C09K11/883 ,  C30B7/14 ,  C30B29/48

摘要： The invention provides a novel colloidal route to the synthesis of semiconductor (SC) nanocrystals (NCs), with controlled shape and size, via a controlled attachment process.

公开(公告)号：WO2017214107A1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：PCT/US2017/036100

申请日：2017-06-06

申请人： NANOSYS, INC.

发明人： KAN, Shihai

IPC分类号： C30B7/14 ,  C30B29/48

摘要： The invention is in the field of nanostructure synthesis. The invention relates to methods for producing nanostructures, particularly Group III-V and Group II-VI semiconductor nanostructures, such as InP/ZnSe or In/ZnSe/ZnS core/shell nanoparticles. The invention also relates to high temperature methods of synthesizing nanostructures comprising simultaneous injection of cores and shell precursors.

摘要翻译： 本发明属于纳米结构合成领域。 本发明涉及用于制造纳米结构，特别是III-V族和II-VI族半导体纳米结构，例如InP / ZnSe或In / ZnSe / ZnS核/壳纳米颗粒的方法。 本发明还涉及合成纳米结构的高温方法，包括同时注入核和壳前体。

公开(公告)号：WO2015189004A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/EP2015/060881

申请日：2015-05-18

申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH

发明人： GRÜTZMACHER, Detlev ,  WIRTHS, Stephan ,  BUCA, Dan Mihai ,  MANTL, Siegfried

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/52 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B25/10 ,  C09K11/66 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/10 ,  C30B29/52 ,  C30B29/68 ,  G02B6/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/02322 ,  H01S5/021 ,  H01S5/042 ,  H01S5/3027 ,  H01S5/3054

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum monolithischen Abscheiden einer einkristallinen, bei Anregung leuchtenden, aus mehreren Elementen der IV-Haupt-gruppe bestehende IV-IV-Schicht, insbesondere einer GeSn oder Si-GeSn Schicht mit einer Versetzungsdichtekleiner 6cm -2 auf einem IV-Substrat, insbesondere einem Silizium-oder Germanium-Substrat mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Hydrids eines ersten IV-Elementes (A) beispielsweise Ge 2 H 6 oder Si 2 H 6 ; Bereitstellen eines Halogenids eines zweiten IV-Elementes (B) beispielsweise SnCl 4 ; Aufheizen des Substrates auf eine Substrattemperatur, die geringer ist als die Zerlegungstemperatur des reinen Hydrids oder eines daraus gebildeten Radikals und ausreichend hoch ist, dass Atome des ersten Elementes (A) und des zweiten Elementes (B) in kristalliner Ordnung in die Oberfläche eingebaut werden, wobei die Substrattemperatur insbesondere in einem Bereich zwischen 300° C und 475° C liegt; Erzeugen eines Trägergasstroms aus einem inerten Trägergas, insbesondere N 2 , Ar, He, welches insbesondere kein H 2 ist; Transportieren des Hydrids und des Halogenids sowie daraus entstandene Zerfallsprodukte zur Oberfläche bei einem Totaldruck von maximal 300 mbar; Abscheiden der IV-IV-Schicht oder einer aus gleichartigen IV-IV-Schichten bestehende Schichtenfolge mit einer Dicke von mindestens 200 nm, wobei die abgeschiedene Schicht insbesondere eine Si y Ge 1-x-y Sn-Schicht ist, mit x > 0,08 und y ≤1.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于单片沉积单晶，从多个现有IV-IV层的IV主族元素的激发照明，特别是GeSn或Si-GeSn层IV基板上具有小于6厘米-2的位错密度 ，特别是硅或锗衬底，包括以下步骤：提供元件的第一氢化物IV（a）中，例如，Si2的H6或Ge2H6; 提供第二IV族元素（B）的卤化物，例如，四氯化锡; 加热衬底被安装在晶序中的衬底温度的表面，该表面比纯氢化物或由其形成的基团的分解温度较低，并且是足够高，使得原子，所述第一元件（A）和第二元件（B）， 其中，所述衬底温度最好在300℃和475℃之间的范围内; 产生的惰性载气的载气流，特别是N 2，氩，氦，这是特别不H2; 在最大300毫巴的总压输送氢化物和卤化物以及由此产生的任何降解产物的表面上; 沉积IV-IV-层或由类似的IV-IV层的层序列的具有厚度至少为200纳米，其中所述沉积的层是特别是SiyGe1-X-YSN层，其中x> 0.08和y≤ 第一

公开(公告)号：WO2012143257A1

公开(公告)日：2012-10-26

申请号：PCT/EP2012/056418

申请日：2012-04-10

申请人： AIXTRON SE ,  BRIEN, Daniel ,  DAUELSBERG, Martin ,  STRAUCH, Gerhard Karl ,  FAHLE, Dirk

发明人： BRIEN, Daniel ,  DAUELSBERG, Martin ,  STRAUCH, Gerhard Karl ,  FAHLE, Dirk

IPC分类号： C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B29/48 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45576 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/46 ,  C30B25/165 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0262

摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung sowie ein Verfahren zum Abscheiden von II-VI- oder III-V-Halbleiterschichten auf einem oder mehreren Substraten (4), mit einem Reaktorgehäuse aufweisend eine im Reaktorgehäuse angeordnete Prozesskammer (1), einen in der Prozesskammer (1) angeordneten Suszeptor (2) zur Aufnahme des Substrates (4), eine Heizeinrichtung (18) zum Aufheizen des Suszeptors (2), ein Gaseinlassorgan (7) mit einer Gasmisch-/ Versorgungseinrichtung (34) aufweisend eine Quelle (31) für die metallorganische Komponente, eine Quelle (30) für ein Hydrid, und eine Quelle (32) für die Halogenkomponente, wobei die Quellen (30, 31, 32), mit dem Gaseinlassorgan (7) verbunden sind, um die Gase in voneinander getrennten Gasflüssen in die aufgeheizte Prozesskammer (1) zu bringen. Zur Verminderung einer parasitären Belegung des Suszeptors stromaufwärts des Substrates, wird vorgeschlagen, dass das Gaseinlassorgan (7) mehrere voneinander getrennte Gaseinlasszonen (8, 9, 10) aufweist, wobei eine Halogenkomponenteneinlasszone (10), die mit der Halogenkomponentenquelle (32) verbunden ist, stromaufwärts unmittelbar vor einem beheizten Oberflächenabschnitt (15) der Prozesskammer und ihm am nächsten liegend angeordnet ist.

摘要翻译： 本发明涉及一种装置和用于II-VI族或III-V族半导体层的上的一个或多个基板（4）的分离的方法，具有反应器壳体包括设置在所述反应器壳体工艺腔室的装置（1），一个在所述处理腔室（1） 布置的基座（2），用于接收所述基板（4），加热装置（18），用于加热基座（7），其具有包括用于有机金属成分的源（31）的气体混合/供应装置（34），（2），进气元件 源（30），用于氢化物，和卤素组分的源极（32），其中，所述源（30，31，32），与该气体入口元件（7）被连接到单独的气体加热的气体在流 以使处理室（1）。 为了减少在基座的衬底的上游的寄生占用，所以建议在气体入口构件（7）的多个单独的进气区域（8,9，10），其中卤素组分入口区（10）与卤素组分源（32）连接， 立即上游的处理腔室的加热的表面部分（15）的前部和被布置成最接近于他。

公开(公告)号：WO2008023639A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：PCT/JP2007/066014

申请日：2007-08-17

申请人： 日鉱金属株式会社 ,  鈴木 健二 ,  平野 立一 ,  栗田 英樹

发明人： 鈴木 健二 ,  平野 立一 ,  栗田 英樹

IPC分类号： C30B29/48

CPC分类号： C30B29/48 ,  C30B11/00 ,  C30B33/00

摘要： 　ＨｇＣｄＴｅ膜のエピタキシャル成長を行う際に、前処理としてのエッチング処理が不要なエピタキシャル成長用半導体基板を提供する。 　ＨｇＣｄＴｅ膜をエピタキシャル成長させるためのＣｄＴｅ系化合物半導体基板について、該基板に鏡面仕上げ処理を施した後、所定時間（例えば、１０時間）以内に不活性ガス雰囲気内に収容し、ＸＰＳ測定により得られる基板表面の総Ｔｅ量に占めるＴｅ酸化物の比率を３０％以下とした。

摘要翻译： 用于外延生长的半导体衬底，其在进行HgCdTe膜的外延生长的阶段中不需要任何蚀刻处理作为预处理。 在惰性气体气氛中，将惰性气体气氛中的HgCdTe膜的规定时间（例如10小时）外延生长的CdTe化合物半导体衬底调整为总氧化物的比例 通过XPS测量确定的基板表面中的Te的量为30％或更低。

公开(公告)号：WO2007064247A2

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：PCT/RU2006/000626

申请日：2006-11-24

申请人： ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ТЕРМО А" ,  ГОЛЫШЕВ Владимир Дмитриевич ,  ГОНИК Михаил Александрович ,  БЫКОВА Светлана Викторовна ,  ЦВЕТОВСКИЙ Владимир Борисович

发明人： ГОЛЫШЕВ Владимир Дмитриевич ,  ГОНИК Михаил Александрович ,  БЫКОВА Светлана Викторовна ,  ЦВЕТОВСКИЙ Владимир Борисович

IPC分类号： C30B13/18 ,  C30B29/48

CPC分类号： C30B29/48 ,  C30B13/18

摘要： Изобретение относится к области выращивания монокристаллов Сd 1-x Zn x Te (СZT), 0≤x≤1, из расплава под высоким давлением инертного газа. Рост кристаллов идет в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации (ОТФ метод). Метод ОТФ в применении к СZT обеспечивает следующие возможности: управление составом в продольном направлении за счет создания зоны подпитки, благодаря делению расплава на две зоны погруженным в расплав нагревателем (ОТФ нагреватель); управление составом в поперечном направлении за счет управления с помощью ОТФ нагревателя формой фронта кристаллизации; контроль величины перегрева расплава с помощью термодатчиков в ОТФ нагревателе; возможность получения малодислокационных кристаллов за счет создания одномерного теплового поля вблизи фронта кристаллизации; повышение микрооднородности кристаллов за счет создания вблизи межфазной поверхности слабых ламинарных течений. Выращенные кристаллы CZT характеризуются высокой степенью макро и микрооднородности (отклонения от заданного состава в объеме составляют 3 см -2 без отжига).

摘要翻译： 本发明涉及在惰性气体高压下从熔体中生长的CD 1-X 1 Zn x Te（CZT）单晶，其中0 = x = 1。 晶体生长在结晶前沿附近的轴向热流（OTF法）的条件下进行。 所述OFT方法在应用于CZT时，可以通过在熔融物（OTF加热器）中浸入加热器的情况下将熔体分成两个区域来形成供料区域，从而能够控制长度方向的组成， 2）通过借助于所述OTF加热器控制结晶正面形状来控制横向的组成，3）借助于OTF加热器中的热传感器来控制熔体过热值，4）产生低位错 通过在结晶前沿附近形成热场，并且通过在界面表面附近形成低层流来增加晶体微均匀性。 生长的CZT晶体的特征在于高度的宏观和微均匀性（与指定组合物的偏差<0.5体积％，蚀刻坑的平均密度等于5×10 3 cm 3） SUP> 2 ）。

公开(公告)号：WO2006094980A3

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：PCT/EP2006060522

申请日：2006-03-07

申请人： BASF AG ,  STERZEL HANS-JOSEF

发明人： STERZEL HANS-JOSEF

IPC分类号： H01L31/032 ,  C30B29/48 ,  H01L21/363 ,  H01L21/368 ,  H01L31/0296

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： The invention relates to a photovoltaic cell and to a method for producing a photovoltaic cell containing a semiconductor photovoltaically active material of formula (I) or (II): ZnTe (I) Zn 1-x Mn x Te (II), wherein x is a number ranging from 0.01 to 0.07, wherein the semiconductor photovoltaically active material contains a metal halogenide selected from a germanium, tin, antimony, bismuth and copper group and a halogen selected from a fluorine, chlorine, bromine and iodine group.

摘要翻译： 本发明涉及一种光伏电池和用于制备包含式（I）或（II）的一个光电有源半导体材料的光伏电池的方法：的ZnTe（I）的Zn _{1-x 的Mn X 碲（II） - 的0.01〜0.7号，其中，所述光电有源半导体材料包括含有选自锗，锡，锑，铋和铜中选择的金属的金属卤化物，以及 选自氟，氯，溴和碘的卤素。}

公开(公告)号：WO2006045600A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：PCT/EP2005/011461

申请日：2005-10-26

申请人： BASF AKTIENGESELLSCHAFT ,  STERZEL, Hans-Josef

发明人： STERZEL, Hans-Josef

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0296 ,  C30B29/48

CPC分类号： H01L31/068 ,  C30B23/02 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02573 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine photovoltaische Zelle mit einem photovoltaisch aktiven Halbleitermaterial, wobei das photovoltaisch aktive Halbleitermaterial ein p- oder ein n-dotiertes Halbleitermaterial mit einer binären Verbindung der Formel (I) oder mit einer ternären Verbindung der Formel (II) ist: ZnTe (I) Zn 1-x Mn x Te (II) mit x = ; Zahl von 0,01 bis 0,99, und wobei in dem photovoltaisch aktiven Halbleitermaterial zu einem bestimmten Anteil Tellurionen durch Halogenionen und Stickstoffionen substituiert sind und die Halogenionen ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Fluorid, Chlorid und Bromid oder eine Mischung daraus.

摘要翻译： 本发明涉及一种光电池，包括一个光电有源半导体材料，其中，所述光电有源半导体材料（I）或式（II）的三元化合物是n型掺杂的半导体材料与式的二元化合物的p或：的ZnTe （I）的Zn _{1-x 的Mn X 碲（II），其中x =; 的0.01至0.99号码，并在光电有源半导体材料被取代以由卤离子和氮离子和卤素离子碲一定比例的选自氟化物，氯化物和溴化物，或它们的混合物的组中选择。}