公开(公告)号：WO2023090920A1

公开(公告)日：2023-05-25

申请号：PCT/KR2022/018251

申请日：2022-11-17

申请人： 엘지이노텍 주식회사

发明人： 최병현

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/66 ,  H01L23/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/64

摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 SiP 모듈은 기판; 상기 기판의 내부에 임베디드되는 제1IC(Integrated Chip); 상기 기판의 일면에 배치되는 제2IC를 포함하고, 상기 기판의 상기 일면과 타면을 관통하는 제1방향을 기준으로 상기 제1IC와 상기 제2IC는 적어도 일부가 오버랩되어 배치된다.

公开(公告)号：WO2023065695A1

公开(公告)日：2023-04-27

申请号：PCT/CN2022/099441

申请日：2022-06-17

申请人： 上海闻泰信息技术有限公司

发明人： 李重

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/64 ,  H01L21/48

摘要： 一种系统级封装结构及其制作方法。系统级封装结构（1）包括：至少一裸片（2）、若干第一焊盘（3）、导电框架（5）和封塑层（7）；导电框架（5）复用为无源器件（4）和基岛（6）；裸片（2）设置在基岛上，第一焊盘（3）设置在裸片（2）上，裸片（2）与第一焊盘（3）电连接；第一焊盘（3）与无源器件电连接；封塑层（7）包覆裸片（2）、第一焊盘（3）和导电框架（5）。该系统级封装结构省去封装实体无源器件到芯片当中，一方面可以提高生产效率，另一方面还可以实现系统级封装结构的小型化。

公开(公告)号：WO2022215851A1

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：PCT/KR2022/002136

申请日：2022-02-14

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 이상호 ,  김기현 ,  박상용 ,  백광현 ,  백승재

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L23/492 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/00

摘要： 일 실시 예에 따른 패키지 장치(300)는, 기판(310); 상기 기판(310)의 일면에 배치되는 복수 개의 상부 랜드(311); 상기 복수 개의 상부 랜드(311)에 배치되는 복수 개의 상부 솔더 볼(331); 상기 복수 개의 상부 솔더 볼(331)에 연결되는 다이(320); 상기 기판(310)의 타면에 배치되는 복수 개의 하부 랜드(312); 상기 복수 개의 하부 랜드(312) 중 일부의 하부 랜드에 배치되는 복수 개의 하부 솔더 볼(332); 및 상기 복수 개의 하부 랜드(312) 중 상기 하부 솔더 볼이 배치되지 않은 하부 랜드에 연결되고, 상기 다이(320)의 반대편에 마련되고, 상기 하부 솔더 볼(332)의 높이 보다 큰 높이를 갖는 캐패시터(340)를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：WO2022147958A1

公开(公告)日：2022-07-14

申请号：PCT/CN2021/098844

申请日：2021-06-08

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 苏星松 ,  白卫平 ,  郁梦康 ,  王连红

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L23/64 ,  H01L27/108

摘要： 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种电容结构的制备方法、电容结构及存储器，用于解决电容结构性能较差的技术问题。该电容结构包括相对设置的两个电极，以及位于两个电极之间的介电层；介电层包括堆叠设置的至少两个钙钛矿层，每相邻的两个钙钛矿层之间设置有无定形层，且位于至少两个钙钛矿层中最外侧的两个钙钛矿层分别与两个电极相接触。本申请通过在相邻钙钛矿层之间设置无定形层，利用无定形层可以抑制电子输出，从而减小电容结构的漏电流，提高电容结构的性能。

公开(公告)号：WO2022093505A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：PCT/US2021/053783

申请日：2021-10-06

申请人： MODULAR POWER TECHNOLOGY, INC.

发明人： PERERA, Dhammika L. ,  WELD, John ,  WILKOWSKI, Matthew

IPC分类号： H01F27/02 ,  H01F27/22 ,  H05K7/20 ,  H01L23/64

摘要： Embodiments of the present disclosure include an apparatus having a band (30) including a high thermally conductive material disposed at least partially around an inductor (10).

公开(公告)号：WO2022066299A1

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：PCT/US2021/044884

申请日：2021-08-06

申请人： INTEL CORPORATION

发明人： DUONG, Benjamin ,  GARELICK, Michael ,  GRUJICIC, Darko ,  IBRAHIM, Tarek ,  MARIN, Brandon C. ,  VADLAMANI, Sai ,  WALL, Marcel

IPC分类号： H01L23/64 ,  H05K1/02 ,  H01L49/02

摘要： An electronic substrate may be fabricated by forming a base substrate and forming an inductor extending through the base substrate, wherein the inductor includes a magnetic material layer and a barrier layer, such that the barrier layer prevents the magnetic material layer from leaching into plating solutions during the fabrication of the electronic substrate. In one embodiment, the barrier material may comprise titanium. In another embodiment, the barrier layer may comprise a polymeric material. In still another embodiment, the barrier layer may comprise a nitride material layer. The inductor may further include a plating seed layer on the barrier layer and a conductive fill material abutting the plating seed layer.

公开(公告)号：WO2022022048A1

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：PCT/CN2021/097117

申请日：2021-05-31

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 陆勇 ,  吴公一 ,  沈宏坤

IPC分类号： H01L23/64

摘要： 本申请涉及一种电容器结构及其制作方法、存储器。该方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成柱状的第一导电结构；于所述衬底上形成第二导电结构，其中所述第二导电结构环绕所述第一导电结构，且与所述第一导电结构间隔设置，所述第一导电结构和所述第二导电结构共同构成下电极；形成电容介质层，所述电容介质层覆盖所述衬底和所述下电极的表面；形成覆盖所述电容介质层表面的上电极。

公开(公告)号：WO2021196018A1

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：PCT/CN2020/082573

申请日：2020-03-31

申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司

发明人： 陆斌 ,  沈健

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L27/08

摘要： 本申请提供一种电容器及其制作方法，能够制备小体积、高容值密度的电容器。该电容器包括：多翼结构，包括多组翼状结构和多个支撑结构，其中，每组翼状结构中的各个翼状结构平行设置，该支撑结构为沿着第一方向延伸的中空的结构，该翼状结构为该支撑结构的外侧壁向垂直于该第一方向的方向延伸形成的凸起结构；叠层结构，该叠层结构包覆该多翼结构，该叠层结构包括至少一层电介质层和多层导电层，该至少一层电介质层和该多层导电层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构；至少一个第一外接电极，电连接至该多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层；至少一个第二外接电极，电连接至该多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。

公开(公告)号：WO2021173817A1

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：PCT/US2021/019639

申请日：2021-02-25

申请人： QUALCOMM INCORPORATED

发明人： KIM, Jonghae ,  SHENOY, Ravindra Vaman ,  SHAH, Milind ,  GOUSEV, Evgeni ,  CHIDAMBARAM, Periannan

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01F17/00 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16

摘要： Reducing the space occupied by a voltage regulation integrated circuit (IC) that includes an inductor is achieved by implementing the inductor as a 3D inductor having windings formed of conductive elements integrated into a lower substrate, a circuit layer, and an upper substrate, and positioning other components within a core space of the 3D inductor in the circuit layer. The space occupied by the inductor is shared with the other circuit components and with the structural layers of the voltage regulation IC. A voltage regulation IC may be a switched-mode power supply (SMPS) that includes an inductor with a capacitor and/or a switching circuit. The inductor is implemented as upper horizontal traces in an upper substrate, lower horizontal traces in a lower substrate, and vertical interconnects in a circuit layer between the upper substrate and the lower substrate, and the conductive elements form the 3D inductor as a rectangular coil.

公开(公告)号：WO2021169787A1

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：PCT/CN2021/075945

申请日：2021-02-08

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 陆勇

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L23/64

摘要： 本申请涉及一种双面电容结构及其形成方法。所述双面电容结构的形成方法包括：提供一基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的电容触点、位于所述衬底表面的叠层结构、以及贯穿所述叠层结构并暴露所述电容触点的电容孔，所述叠层结构包括沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠的牺牲层和支撑层；依次形成第一电极层、第一电介质层和第二电极层于所述电容孔的内壁；填充第一导电材料于所述电容孔内，形成第一导电填充层；完全去除若干层牺牲层和/或支撑层，使得至少残留两层支撑层；形成第二电介质层、以及覆盖与所述第二电介质层表面的第三电极层。本申请减少甚至是避免了电极坍塌和倾覆的风险，同时有助于增大电容器的电容值。