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    COOLING PLASMA CUTTING SYSTEMS AND RELATED SYSTEMS AND METHODS
    2.
    发明申请
    COOLING PLASMA CUTTING SYSTEMS AND RELATED SYSTEMS AND METHODS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2017192576A9

    公开(公告)日：2017-11-09

    申请号：PCT/US2017/030622

    申请日：2017-05-02

    Applicant: HYPERTHERM, INC.

    Inventor： MELIUS, Brenda ,  CURRIER, Brian, J. ,  KAMATH, Girish, R.

    IPC: H05H1/36 ,  B23K9/10 ,  B23K10/00 ,  H05K7/20

    Abstract: In some aspects, power supplies for liquid cooled plasma cutting systems configured to support plasma arc generation by a torch head connected to the power supply can include: a set of electrical components for plasma arc generation; and a power supply housing containing the set of electrical components, the power supply housing having a front panel and at least two side panels and defining: a set of inlets for allowing a cooling gas to enter the power supply housing to thermally regulate the set of electrical components, at least one inlet of the set of inlets being positioned at a corner of the housing and oriented at a non-zero angle relative to the front panel and to at least one of the two side panels; and a set of vents for allowing at least a portion of the cooling gas to exit the power supply housing.

    SYSTEMS AND METHODS FOR PROVIDING POWER FOR PLASMA ARC CUTTING
    3.
    发明申请
    SYSTEMS AND METHODS FOR PROVIDING POWER FOR PLASMA ARC CUTTING 审中-公开
    用于为等离子弧切割提供功率的系统和方法

    公开(公告)号：WO2017180787A1

    公开(公告)日：2017-10-19

    申请号：PCT/US2017/027274

    申请日：2017-04-12

    Applicant: HYPERTHERM, INC.

    Inventor： CHIN, Wayne ,  KAMATH, Girish, R. ,  LEBLANC, Norman ,  PASSAGE, Christopher, S. ,  SELMER, Shane, M.

    IPC: H05H1/36

    Abstract: A plasma cutting system includes a plasma torch having a head, and a housing. A power supply is disposed within the housing and is in communication with the plasma torch. The power supply is configured to provide an output current for generating and maintaining a plasma cutting arc by the plasma torch, and includes a control processor in communication with a plurality of autonomous switching circuits via a multi-node communications bus. Each of the autonomous switching circuits includes a microcontroller configured to control the generation of a portion of the output current based on messages received from the control processor, monitor operating parameters of the autonomous switching circuit, and modify a control parameter of the autonomous switching circuit independent of and asynchronous to the other autonomous switching circuits of the plurality of autonomous switching circuits when one or more of the operating parameters exceeds a predetermined threshold.

    Abstract translation: 等离子切割系统包括具有头部的等离子体炬和壳体。 电源设置在壳体内并与等离子炬连通。 电源被配置为提供输出电流以用于通过等离子炬产生和保持等离子切割弧，并且包括通过多节点通信总线与多个自主切换电路通信的控制处理器。 每个自主开关电路包括微控制器，该微控制器被配置为基于从控制处理器接收的消息来控制输出电流的一部分的产生，监测自主开关电路的操作参数，并且修改独立于自主开关电路的控制参数 并且当一个或多个操作参数超过预定阈值时，与多个自治开关电路中的其它自治开关电路异步。

    VERFAHREN ZUR VERMEIDUNG VON ÜBERLAST AN DER BRENNERDÜSE EINES PLASMABRENNERS
    4.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR VERMEIDUNG VON ÜBERLAST AN DER BRENNERDÜSE EINES PLASMABRENNERS 审中-公开
    用于预防OVERLOAD上的离子燃烧器的燃烧器

    公开(公告)号：WO2016142383A1

    公开(公告)日：2016-09-15

    申请号：PCT/EP2016/054924

    申请日：2016-03-08

    Applicant: OERLIKON METCO AG, WOHLEN

    Inventor： CHENG, Ni

    IPC: B23K10/00 ,  H05H1/36

    CPC classification number: H05H1/34 ,  B23K10/00 ,  B23K10/006 ,  H05H2001/3494

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Starten einer Rezeptur in einem Plasmabrenner, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: -Einstellung einer Stromstärke auf einen Stromstärkennominalwert -Einstellung eines Gasflusses auf einen Gasflussnominalwert dadurch gekennzeichnet, dass während der Einstellung des Gasflusses auf den Gasflussnominalwert die Stromstärke so geregelt wird, dass sie immer unterhalb des Stromstärkennominalwertes liegt dergestalt, dass es nicht zur einem Leistungshügel kommt.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于在等离子炬起始配方，所述方法包括以下步骤：设置一个电流值的气体流，其特征在于通过在气体流标称值气流的调整，电流强度，从而在这段控制的气流标称值的电流标称值设定 是，它总是在低于额定电流值这样一种方式，它不来一个电源山上。

    点火装置
    7.
    发明申请
    点火装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2015119162A2

    公开(公告)日：2015-08-13

    申请号：PCT/JP2015/053126

    申请日：2015-02-04

    Applicant: イマジニアリング株式会社

    Inventor： 池田　裕二 ,  神原　誠士 ,  大坪秀和

    IPC: F02P23/04 ,  F02P3/01 ,  H05H1/24 ,  H05H1/36

    CPC classification number: F02P3/01 ,  F02B23/08 ,  F02D2200/101 ,  F02P5/1502 ,  F02P9/007 ,  F02P23/04 ,  H03F3/193 ,  H05H1/52 ,  Y02T10/125 ,  Y02T10/46

    Abstract: 　点火装置は、内燃機関の燃焼室へ電磁波を放射する放射部と、前記放射部へ供給する電磁波を生成する生成部を備え、前記生成部は、前記電磁波に対応する周波数の電気信号を生成する発振器と、前記電気信号の増幅を行う第１増幅回路と、前記第１増幅回路の後段に設けられ、前記第１増幅回路からの出力が所定値以上の場合に増幅を行う第２増幅回路を有し、前記第１増幅回路は、前記放射部が電磁波を放射するタイミングに応じて、前記電気信号の増幅のオン／オフを切り替える。

    Abstract translation: 该点火装置包括向内燃机的燃烧室发射电磁波的发射单元和产生要供给到所述发射单元的电磁波的发生单元。 生成单元具有产生与所述电磁波对应的频率的电信号的振荡器，放大所述电信号的第一放大电路，以及设置在第一放大电路下游的第二放大电路， 第一放大器电路等于或大于预定值。 第一放大器电路根据发射单元发射电磁波的时间来打开或关闭所述电信号的放大。

    PROACTIVE ARC MANAGEMENT OF A PLASMA LOAD
    8.
    发明申请
    PROACTIVE ARC MANAGEMENT OF A PLASMA LOAD 审中-公开
    等离子体负载的前瞻性ARC管理

    公开(公告)号：WO2012024165A3

    公开(公告)日：2012-11-22

    申请号：PCT/US2011047464

    申请日：2011-08-11

    Applicant: ADVANCED ENERGY IND INC ,  LARSON SKIP B ,  NAUMAN KENNETH E ,  WALDE HENDRIK ,  MCDONALD R MIKE

    Inventor： LARSON SKIP B ,  NAUMAN KENNETH E ,  WALDE HENDRIK ,  MCDONALD R MIKE

    IPC: H05H1/36 ,  G05F1/10 ,  H01H9/50 ,  H02M7/00

    CPC classification number: H05H1/46 ,  H05H2001/4682

    Abstract: Proactive arc management systems and methods are disclosed. In many implementations, proactive arc management is accomplished by executing an arc handling routine in response to an actual arc occurring in the plasma load and in response to proactive arc handling requests in a sampling interval. The number of proactive arc handling requests in a sampling interval is a function of a proactive arc management count that in turn is a function of actual number of arcs in a preceding sampling interval. Accordingly during a present sampling interval proactive arc management executes arc handling for actual arcs in the present sampling interval and for each count in a proactive arc management count updated as a function of the number of arcs in the immediately preceding sampling interval.

    Abstract translation: 公开了主动电弧管理系统和方法。 在许多实施方式中，通过响应于在等离子体负载中发生的实际电弧以及响应于采样间隔中的主动电弧处理请求而执行电弧处理例程来实现主动电弧管理。 采样间隔中主动电弧处理请求的数量是主动电弧管理计数的函数，而主动电弧管理计数又是先前采样间隔中实际弧数的函数。 因此，在当前采样间隔期间，主动电弧管理在当前采样间隔中针对实际电弧执行电弧处理，并针对在前一个采样间隔中根据电弧数量更新的主动电弧管理计数中的每个计数执行电弧处理。

    INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR HAVING RF PHASE CONTROL AND METHODS OF USE THEREOF
    9.
    发明申请
    INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR HAVING RF PHASE CONTROL AND METHODS OF USE THEREOF 审中-公开
    具有射频控制的电感耦合等离子体反应器及其使用方法

    公开(公告)号：WO2010102161A3

    公开(公告)日：2011-01-13

    申请号：PCT/US2010026291

    申请日：2010-03-05

    Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  GRIMBERGEN MICHAEL N ,  OUYE ALAN HIROSHI ,  TODOROW VALENTIN N

    Inventor： GRIMBERGEN MICHAEL N ,  OUYE ALAN HIROSHI ,  TODOROW VALENTIN N

    IPC: H05H1/36 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/321 ,  H01L21/67069

    Abstract: Embodiments of the present invention generally provide an inductively coupled plasma (ICP) reactor having a substrate RF bias that is capable of control of the RF phase difference between the ICP source (a first RF source) and the substrate bias (a second RF source) for plasma processing reactors used in the semiconductor industry. Control of the RF phase difference provides a powerful knob for fine process tuning. For example, control of the RF phase difference may be used to control one or more of average etch rate, etch rate uniformity, etch rate skew, critical dimension (CD) uniformity, and CD skew, CD range, self DC bias control, and chamber matching.

    Abstract translation: 本发明的实施例通常提供具有衬底RF偏压的电感耦合等离子体（ICP）反应器，其能够控制ICP源（第一RF源）和衬底偏压（第二RF源）之间的RF相位差， 用于半导体工业中使用的等离子体处理反应器。 RF相位差的控制为微调过程提供了强大的旋钮。 例如，可以使用RF相位差的控制来控制平均蚀刻速率，蚀刻速率均匀性，蚀刻速率偏斜，临界尺寸（CD）均匀性和CD偏斜，CD范围，自身DC偏置控制中的一个或多个，以及 室匹配。

    INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR HAVING RF PHASE CONTROL AND METHODS OF USE THEREOF
    10.
    发明申请
    INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR HAVING RF PHASE CONTROL AND METHODS OF USE THEREOF 审中-公开
    具有射频相控制的电感耦合等离子体反应器及其使用方法

    公开(公告)号：WO2010102125A2

    公开(公告)日：2010-09-10

    申请号：PCT/US2010026237

    申请日：2010-03-04

    Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  BANNA SAMER ,  TODOROW VALENTIN N

    Inventor： BANNA SAMER ,  TODOROW VALENTIN N

    IPC: H05H1/36 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/321 ,  H01L21/67069

    Abstract: Embodiments of the present invention generally provide an inductively coupled plasma (ICP) reactor having a substrate RF bias that is capable of control of the RF phase difference between the ICP source (a first RF source) and the substrate bias (a second RF source) for plasma processing reactors used in the semiconductor industry. Control of the RF phase difference provides a powerful knob for fine process tuning. For example, control of the RF phase difference may be used to control one or more of average etch rate, etch rate uniformity, etch rate skew, critical dimension (CD) uniformity, and CD skew, CD range, self DC bias control, and chamber matching.

    Abstract translation: 本发明的实施例通常提供一种电感耦合等离子体（ICP）反应器，其具有能够控制ICP源（第一RF源）和衬底偏压（第二RF源）之间的RF相位差的衬底RF偏压， 用于半导体工业中使用的等离子体处理反应堆。 RF相位差的控制为精细的过程调整提供了一个强大的旋钮。 例如，可以使用RF相位差的控制来控制平均蚀刻速率，蚀刻速率均匀性，蚀刻速率偏斜，临界尺寸（CD）均匀性和CD偏斜，CD范围，自DC偏置控制和 室匹配。

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