公开(公告)号：WO2023011939A1

公开(公告)日：2023-02-09

申请号：PCT/EP2022/070576

申请日：2022-07-22

Applicant: SILTRONIC AG

Inventor： ZEMAN, Otto ,  DO, Quoc Thai ,  ESCHENBACHER-BLADT, Patrick ,  RAMING, Georg

IPC: C30B15/16 ,  C30B15/32 ,  C30B29/06

Abstract: Device and method for the production of a crystal according to the Czochralski method. The device comprises a drawing shaft comprising a surface, a seed holder suitable to hold the crystal seed during crystal pulling and a dish in a form of a hollow truncated cone, which builds an opening, comprising a top radius R2, a height h, a material thickness b and a base plate having a radius R1 and a bore having a diameter d wherein the dish is secured between the seed holder and the drawing shaft such that the opening faces towards drawing shaft.

公开(公告)号：WO2016117847A2

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：PCT/KR2015/014588

申请日：2015-12-31

Applicant: 주식회사 엘지실트론

Inventor： 김윤구 ,  나광하 ,  안윤하

IPC: C30B15/20 ,  C30B15/32 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B15/30 ,  C30B15/32 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007

Abstract: 본 발명의 실시예는 초크랄스키법에 의한 실리콘 잉곳의 성장시 실리콘 잉곳의 직경 편차를 제어하는 시스템으로서, 종결정인 시드와 결합되며 성장되는 실리콘 잉곳을 지지하는 시드척; 상기 시드척 상면과 케이블로 연결되어 상기 시드척에 가해지는 부하를 측정하는 측정부; 상기 시드척이 케이블과 연결된 상태에서 상기 시드척의 위치를 상하부로 이동시켜 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 변경하는 부하 조절부; 및 상기 측정부에서 측정된 부하값에 따라 상기 부하 조절부를 구동시켜 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. 따라서, 단결정 잉곳의 성장 공정을 진행하는 도중 시드의 흔들림이 방지되어, 성장하는 단결정 잉곳의 직경 편차를 감소시킬 수 있다.

Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及一种用于在使用切克劳斯基法（Czochralski method）生长硅锭时控制硅锭的直径偏差的系统，并且该系统可以包括：种子卡盘，用于支撑正在生长并与 种子，也称为晶种; 测量单元，用于通过电缆连接到种子卡盘的上表面来测量施加到种子卡盘的负载; 负载控制单元，用于通过在种子卡盘连接到电缆的状态下将种子卡盘的位置朝向上部或下部移动来改变施加到硅锭的负载; 以及控制单元，用于通过根据在测量单元测量的负载值驱动负载控制单元来控制施加到硅锭的负载。 因此，在进行单晶锭的生长处理的同时防止种子的振动，从而可以降低生长中的单晶锭的直径偏差。

公开(公告)号：WO2016085969A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/US2015/062399

申请日：2015-11-24

Applicant: SUNEDISON, INC.

Inventor： CHEN, Jihong ,  HOLZER, Joseph

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/04 ,  C30B15/12 ,  C30B29/06 ,  C30B15/32

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/002 ,  C30B15/12 ,  C30B15/32 ,  C30B29/06

Abstract: An apparatus for doping a melt of semiconductor or solar-grade material is provided. The apparatus includes a seed chuck, a seed crystal connected to the seed chuck, and a dopant container connected to the seed chuck. The seed chuck defines a first end of the apparatus, and the seed crystal defines a second end of the apparatus. The seed crystal is configured to initiate crystal growth when placed in contact with the melt. The dopant container is positioned between the first end and the second end of the apparatus, and defines a reservoir for holding dopant therein. The dopant container is configured to dispense liquid dopant into the melt when positioned proximate the melt. The dopant container and the seed crystal are connected to the seed chuck simultaneously.

Abstract translation: 提供一种用于掺杂半导体或太阳能级材料的熔体的装置。 该装置包括种子卡盘，连接到种子卡盘的晶种和连接到种子卡盘的掺杂剂容器。 种子卡盘限定了装置的第一端，并且晶种限定了装置的第二端。 晶种配置为在与熔体接触时引发晶体生长。 掺杂剂容器位于设备的第一端和第二端之间，并且限定用于在其中保持掺杂剂的储存器。 掺杂剂容器构造成当定位在熔体附近时将液体掺杂剂分配到熔体中。 掺杂剂容器和晶种同时连接到种子卡盘。

公开(公告)号：WO2010089816A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：PCT/JP2009/005552

申请日：2009-10-22

Applicant: 信越半導体株式会社 ,  森隆 ,  岩崎淳 ,  井上七夫 ,  石橋政範 ,  石本弘幸

Inventor： 森隆 ,  岩崎淳 ,  井上七夫 ,  石橋政範 ,  石本弘幸

IPC: C30B15/30 ,  C30B15/32

CPC classification number: C30B15/32

Abstract: 　本発明は、チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる際にシードチャックで保持された種結晶をシードワイヤーで引き上げる単結晶製造装置であって、シードワイヤーの下端に先端ワイヤーの上端が連結され、先端ワイヤーの下端にシードチャックが結合されたものである単結晶製造装置である。これにより、単結晶製造装置における単結晶の引き上げを行うシードワイヤーの交換サイクルを延ばすことにより、コストが低減されて、品質ロスが少なく高重量の単結晶を歩留まり良く製造することができる単結晶製造装置が提供される。

Abstract translation: 本发明提供一种单晶的制造装置，其特征在于，使用切克劳斯基（Czochralski）法拉动单晶时，通过晶种线拉拔由种子卡盘保持的晶种。 前端线的上端连接到种子线的下端，种子卡盘连接到前端线的下端。 因此，通过延长在单晶制造装置中牵引单晶的种子线的更换周期，成本降低，可以高产率制造质量损失小，重量轻的单晶。

公开(公告)号：WO2019156323A1

公开(公告)日：2019-08-15

申请号：PCT/KR2018/015310

申请日：2018-12-05

Applicant: 에스케이실트론 주식회사

Inventor： 공정현 ,  윤성훈 ,  이호준

IPC: C30B15/02 ,  C30B15/32 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06

Abstract: 실시예는 실리콘 공급 챔버; 상기 실리콘 공급 챔버의 하부 영역의 내측 벽에 구비된 홀더; 상기 실리콘 공급 챔버의 내부에서 제1 케이블에 의하여 수직 방향으로 승강하는 튜브; 상기 튜브의 외부에 구비되고, 상기 홀더와 수직 방향으로 중첩되는 가이드; 및 제2 케이블에 의하여 수직 방향으로 승강하고, 상기 튜브의 하부에 삽입되어 상기 튜브 하부를 개폐하는 마개를 포함하는 실리콘 공급부를 제공한다.

公开(公告)号：WO2018117645A2

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：PCT/KR2017/015132

申请日：2017-12-20

Applicant: 에스케이씨 주식회사

Inventor： 최정우 ,  구갑렬 ,  김정규

IPC: C30B15/36 ,  C30B29/06 ,  C30B29/36 ,  C30B15/14 ,  C30B15/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B25/22 ,  C30B15/32

Abstract: SiC 단결정의 종자정의 후면에 탄소질 보호막을 형성하고 반응용기 내에 접착 없이 배치한 뒤 SiC 원료 물질로부터 상기 종자정의 전면에 SiC 단결정을 성장시키는 방법은, 종자정을 홀더에 부착하지 않기 때문에 가열 중에 홀더와의 열팽창계수 차이에 의한 휨이나크랙이 발생하지 않아서 대구경의 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있다.

公开(公告)号：WO2016021860A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/KR2015/007856

申请日：2015-07-28

Applicant: 엘지실트론 주식회사

Inventor： 강종민 ,  노태식

IPC: C30B15/32 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 본 발명은 용융 실리콘에서 잉곳을 성장시키기 위한 종자 결정을 수용하는 시드 척에 있어서, 용융 실리콘의 상측으로 열이 방출되는 것을 차단하는 넥 커버; 및 넥 커버의 바닥면에 배치되고, 종자 결정을 수용하는 고정부를 포함하고, 넥 커버는 승강 케이블이 연결되는 상면과, 바닥면과, 상면과 바닥면을 연결하는 둘레면을 포함하고, 둘레면은 바닥면과 경사각을 가지며 형성되며, 넥 커버에는 용융 실리콘의 측정을 위한 측정부가 개구되어, 멜팅 공정시 넥 커버가 어퍼 단열체의 홀에 위치되는 것에 의해 어퍼 단열체의 홀을 통한 열손실을 최소화할 수 있고, 넥 커버가 용융 실리콘의 온도 측정을 방해하지 않는 것에 의해 용융 실리콘의 온도 측정을 도울 수 있고, 용융 실리콘 온도 감지의 신뢰성을 높일 수 있는 이점이 있다.

Abstract translation: 本发明涉及容纳晶种的种子夹头，以便在熔融硅中生长晶锭，其特征在于，包括：用于阻止熔融硅向上方向发热的颈盖; 以及固定部，其设置在所述颈部盖的底面上并且容纳所述晶种，其中，所述颈部盖包括：连接到提升缆索的顶面; 底面; 以及连接上表面和底面的圆周面，所述圆周面相对于所述底面形成倾斜角，并且在所述颈盖中开口测量所述熔融硅的测量部，使得所述颈盖为 定位在上绝缘体的孔上，以便在熔融步骤期间使通过上绝缘体的孔的热损失最小化，并且不干扰熔融硅的温度测量，从而有助于熔融硅的温度测量并增加 熔融硅温度检测的可靠性。

公开(公告)号：WO2013025024A3

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/KR2012006415

申请日：2012-08-10

Applicant: LG SILTRON INC ,  AHN JIN-WOO ,  KIM BONG-WOO ,  CHOI IL-SOO ,  KIM DO-YEON

Inventor： AHN JIN-WOO ,  KIM BONG-WOO ,  CHOI IL-SOO ,  KIM DO-YEON

IPC: C30B15/04 ,  C30B15/32 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/32 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032

Abstract: Provided is an ingot growing apparatus, which includes a crucible containing a silicon melt, a pulling device pulling a silicon single crystal ingot grown from the silicon melt, and a dopant supply unit disposed adjacent to the pulling device and for supplying a dopant during growing of the ingot. The neck portion may be doped at a concentration higher than that of the ingot through the dopant supply unit. Therefore, dislocation propagation velocity may be decreased and a propagation length may be shortened.

Abstract translation: 提供一种锭生长装置，其包括含有硅熔体的坩埚，拉拔从硅熔融物生长的硅单晶锭的牵引装置和与拉动装置相邻设置的掺杂剂供给部，并且在生长期间供给掺杂剂 锭。 可以通过掺杂剂供给单元将颈部的掺杂浓度高于锭的浓度。 因此，可以降低位错传播速度，并且可以缩短传播长度。

公开(公告)号：WO2002092885A1

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：PCT/US2001/015622

申请日：2001-05-15

Applicant: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.

Inventor： CHERKO, Carl, F.

IPC: C30B15/32

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B15/20

Abstract: A chuck assembly which is electrically conductive for detecting initial contact between a semiconductor seed crystal and a molten semiconductor source material for growing an ingot according to the Czochralski process. The chuck assembly holds the seed crystal and suspends the seed crystal from an elongate member. The chuck assembly includes an upper chuck body in electrical continuity with the elongate member and a lower chuck body in electrical continuity with the seed crystal. An electrically conductive element extends between conductive portions of the upper and lower chuck bodies for providing electrical continuity between the seed crystal and the elongate member to enable flow of electrical current when the seed crystal touches the melt. The conductive element is preferably a coil spring which resiliently adjusts to variations in spacing between the upper and lower chuck bodies.

Abstract translation: 一种用于检测半导体晶种和熔融半导体源材料之间的初始接触的卡盘组件，用于根据切克劳斯基工艺生长晶锭。 卡盘组件保持晶种并从细长构件悬挂晶种。 卡盘组件包括与细长构件电连续的上卡盘体和与晶种电连续的下卡盘体。 导电元件在上卡盘体和下卡盘体的导电部分之间延伸，用于在晶种和细长构件之间提供电连续性，以使晶种接触熔体时能够流动电流。 导电元件优选是螺旋弹簧，其弹性地调节上下卡盘体之间的间隔的变化。

公开(公告)号：WO2018142541A1

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：PCT/JP2017/003797

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 沖田　憲治

IPC: C30B15/32 ,  C30B29/06

Abstract: 単結晶引上装置１内をクリーニングするクリーニング装置１０であって、プルチャンバ１ａ内に挿入可能な主筒部１１と、主筒部の上部に、主筒部内に挿通される引き上げ用のワイヤーＷをクリーニングするワイヤークリーニング機構１３を備え、主筒部が、複数の継筒部１１Ａ～１１Ｄを軸方向に継ぎ足して密閉接続を可能とする継続延伸機構を備えることで、粉塵の再付着を防止して効率よくワイヤークリーニングをおこなう。