发明公开
- 专利标题: 钼溅射靶
- 专利标题(英): Molybdenum sputtering targets
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申请号: CN200580037265.8申请日: 2005-08-29
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公开(公告)号: CN101057000A公开(公告)日: 2007-10-17
- 发明人: B·勒蒙 , J·希尔特 , T·威维林 , J·G·戴利三世 , D·米恩德林 , G·罗扎克 , J·奥格拉迪 , P·R·杰普森 , P·库马 , S·A·米勒 , 吴荣祯 , D·G·施沃茨
- 申请人: H.C.施塔克公司
- 申请人地址: 美国麻萨诸塞州
- 专利权人: H.C.施塔克公司
- 当前专利权人: H.C.施塔克公司
- 当前专利权人地址: 美国麻萨诸塞州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 吕彩霞; 李连涛
- 优先权: 10/931,203 2004.08.31 US
- 国际申请: PCT/US2005/030852 2005.08.29
- 国际公布: WO2006/026621 EN 2006.03.09
- 进入国家日期: 2007-04-28
- 主分类号: C22C27/04
- IPC分类号: C22C27/04 ; B22F3/14 ; C23C14/34
摘要:
特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构,高纯度,并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状,并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法,溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中,如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
公开/授权文献
- CN100549202C 钼溅射靶 公开/授权日:2009-10-14