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钼溅射靶
摘要:
特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构,高纯度,并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状,并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法,溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中,如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
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