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公开(公告)号：CN100549202C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200580037265.8
申请日：2005-08-29
申请人： H.C.施塔克公司
发明人： B·勒蒙 , J·希尔特 , T·威维林 , J·G·戴利三世 , D·米恩德林 , G·罗扎克 , J·奥格拉迪 , P·R·杰普森 , P·库马 , S·A·米勒 , 吴荣祯 , D·G·施沃茨
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/162 , B22F3/24 , B22F5/006 , B22F2003/248 , B22F2301/20 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C21D8/0221 , C21D8/0247 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/14 , C23C14/3478 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/46 , B22F3/172 , B22F3/20 , B22F3/04 , B22F3/10
摘要： 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
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公开(公告)号：CN1789476A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510128891.X
申请日：2002-02-20
申请人： H.C.施塔克公司
IPC分类号： C22F1/18
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C27/02 , C22F1/18
摘要： 本发明提供一种高熔点金属板，它包括厚度、中心和边缘，其中所述高熔点金属板具有{100}和{111}晶面取向的晶粒以固定比例混合。本发明也涉及该金属板的制造方法，以及该金属板作为溅射靶的应用。该均匀组织是(100)和(111)取向的两种晶粒基本固定比例的混合，为控制薄膜厚度提供了一个更可预知的溅射速度，从而改善溅射效果。
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公开(公告)号：CN101057000A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580037265.8
申请日：2005-08-29
申请人： H.C.施塔克公司
发明人： B·勒蒙 , J·希尔特 , T·威维林 , J·G·戴利三世 , D·米恩德林 , G·罗扎克 , J·奥格拉迪 , P·R·杰普森 , P·库马 , S·A·米勒 , 吴荣祯 , D·G·施沃茨
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/162 , B22F3/24 , B22F5/006 , B22F2003/248 , B22F2301/20 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C21D8/0221 , C21D8/0247 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/14 , C23C14/3478 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/46 , B22F3/172 , B22F3/20 , B22F3/04 , B22F3/10
摘要： 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管－液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
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公开(公告)号：CN1957103A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016797.3
申请日：2005-03-23
申请人： H.C.施塔克公司
发明人： P·R·杰普森
IPC分类号： C22F1/18
CPC分类号： C22F1/18 , B21J1/025 , B21J5/00 , B21K21/02 , C21D8/0205 , C21D9/46 , Y10S72/70 , Y10T29/49826
摘要： 本发明涉及用于制造罐的计算机执行的方法，包括：(a)将包括难熔金属成分的锭切削成第一工件；(b)对第一工件进行镦锻，由此形成第二工件；(c)在真空或惰性气体中使第二工件经过第一退火步骤到足够高至使第二工件至少部分再结晶的第一温度，由此形成退火的第二工件；(d)通过减小第二工件的直径向后锻造退火的第二工件，由此形成第三工件；(e)对第三工件进行镦锻，由此形成第四工件；(f)通过减小第四工件的直径向后锻造第四工件，由此形成第五工件；(g)使第五工件经过第二退火步骤到足够高至使第五工件至少部分再结晶的温度；(h)对第五工件进行镦锻，由此形成第六工件；(i)对第六工件进行第三退火步骤，由此形成退火的第六工件；(j)通过使退火的第六工件经过多个轧制道次将退火的第六工件轧制成板；其中退火的第六工件在至少一个道次后发生厚度减小，并在至少一个道次之间车削退火的第六工件，由此形成板；和(k)将板深拉成罐，由此形成罐；其中第四退火步骤在(1)步骤(j)后步骤(k)前或(2)步骤(k)后进行。利用计算机执行的有限元模型评价方法预先确定适合于加工成罐的至少一个工件或板的尺寸，因而步骤(b)－(j)中的至少一个工件或步骤(k)中的板具有基本类似于利用计算机执行的有限元模型评价方法所确定尺寸的尺寸。
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