公开(公告)号：CN100549202C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200580037265.8

申请日：2005-08-29

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： B·勒蒙 ,  J·希尔特 ,  T·威维林 ,  J·G·戴利三世 ,  D·米恩德林 ,  G·罗扎克 ,  J·奥格拉迪 ,  P·R·杰普森 ,  P·库马 ,  S·A·米勒 ,  吴荣祯 ,  D·G·施沃茨

IPC: C22C27/04 ,  B22F3/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/16 ,  B22F3/162 ,  B22F3/24 ,  B22F5/006 ,  B22F2003/248 ,  B22F2301/20 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C21D8/0221 ,  C21D8/0247 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C22F1/18 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3478 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  B22F3/172 ,  B22F3/20 ,  B22F3/04 ,  B22F3/10

Abstract: 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。

公开(公告)号：CN101057000A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580037265.8

申请日：2005-08-29

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： B·勒蒙 ,  J·希尔特 ,  T·威维林 ,  J·G·戴利三世 ,  D·米恩德林 ,  G·罗扎克 ,  J·奥格拉迪 ,  P·R·杰普森 ,  P·库马 ,  S·A·米勒 ,  吴荣祯 ,  D·G·施沃茨

IPC: C22C27/04 ,  B22F3/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/16 ,  B22F3/162 ,  B22F3/24 ,  B22F5/006 ,  B22F2003/248 ,  B22F2301/20 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C21D8/0221 ,  C21D8/0247 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C22F1/18 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3478 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  B22F3/172 ,  B22F3/20 ,  B22F3/04 ,  B22F3/10

Abstract: 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管－液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。

公开(公告)号：CN1777971A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480010933.3

申请日：2004-04-15

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： J·戴利 ,  B·莱蒙 ,  J·希尔特 ,  P·库马 ,  G·吉勒

IPC: H01J35/08 ,  B22F3/16

CPC classification number: C22B34/34 ,  B21C23/001 ,  B21C23/01 ,  B21J1/025 ,  B21J5/00 ,  B22F3/16 ,  B22F3/162 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/248 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/02 ,  C22C1/1094 ,  C22C27/04 ,  C22C32/0031 ,  C22F1/18 ,  C23C14/3414 ,  H01J2235/081 ,  H05H6/00 ,  B22F9/24 ,  B22F3/20 ,  B22F3/17

Abstract: 本发明涉及一种制造横向加工钼板的方法，包括：(a)还原钼酸铵并形成钼金属粉末；(b)将钼金属粉末和一种合金元素构成的钼部件压实成第一工件，该合金元素选自钛、锆、铪、碳、氧化镧及其组合；(c)对第一工件进行热处理，在第一方向对其施加热机械力，从而形成第二工件；(d)对第二工件进行热处理，在不同于第一方向的第二方向对其施加热机械力；(e)对经过热机械处理的第二工件进行再结晶热处理步骤，从而形成热处理横向加工工件；(f)对所述热处理横向加工工件进行切割或机加工步骤，从而形成横向加工钼板。本发明还涉及由该方法制成的X射线靶。