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公开(公告)号：CN100549202C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200580037265.8
申请日：2005-08-29
Applicant: H.C.施塔克公司
Inventor： B·勒蒙 , J·希尔特 , T·威维林 , J·G·戴利三世 , D·米恩德林 , G·罗扎克 , J·奥格拉迪 , P·R·杰普森 , P·库马 , S·A·米勒 , 吴荣祯 , D·G·施沃茨
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/162 , B22F3/24 , B22F5/006 , B22F2003/248 , B22F2301/20 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C21D8/0221 , C21D8/0247 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/14 , C23C14/3478 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/46 , B22F3/172 , B22F3/20 , B22F3/04 , B22F3/10
Abstract: 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1826290A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200480021192.9
申请日：2004-06-29
Applicant: H.C.施塔克公司
Abstract: 本发明涉及在旋转或舟形炉中，通过使用氢作为还原剂，还原钼酸铵或三氧化钼得到的高纯MoO2粉末。将通过压制/烧结、热压和/或HIP进行的粉末固结用来制备圆盘、厚块或板，该圆盘、厚块或板用作溅射靶。使用适宜的溅射方法或其它物理方式将该MoO2圆盘、厚块或板形式溅射在基底上，从而提供具有期望膜厚的薄膜。就透射率、导电率、功函数、均匀性以及表面糙度而言，该薄膜具有与氧化铟锡(ITO)和掺锌ITO可比或优于其的性能如电的、光的、表面粗糙度以及均匀性。可将该MoO2和含该MoO2的薄膜用在有机发光二极管(OLED)、液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、场致发射显示器(FED)、薄膜太阳能电池、低电阻率欧姆接触以及其它电子和半导体器件中。
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公开(公告)号：CN101057000A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580037265.8
申请日：2005-08-29
Applicant: H.C.施塔克公司
Inventor： B·勒蒙 , J·希尔特 , T·威维林 , J·G·戴利三世 , D·米恩德林 , G·罗扎克 , J·奥格拉迪 , P·R·杰普森 , P·库马 , S·A·米勒 , 吴荣祯 , D·G·施沃茨
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/162 , B22F3/24 , B22F5/006 , B22F2003/248 , B22F2301/20 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C21D8/0221 , C21D8/0247 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/14 , C23C14/3478 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/46 , B22F3/172 , B22F3/20 , B22F3/04 , B22F3/10
Abstract: 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管－液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
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公开(公告)号：CN1984839A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580016063.5
申请日：2005-03-24
CPC classification number: C23C16/06 , C23C14/16 , C23C14/548
Abstract: 本发明提供了具有新型微观结构的钽薄膜。所述薄膜具有微观结构，例如纳米晶体、单晶和无定形。这些薄膜具有优异的扩散阻挡性能并可用于微电子器件。本发明还提供了使用脉冲激光淀积(PLD)和分子束外延(MBE)淀积法形成所述薄膜的方法以及掺入这些薄膜的微电子器件。
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公开(公告)号：CN1780931A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480002597.8
申请日：2004-01-14
Applicant: H.C.施塔克公司 , 金属矩阵铸造组合物公司
IPC: C23C14/02 , C23C16/02 , C23F1/00 , C25D5/34 , C25D5/54 , C23C28/00 , C22C32/00 , C22C1/10 , B08B7/00
CPC classification number: C23C2/02 , C23C4/02 , C23C26/00 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/345 , C25D5/34 , C25D5/54 , H05K1/056 , Y10T428/12625 , Y10T428/12736 , Y10T428/24132 , Y10T428/249927 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及一种方法，该方法包括：(a)从金属石墨复合材料的至少一个表面上除去石墨；(b)对金属石墨复合材料的表面进行化学清洗或等离子体蚀刻；(c)对化学清洗过的或等离子体蚀刻过的金属石墨复合材料的表面施加含金属的材料，并由此形成中间层；(d)在中间层上施加金属涂层，并由此形成复合材料。本发明还涉及一种复合材料，该材料包括：(a)具有至少一个基本上无石墨的表面的金属石墨复合物基材；(b)位于基材表面上的含金属的中间层；和(c)在中间层上的金属涂层。
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公开(公告)号：CN101160658A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200580045722.8
申请日：2005-10-27
Applicant: H.C.施塔克公司
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H01L23/3736 , H01L23/3733 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , Y10T428/12361 , Y10T428/12486 , Y10T428/12528 , Y10T428/12535 , Y10T428/12806 , Y10T428/12861 , Y10T428/12903 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于半导体和集成电路元件的衬底，包括：包含选自元素周期表VIB族金属和/或各向异性材料的核芯板，具有第一主表面和第二主表面以及多个开口，该开口至少部分地从该第一主表面延伸到该第二主表面；选自元素周期表IB族金属或其他高导热材料，填充由至少部分该开口包围的空间的至少一部分；以及可选地，包含元素周期表IB族金属或其他高导热材料的层，置于至少部分该第一主表面和至少部分该第二主表面上。
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