发明公开
CN101179045A 载置装置、等离子体处理装置和等离子体处理方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 载置装置、等离子体处理装置和等离子体处理方法
- 专利标题（英）： Mounting device, plasma processing apparatus and plasma processing method
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申请号： CN200710168038.X申请日： 2007-11-02
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公开(公告)号： CN101179045A公开(公告)日： 2008-05-14
- 发明人: 伊藤弘治 , 加藤健一 , 上田雄大
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 2006-300923 2006.11.06 JP
- 主分类号： H01L21/683
- IPC分类号： H01L21/683 ; H01L21/67 ; H01L21/3065 ; H01L21/311 ; H01L21/3213 ; H01L21/02 ; H01L21/00 ; H01J37/32 ; H05H1/00 ; B08B7/00 ; C23F4/00 ; C23C16/44
摘要：
本发明的目的在于提供一种不会对被处理体产生重金属污染，而且经过长时间静电卡盘不会引起绝缘破坏的载置装置。本发明的载置装置，采用作为上述电极层的表面侧的绝缘层的静电卡盘层通过等离子体喷镀而形成，由厚度为200μm～280μm的氧化钇喷镀层构成，表面形成依存于喷镀的氧化钇的粒径的表面粗糙度的结构。这样的结构，对等离子体的耐久性在增高，并且不会引起重金属污染。
公开/授权文献
- CN100543960C 载置装置、等离子体处理装置和等离子体处理方法 公开/授权日：2009-09-23