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公开(公告)号:CN1783431A
公开(公告)日:2006-06-07
申请号:CN200510127676.8
申请日:2005-12-02
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要: 本发明提供了一种等离子体处理的面内均匀性高,而且难以产生充电损坏(charge up damage)的电容耦合型的等离子体处理装置。具有:保持在真空气氛中的腔室(1);在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2),(18);和在第一和第二电极(2),(18)之间形成高频电场,生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10),在该电容耦合型的等离子体处理装置(100)中,第一电极(2)支撑晶片(W),并作为施加高频电力的阴极起作用,第二电极(18)作为接地的阳极起作用,第二电极(18)的与第一电极(2)对置的表面由导电体(18c)构成。
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公开(公告)号:CN101154569B
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN200710140294.8
申请日:2003-06-24
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
摘要: 本发明提供一种等离子体处理方法,其特征在于,具有如下工序:将被处理体配置在处理容器内,该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层;向所述处理容器中导入处理气体;等离子体化所述处理气体;和使该等离子体作用于所述被处理体,使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时,通过所述开口图案,蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号:CN100440449C
公开(公告)日:2008-12-03
申请号:CN03815028.X
申请日:2003-06-24
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/3065
CPC分类号: H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
摘要: 一种等离子体处理方法,具有如下工序:准备表面具有有机层的被处理体;和向所述被处理体照射H2的等离子体,使所述有机层的耐等离子体性提高。
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公开(公告)号:CN101154569A
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN200710140294.8
申请日:2003-06-24
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
摘要: 本发明提供一种等离子体处理方法,其特征在于,具有如下工序:将被处理体配置在处理容器内,该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层;向所述处理容器中导入处理气体;等离子体化所述处理气体;和使该等离子体作用于所述被处理体,使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时,通过所述开口图案,蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号:CN101093796A
公开(公告)日:2007-12-26
申请号:CN200710140293.3
申请日:2003-06-24
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
摘要: 本发明提供一种等离子体处理方法,其特征在于,具有如下工序:将被处理体配置在处理容器内,该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层,该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层,形成有开口图案,该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件;向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体;和等离子体化所述处理气体,等离子体处理所述有机掩模层。
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公开(公告)号:CN1663030A
公开(公告)日:2005-08-31
申请号:CN03815028.X
申请日:2003-06-24
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/3065
CPC分类号: H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
摘要: 一种等离子体处理方法,具有如下工序:准备表面具有有机层的被处理体;和向所述被处理体照射H2的等离子体,使所述有机层的耐等离子体性提高。
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公开(公告)号:CN100543960C
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200710168038.X
申请日:2007-11-02
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01J37/32 , H05H1/00 , B08B7/00 , C23F4/00 , C23C16/44
摘要: 本发明的目的在于提供一种不会对被处理体产生重金属污染,而且经过长时间静电卡盘不会引起绝缘破坏的载置装置。本发明的载置装置,采用作为上述电极层的表面侧的绝缘层的静电卡盘层通过等离子体喷镀而形成,由厚度为200μm~280μm的氧化钇喷镀层构成,表面形成依存于喷镀的氧化钇的粒径的表面粗糙度的结构。这样的结构,对等离子体的耐久性在增高,并且不会引起重金属污染。
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公开(公告)号:CN100541720C
公开(公告)日:2009-09-16
申请号:CN200710140293.3
申请日:2003-06-24
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
摘要: 本发明提供一种等离子体处理方法,其特征在于,具有如下工序:将被处理体配置在处理容器内,该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层,该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层,形成有开口图案,该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件;向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体;和等离子体化所述处理气体,等离子体处理所述有机掩模层。
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公开(公告)号:CN101179045A
公开(公告)日:2008-05-14
申请号:CN200710168038.X
申请日:2007-11-02
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01J37/32 , H05H1/00 , B08B7/00 , C23F4/00 , C23C16/44
摘要: 本发明的目的在于提供一种不会对被处理体产生重金属污染,而且经过长时间静电卡盘不会引起绝缘破坏的载置装置。本发明的载置装置,采用作为上述电极层的表面侧的绝缘层的静电卡盘层通过等离子体喷镀而形成,由厚度为200μm~280μm的氧化钇喷镀层构成,表面形成依存于喷镀的氧化钇的粒径的表面粗糙度的结构。这样的结构,对等离子体的耐久性在增高,并且不会引起重金属污染。
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