- 专利标题: 薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法、电极形成方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing thin film transistor, method for manufacturing liquid crystal display, and method for forming electrode
-
申请号: CN200880018891.6申请日: 2008-06-02
-
公开(公告)号: CN101681932B公开(公告)日: 2012-11-14
- 发明人: 高泽悟 , 大石祐一 , 清水美穗 , 菊池亨 , 石桥晓
- 申请人: 株式会社爱发科
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 闫小龙; 王忠忠
- 优先权: 148787/2007 2007.06.05 JP
- 国际申请: PCT/JP2008/060125 2008.06.02
- 国际公布: WO2008/149833 JA 2008.12.11
- 进入国家日期: 2009-12-04
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L29/423 ; H01L29/49
摘要:
本发明涉及薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法以及电极形成方法。防止电极从基板或硅层发生剥离。将以铜为主要成分的第一铜薄膜(13)暴露在氨气中进行表面处理后,在配置有处理对象物(10)的环境中产生含有硅烷气体和氨气的原料气体的等离子体,在第一铜薄膜(13)的表面形成氮化硅膜。在氨气中预先进行表面处理,从而防止硅烷气体扩散到第一铜薄膜(13),因此由被进行了表面处理的第一铜薄膜(13)构成的电极不从玻璃基板(11)或硅层剥离,并且电阻值也不变高。
公开/授权文献
- CN101681932A 薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法、电极形成方法 公开/授权日:2010-03-24