公开(公告)号：CN101681932B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880018891.6

申请日：2008-06-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高泽悟 ,  大石祐一 ,  清水美穗 ,  菊池亨 ,  石桥晓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法以及电极形成方法。防止电极从基板或硅层发生剥离。将以铜为主要成分的第一铜薄膜(13)暴露在氨气中进行表面处理后，在配置有处理对象物(10)的环境中产生含有硅烷气体和氨气的原料气体的等离子体，在第一铜薄膜(13)的表面形成氮化硅膜。在氨气中预先进行表面处理，从而防止硅烷气体扩散到第一铜薄膜(13)，因此由被进行了表面处理的第一铜薄膜(13)构成的电极不从玻璃基板(11)或硅层剥离，并且电阻值也不变高。

公开(公告)号：CN102292822A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080006139.7

申请日：2010-01-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水美穗 ,  齐藤一也 ,  桥本征典

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/046 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/048 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种太阳能电池(1)包括：基板(10)；具有可渗透性的第一电极层(12)、光电转换层(13)和第二电极层(14)且被设置在所述基板(10)上的光电转换层(11)；以及至少覆盖所述第二电极层(14)的保护层(20)。保护层(20)包括硅氮化合物。

公开(公告)号：CN101681932A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880018891.6

申请日：2008-06-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高泽悟 ,  大石祐一 ,  清水美穗 ,  菊池亨 ,  石桥晓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法以及电极形成方法。防止电极从基板或硅层发生剥离。将以铜为主要成分的第一铜薄膜(13)暴露在氨气中进行表面处理后，在配置有处理对象物(10)的环境中产生含有硅烷气体和氨气的原料气体的等离子体，在第一铜薄膜(13)的表面形成氮化硅膜。在氨气中预先进行表面处理，从而防止硅烷气体扩散到第一铜薄膜(13)，因此由被进行了表面处理的第一铜薄膜(13)构成的电极不从玻璃基板(11)或硅层剥离，并且电阻值也不变高。

公开(公告)号：CN102265407B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN200980152288.1

申请日：2009-12-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 久保昌司 ,  菊地诚 ,  斋藤一也 ,  渡井美和 ,  清水美穗

IPC: C23C16/509 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/5096 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种形成钝化膜的成膜方法、以及使用它的太阳能电池元件的制造方法，所述钝化膜能够充分抑制载流子的再结合所造成的损失。具备：载置部(22)，载置成膜对象；高频电源(25)；以及喷板(23)，设置成与载置在载置部(22)的成膜对象(S)相对，导入成膜气体并且连接高频电源来施加高频率的电压，其中，在喷板或者基板载置部上连接了施加低频率的电压的低频电源(26)。使用该成膜装置来实施钝化膜的成膜方法。

公开(公告)号：CN102265407A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152288.1

申请日：2009-12-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 久保昌司 ,  菊地诚 ,  斋藤一也 ,  渡井美和 ,  清水美穗

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/5096 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种形成钝化膜的成膜方法和成膜装置、以及使用它的太阳能电池元件的制造方法，所述钝化膜能够充分抑制载流子的再结合所造成的损失。具备：载置部(22)，载置成膜对象；高频电源(25)；以及喷板(23)，设置成与载置在载置部(22)的成膜对象(S)相对，导入成膜气体并且连接高频电源来施加高频率的电压，其中，在喷板或者基板载置部上连接了施加低频率的电压的低频电源(26)。使用该成膜装置来实施成膜方法，在形成钝化膜时实施该成膜方法。

公开(公告)号：CN101971358A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980109023.3

申请日：2009-04-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 渡井美和 ,  齐藤一也 ,  小松孝 ,  太田淳 ,  黑岩俊二 ,  清水美穗

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/028 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 该太阳能电池的制造方法是在导电型为p型或n型的硅基板(1、21)上形成硅层(22、31)，所述硅层(22、31)包含与所述硅基板(1、21)不同导电型的掺杂物，对所述硅层(22、31)进行热处理，以使包含在所述硅层(22、31)中的掺杂物向所述硅基板(1、21)内扩散。

公开(公告)号：CN101971356A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108730.0

申请日：2009-04-24

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 渡井美和 ,  齐藤一也 ,  小松孝 ,  井出由夫 ,  浅利伸 ,  水野雄介 ,  清水美穗

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/056 ,  Y02E10/52

Abstract: 该太阳能电池(10)包括：基板(11)，具有光透射性；光电转换体(12)，设置在所述基板(11)上，包括具有光透射性的表面电极(13)、光电转换层(14)和具有光反射性的背面电极(15)；以及低折射导电层(16)，与所述光电转换层(14)相邻，配置在所述光电转换层(14)上与所述基板(11)相反的面上，和与所述基板(11)所面对的所述光电转换层(14)的面相反的面相邻，由具有光透射性的导电材料构成，折射率为2.0以下。