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公开(公告)号：CN101978094B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980109274.1
申请日：2009-03-10
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3444
摘要： 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。
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公开(公告)号：CN101681932A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880018891.6
申请日：2008-06-02
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： 本发明涉及薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法以及电极形成方法。防止电极从基板或硅层发生剥离。将以铜为主要成分的第一铜薄膜(13)暴露在氨气中进行表面处理后，在配置有处理对象物(10)的环境中产生含有硅烷气体和氨气的原料气体的等离子体，在第一铜薄膜(13)的表面形成氮化硅膜。在氨气中预先进行表面处理，从而防止硅烷气体扩散到第一铜薄膜(13)，因此由被进行了表面处理的第一铜薄膜(13)构成的电极不从玻璃基板(11)或硅层剥离，并且电阻值也不变高。
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公开(公告)号：CN1667155B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510052718.6
申请日：2005-03-10
申请人： 株式会社爱发科
摘要： 本发明的目的在于，提供一种可以减少异常放电和非腐蚀部，并能够形成膜厚分布均匀的膜的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具有多个靶(31a～31f)，对不同的靶(31a～31f)施加极性不同的交流电压。当一方的靶(31a～31f)置于负电位时，另一方的靶(31a～31f)置于正电位，并作为阳极起作用，所以，相邻靶(31a～31f)之间不必配置阳极。因相邻的靶(31a～31f)之间什么都不配置，故可以缩短靶(31a～31f)间的距离s，由于在配置了靶(31a～31f)的区域内不放射溅射粒子的面积的比例减小，故溅射粒子均匀地到达衬底(5)，从而使膜厚分布变得均匀。
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公开(公告)号：CN101871092B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010149872.6
申请日：2010-04-19
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明提供一种反应性溅射方法，可不受靶的边缘区域上形成的绝缘膜的影响而维持高速率成膜。在向溅射室(11)内导入反应气体的同时，向该溅射室内与处理基板S相对设置的导电性靶(41)施加电力，在溅射室内形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射，通过反应性溅射在所述处理基板表面形成规定的薄膜。在上述溅射方法中，通过向所述靶施加电力的溅射电源E监视累计投入电力，当该累计值达到规定值时，停止反应气体的导入，仅导入溅射气体对靶进行规定时间的溅射。
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公开(公告)号：CN101978094A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109274.1
申请日：2009-03-10
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3444
摘要： 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。
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公开(公告)号：CN101681932B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200880018891.6
申请日：2008-06-02
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： 本发明涉及薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法以及电极形成方法。防止电极从基板或硅层发生剥离。将以铜为主要成分的第一铜薄膜(13)暴露在氨气中进行表面处理后，在配置有处理对象物(10)的环境中产生含有硅烷气体和氨气的原料气体的等离子体，在第一铜薄膜(13)的表面形成氮化硅膜。在氨气中预先进行表面处理，从而防止硅烷气体扩散到第一铜薄膜(13)，因此由被进行了表面处理的第一铜薄膜(13)构成的电极不从玻璃基板(11)或硅层剥离，并且电阻值也不变高。
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公开(公告)号：CN101871092A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010149872.6
申请日：2010-04-19
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明提供一种反应性溅射方法，可不受靶的边缘区域上形成的绝缘膜的影响而维持高速率成膜。在向溅射室(11)内导入反应气体的同时，向该溅射室内与处理基板S相对设置的导电性靶(41)施加电力，在溅射室内形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射，通过反应性溅射在所述处理基板表面形成规定的薄膜。在上述溅射方法中，通过向所述靶施加电力的溅射电源E监视累计投入电力，当该累计值达到规定值时，停止反应气体的导入，仅导入溅射气体对靶进行规定时间的溅射。
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公开(公告)号：CN101528972A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780039552.1
申请日：2007-10-12
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/32376 , H01J37/3408 , H01J37/3455
摘要： 当隔一定间隔并列设置多个阴极靶，用溅镀形成规定薄膜的情况下，抑制在处理基板表面上形成的薄膜上产生波浪形的膜厚分布及膜质分布。当通过给溅射室11a内与处理基板S相向且隔规定间隔并列设置的多个阴极靶31a～31h投入电力，用溅镀形成规定的薄膜期间，使各阴极靶平行于处理基板以一定速度往返运动的同时，使各阴极靶的前面分别形成隧道形的磁力线M的磁铁组合件分别平行于各阴极靶，以一定速度往返运动。当各阴极靶到达往返运动的折返位置时，使各阴极靶的往返运动在规定的时间内停止。
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