Invention Grant
CN101803008B 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体装置及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and method for manufacturing the same
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Application No.: CN200880025658.0Application Date: 2008-08-25
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Publication No.: CN101803008BPublication Date: 2012-11-28
- Inventor: 青木智幸 , 鹤目卓也 , 安达广树 , 堀越望 , 大谷久
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 申发振
- Priority: 232713/2007 2007.09.07 JP
- International Application: PCT/JP2008/065620 2008.08.25
- International Announcement: WO2009/031482 EN 2009.03.12
- Date entered country: 2010-01-21
- Main IPC: H01L23/29
- IPC: H01L23/29 ; G06K19/07 ; G06K19/077 ; H01L21/02 ; H01L21/336 ; H01L21/56 ; H01L23/31 ; H01L27/12 ; H01L29/786

Abstract:
形成分离层、以及包括薄膜晶体管的半导体元件层;形成与半导体元件层电连接的导电树脂;在半导体元件层和导电树脂上形成包含纤维体及有机树脂层的第一密封层;在第一密封层、半导体元件层及分离层中形成槽;将液体滴落在槽中以将分离层和半导体元件层分离;通过去除导电树脂上的第一密封层,形成开口部;将第一密封层及半导体元件层的组分割成芯片;将芯片接合到在基材上形成的天线;以及以覆盖天线及芯片的方式形成包含纤维体及有机树脂层的第二密封层。
Public/Granted literature
- CN101803008A 半导体装置及其制造方法 Public/Granted day:2010-08-11
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IPC分类: