Invention Grant
- Patent Title: 半导体器件
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Application No.: CN201510157961.8Application Date: 2010-09-29
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Publication No.: CN104733033BPublication Date: 2018-03-02
- Inventor: 山崎舜平 , 今井馨太郎 , 小山润
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 侯颖媖
- Priority: 2009-249328 2009.10.29 JP
- Main IPC: G11C11/40
- IPC: G11C11/40 ; G11C16/02 ; H01L21/8258 ; H01L27/06 ; H01L27/088 ; H01L27/105 ; H01L27/1156 ; H01L27/12

Abstract:
半导体器件包括:具有氧化物半导体层的晶体管;以及使用除氧化物半导体外的半导体材料所形成的逻辑电路。晶体管的源电极和漏电极之一电连接到逻辑电路的至少一个输入,并且至少一个输入信号通过晶体管施加到逻辑电路。晶体管的截止电流优选为小于或等于1×10‑13A。
Public/Granted literature
- CN104733033A 半导体器件 Public/Granted day:2015-06-24
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