制造半导体器件的方法

发明公开

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专利标题： 制造半导体器件的方法
专利标题（英）： Method of fabricating semiconductor device
申请号： CN201611202278.2

申请日： 2016-12-23
公开(公告)号： CN107068542A

公开(公告)日： 2017-08-18
发明人: 张书豪 , 高国璋 , 黄建元 , 陈政宏
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹
专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹
代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理商 章社杲; 李伟
优先权： 15/040,533 20160210 US
主分类号： H01L21/02
IPC分类号： H01L21/02

摘要：

本发明的实施例公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上方形成辐射可去除材料(RRM)层并且通过将RRM层的第一部分暴露于辐射束来去除衬底的第一区域中的RRM层的第一部分。在去除第一区域中的RRM层的第一部分之后，保留衬底的第二区域中的RRM层的第二部分。该方法还包括在衬底的第二区域中的RRM层的第二部分上方形成选择性形成层(SFL)以及在衬底的第一区域上方形成材料层。

摘要（英）：

A method of fabricating a semiconductor device is disclosed. The method includes forming a radiation-removable-material (RRM) layer over a substrate and removing a first portion of the RRM layer in a first region of the substrate by exposing the first portion of the RRM layer to a radiation beam. A second portion of the RRM layer in a second region of the substrate remains after the removing of the first portion of the RRM layer in the first region. The method also includes forming a selective-forming-layer (SFL) over the second portion of the RRM layer in the second region of the substrate and forming a material layer over the first region of the substrate.

公开/授权文献

CN107068542B 制造半导体器件的方法公开/授权日：2022-01-07

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理