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公开(公告)号：CN107068542B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201611202278.2
申请日：2016-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明的实施例公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上方形成辐射可去除材料(RRM)层并且通过将RRM层的第一部分暴露于辐射束来去除衬底的第一区域中的RRM层的第一部分。在去除第一区域中的RRM层的第一部分之后，保留衬底的第二区域中的RRM层的第二部分。该方法还包括在衬底的第二区域中的RRM层的第二部分上方形成选择性形成层(SFL)以及在衬底的第一区域上方形成材料层。
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公开(公告)号：CN107204281A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710140003.9
申请日：2017-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/0043 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/0332 , H01L21/76892
Abstract: 本发明实施例提供了一种材料组合物和方法，所述方法包括提供衬底并在衬底上形成光刻胶层。在各个实施例中，光刻胶层包括包含极紫外(EUV)吸收元件和桥接元件的多金属配合物。举例来说，EUV吸收元件包括第一金属类型，桥接元件包括第二金属类型。在一些实施例中，对光刻胶层执行曝光工艺。在执行曝光工艺之后，对曝光的光刻胶显影以形成图案化的光刻胶层。本发明实施例涉及材料组合物及其方法。
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公开(公告)号：CN107068542A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611202278.2
申请日：2016-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02172 , H01L21/02118 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/32 , H01L21/02266 , H01L21/0231
Abstract: 本发明的实施例公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上方形成辐射可去除材料(RRM)层并且通过将RRM层的第一部分暴露于辐射束来去除衬底的第一区域中的RRM层的第一部分。在去除第一区域中的RRM层的第一部分之后，保留衬底的第二区域中的RRM层的第二部分。该方法还包括在衬底的第二区域中的RRM层的第二部分上方形成选择性形成层(SFL)以及在衬底的第一区域上方形成材料层。
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公开(公告)号：CN106483772A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510860745.X
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70866 , G03F7/70925
Abstract: 一种微影术系统及其使用方法，微影术系统包括一负载锁定腔室，此负载锁定腔室包括配置用以接收遮罩的开口；曝光模块，其配置用以经由使用遮罩，使半导体晶圆曝露于光源；及清洗模块，其嵌入在此微影术工具内，此清洗模块配置用以自遮罩清洗碳粒子。本发明内容可提供一种用于高级微影术技术中，保持遮罩干净且无缺陷的方法。此方法所形成的干净无缺陷遮罩，可提升微影术工艺的良率与精准度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103777470B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310046337.1
申请日：2013-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2002 , G03F7/20 , G03F7/70916 , G03F7/70933
Abstract: 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。
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公开(公告)号：CN104916530B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510111358.6
申请日：2015-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供一种形成集成电路的图案的方法。该方法包括在衬底上方形成第一层，其中，第一层的蚀刻速率对诸如远紫外(EUV)辐射或电子束(e‑束)的辐射敏感。该方法进一步包括：在第一层上方形成光刻胶层，并且使光刻胶层暴露于辐射以用于图案化。在暴露期间，第一层的多个部分响应于其中接收的辐射的能量剂量而改变它们的蚀刻速率。该方法进一步包括：显影光刻胶层，蚀刻第一层，并且蚀刻衬底以形成图案。第一层的辐射敏感性用于减小图案的临界尺寸变化。本发明涉及用于集成电路图案化的方法。
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公开(公告)号：CN104049468B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201410072008.9
申请日：2014-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/70141
Abstract: 本发明提供了用于在半导体器件制造中实施光刻工艺的系统和方法，系统和方法包括提供用于测量衬底上的第一坐标处的衬底的第一形貌高度并且测量衬底上的第二坐标处的衬底的第二形貌高度。所测量的第一和第二形貌高度可以被提供为晶圆图。然后，使用晶圆图对衬底实施曝光工艺。曝光工艺可以包括：当曝光衬底上的第一坐标时，使用第一焦点，并且当曝光衬底上的第二坐标时，使用第二焦平面。使用第一形貌高度确定第一焦点，并且使用第二形貌高度确定第二焦点。
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公开(公告)号：CN104916530A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510111358.6
申请日：2015-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L29/66795 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种形成集成电路的图案的方法。该方法包括在衬底上方形成第一层，其中，第一层的蚀刻速率对诸如远紫外(EUV)辐射或电子束(e-束)的辐射敏感。该方法进一步包括：在第一层上方形成光刻胶层，并且使光刻胶层暴露于辐射以用于图案化。在暴露期间，第一层的多个部分响应于其中接收的辐射的能量剂量而改变它们的蚀刻速率。该方法进一步包括：显影光刻胶层，蚀刻第一层，并且蚀刻衬底以形成图案。第一层的辐射敏感性用于减小图案的临界尺寸变化。本发明涉及用于集成电路图案化的方法。
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