公开(公告)号：CN114895521A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210044351.7

申请日：2022-01-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 高国璋 ,  王文昀 ,  刘家助 ,  林华泰

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/70 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

摘要： 一种图案化制程与光罩，图案化制程在半导体晶圆上进行，半导体晶圆涂布有底层、中间层、及具有起始厚度的光阻层。图案化制程包含：进行曝光步骤，曝光步骤包含使用光罩曝光半导体晶圆，光罩包含特征，此特征在目标区域中产生中度曝光，随后处理而依照光罩在光阻层中产生多个开口，以及由于目标区域中的中度曝光而薄化目标区域中的光阻，以在目标区域中留下薄化的光阻；进行中间层蚀刻，以在中间层中形成多个开口对齐光阻层中的开口，其中因薄化的光阻所提供的保护，中间层蚀刻不会去除目标区域中的中间层；以及进行修整蚀刻，以修整目标区域中的中间层。

公开(公告)号：CN106483772B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510860745.X

申请日：2015-11-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张书豪 ,  陈家桢 ,  陈政宏 ,  高国璋 ,  简铭进 ,  简上傑 ,  严涛南 ,  黄建元

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70866 ,  G03F7/70925

摘要： 一种微影术系统及其使用方法，微影术系统包括一负载锁定腔室，此负载锁定腔室包括配置用以接收遮罩的开口；曝光模块，其配置用以经由使用遮罩，使半导体晶圆曝露于光源；及清洗模块，其嵌入在此微影术工具内，此清洗模块配置用以自遮罩清洗碳粒子。本发明内容可提供一种用于高级微影术技术中，保持遮罩干净且无缺陷的方法。此方法所形成的干净无缺陷遮罩，可提升微影术工艺的良率与精准度。

公开(公告)号：CN107153326A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201611178550.8

申请日：2016-12-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张书豪 ,  高国璋 ,  黄建元 ,  陈政宏

IPC分类号： G03F7/11

CPC分类号： G03F7/70341 ,  B05D1/60 ,  B05D3/06 ,  B05D3/061 ,  B05D3/068 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11 ,  G03F7/167 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2039 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70325 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68764

摘要： 本发明的实施例公开了用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底，在衬底上方形成沉积增强层(DEL)并且使有机气体在DEL的表面附近流动。在有机气体的流动期间，该方法还包括用图案化的辐射辐照DEL和有机气体。有机气体的元素通过图案化的辐射而聚合，从而在DEL上方形成光刻胶图案。该方法还包括用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻DEL，从而形成图案化的DEL。

公开(公告)号：CN107068542B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201611202278.2

申请日：2016-12-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张书豪 ,  高国璋 ,  黄建元 ,  陈政宏

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明的实施例公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上方形成辐射可去除材料(RRM)层并且通过将RRM层的第一部分暴露于辐射束来去除衬底的第一区域中的RRM层的第一部分。在去除第一区域中的RRM层的第一部分之后，保留衬底的第二区域中的RRM层的第二部分。该方法还包括在衬底的第二区域中的RRM层的第二部分上方形成选择性形成层(SFL)以及在衬底的第一区域上方形成材料层。

公开(公告)号：CN107204281A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710140003.9

申请日：2017-03-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张书豪 ,  陈建志 ,  高国璋 ,  陈政宏 ,  贾丕业 ,  陈启任 ,  林英智

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76892

摘要： 本发明实施例提供了一种材料组合物和方法，所述方法包括提供衬底并在衬底上形成光刻胶层。在各个实施例中，光刻胶层包括包含极紫外(EUV)吸收元件和桥接元件的多金属配合物。举例来说，EUV吸收元件包括第一金属类型，桥接元件包括第二金属类型。在一些实施例中，对光刻胶层执行曝光工艺。在执行曝光工艺之后，对曝光的光刻胶显影以形成图案化的光刻胶层。本发明实施例涉及材料组合物及其方法。

公开(公告)号：CN107068542A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611202278.2

申请日：2016-12-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张书豪 ,  高国璋 ,  黄建元 ,  陈政宏

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02172 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0231

摘要： 本发明的实施例公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上方形成辐射可去除材料(RRM)层并且通过将RRM层的第一部分暴露于辐射束来去除衬底的第一区域中的RRM层的第一部分。在去除第一区域中的RRM层的第一部分之后，保留衬底的第二区域中的RRM层的第二部分。该方法还包括在衬底的第二区域中的RRM层的第二部分上方形成选择性形成层(SFL)以及在衬底的第一区域上方形成材料层。

公开(公告)号：CN106483772A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510860745.X

申请日：2015-11-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张书豪 ,  陈家桢 ,  陈政宏 ,  高国璋 ,  简铭进 ,  简上傑 ,  严涛南 ,  黄建元

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70866 ,  G03F7/70925

摘要： 一种微影术系统及其使用方法，微影术系统包括一负载锁定腔室，此负载锁定腔室包括配置用以接收遮罩的开口；曝光模块，其配置用以经由使用遮罩，使半导体晶圆曝露于光源；及清洗模块，其嵌入在此微影术工具内，此清洗模块配置用以自遮罩清洗碳粒子。本发明内容可提供一种用于高级微影术技术中，保持遮罩干净且无缺陷的方法。此方法所形成的干净无缺陷遮罩，可提升微影术工艺的良率与精准度。