发明公开
- 专利标题： 半导体装置和半导体装置的制造方法
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申请号： CN201780032407.4申请日： 2017-09-15
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公开(公告)号： CN109314139A公开(公告)日： 2019-02-05
- 发明人: 宫田大嗣 , 野口晴司 , 吉田崇一 , 田边広光 , 河野宪司 , 大仓康嗣
- 申请人： 富士电机株式会社 , 株式会社电装
- 申请人地址： 日本神奈川县川崎市
- 专利权人： 富士电机株式会社,株式会社电装
- 当前专利权人： 富士电机株式会社,株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县川崎市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 金玉兰; 王颖
- 优先权： 2016-183126 2016.09.20 JP
- 国际申请： PCT/JP2017/033604 2017.09.15
- 国际公布： WO2018/056233 JA 2018.03.29
- 进入国家日期： 2018-11-26
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/28 ; H01L21/322 ; H01L21/329 ; H01L21/336 ; H01L29/41 ; H01L29/739 ; H01L29/861 ; H01L29/868
摘要：
对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。
公开/授权文献
- CN109314139B 半导体装置和半导体装置的制造方法 公开/授权日：2022-04-15
IPC分类:
