-
公开(公告)号：CN109314139A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780032407.4
申请日：2017-09-15
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。
-
公开(公告)号：CN109314139B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780032407.4
申请日：2017-09-15
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。
-
公开(公告)号：CN106663692A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201680002154.1
申请日：2016-02-03
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 实现IGBT或进行与IGBT类似的动作的半导体装置的闩锁耐量的提高以及低导通电压化。半导体装置(1A)具备：第一导电型的漂移层(3)；在漂移层(3)上被彼此相邻的沟槽(4)夹着的台面区(5)；栅极电极(8)，其隔着栅极绝缘膜(6)设置于各沟槽(4)的内部；第二导电型的基极区(9)，其设置于台面区(5)；第一导电型的发射极区(11)，其在基极区(9)的表层部沿着沟槽(4)的长边方向周期性地配置有多个；以及第二导电型的接触区(12)，其以夹着各发射极区(11)的方式沿着长边方向与发射极区交替地配置，形成为比发射极区(11)深，且蔓延到发射极区(11)的正下方并相互分离。
-
公开(公告)号：CN106463504A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580021975.5
申请日：2015-11-11
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 在IGBT部(21)中，发射电极(8)通过埋入到第1接触孔(9a)的接触插塞(14)与n+型发射区(3)、发射电极(8)和层间绝缘膜(9)从IGBT部(21)起遍及FWD部(22)而设置。在FWD部(22)中，发射电极(8)被埋入到第2接触孔(9b)并与p型基区(2)直接连接。FWD部(22)的沟槽(3)的间距W(12)大于IGBT部(21)的沟槽(3)的间距(W11)。第2接触孔(9b)的宽度(W22)大于第1接触孔(9a)的宽度(W21)。由此，在谋求微细化的沟槽栅型的RC-IGBT中能够实现良好的二极管特性。(6)和p+型接触区(7)电连接。p型基区(2)、沟槽
-
公开(公告)号：CN109478570B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201880002921.8
申请日：2018-02-15
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/336 , H01L29/739
摘要： 由于掩模下垂或掩模图案的错位，存在在半导体基板的表面露出的P型区域变为N型区域的情况。本发明提供具有半导体基板的半导体装置。半导体基板包含晶体管区，晶体管区具备漂移区、多个沟槽部、多个发射区和多个接触区、以及积累区，该积累区在深度方向上设置于漂移区与多个发射区之间并具有比漂移区高的第一导电型的掺杂浓度，多个接触区中的在与第一方向平行的方向上位于最外侧的第一最外接触区在第一方向上的长度比多个接触区中的除第一最外接触区以外的一个接触区长，积累区在第一最外接触区的下方终止。
-
公开(公告)号：CN106463504B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201580021975.5
申请日：2015-11-11
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 在IGBT部(21)中，发射电极(8)通过埋入到第1接触孔(9a)的接触插塞(14)与n+型发射区(6)和p+型接触区(7)电连接。p型基区(2)、沟槽(3)、发射电极(8)和层间绝缘膜(9)从IGBT部(21)起遍及FWD部(22)而设置。在FWD部(22)中，发射电极(8)被埋入到第2接触孔(9b)并与p型基区(2)直接连接。FWD部(22)的沟槽(3)的间距W(12)大于IGBT部(21)的沟槽(3)的间距(W11)。第2接触孔(9b)的宽度(W22)大于第1接触孔(9a)的宽度(W21)。由此，在谋求微细化的沟槽栅型的RC‑IGBT中能够实现良好的二极管特性。
-
公开(公告)号：CN106663692B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201680002154.1
申请日：2016-02-03
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 实现IGBT或进行与IGBT类似的动作的半导体装置的闩锁耐量的提高以及低导通电压化。半导体装置(1A)具备：第一导电型的漂移层(3)；在漂移层(3)上被彼此相邻的沟槽(4)夹着的台面区(5)；栅极电极(8)，其隔着栅极绝缘膜(6)设置于各沟槽(4)的内部；第二导电型的基极区(9)，其设置于台面区(5)；第一导电型的发射极区(11)，其在基极区(9)的表层部沿着沟槽(4)的长边方向周期性地配置有多个；以及第二导电型的接触区(12)，其以夹着各发射极区(11)的方式沿着长边方向与发射极区交替地配置，形成为比发射极区(11)深，且蔓延到发射极区(11)的正下方并相互分离。
-
公开(公告)号：CN113544846A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080018066.7
申请日：2020-09-25
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/07 , H03K17/687
摘要： 提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部可以包括温度感测二极管，且输出比较二极管部可以包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。
-
-
公开(公告)号：CN109478570A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201880002921.8
申请日：2018-02-15
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/336 , H01L29/739
摘要： 由于掩模下垂或掩模图案的错位，存在在半导体基板的表面露出的P型区域变为N型区域的情况。本发明提供具有半导体基板的半导体装置。半导体基板包含晶体管区，晶体管区具备漂移区、多个沟槽部、多个发射区和多个接触区、以及积累区，该积累区在深度方向上设置于漂移区与多个发射区之间并具有比漂移区高的第一导电型的掺杂浓度，多个接触区中的在与第一方向平行的方向上位于最外侧的第一最外接触区在第一方向上的长度比多个接触区中的除第一最外接触区以外的一个接触区长，积累区在第一最外接触区的下方终止。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.039 秒)
