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公开(公告)号：CN109314139B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780032407.4
申请日：2017-09-15
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。
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公开(公告)号：CN105283951B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480032850.8
申请日：2014-05-29
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC分类号： H01L23/562 , H01L23/34 , H01L23/4824 , H01L23/528 , H01L27/0255 , H01L29/417 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体装置具备：具有元件的半导体基板(12)、与上述元件连接的表面电极(18)、与上述元件连接的背面电极(14)、设置于上述半导体基板的表面上的分离区域(28)的保护膜(20)、以及设置于上述半导体基板的表面侧的温度传感器(22)。上述表面电极通过上述保护膜在至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于相邻的上述表面电极的对置边间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32)。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。
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公开(公告)号：CN109314139A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780032407.4
申请日：2017-09-15
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。
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公开(公告)号：CN105283951A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480032850.8
申请日：2014-05-29
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC分类号： H01L23/562 , H01L23/34 , H01L23/4824 , H01L23/528 , H01L27/0255 , H01L29/417 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体装置具备：具有元件的半导体基板(12)、与上述元件连接的表面电极(18)、与上述元件连接的背面电极(14)、设置于上述半导体基板的表面上的分离区域(28)的保护膜(20)、以及设置于上述半导体基板的表面侧的温度传感器(22)。上述表面电极通过上述保护膜在至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于相邻的上述表面电极的对置边间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32)。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。
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公开(公告)号：CN112166506B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201980032573.3
申请日：2019-03-27
申请人： 株式会社电装
发明人： 大仓康嗣
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/60 , H01L23/40 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： 在半导体装置中，第1金属层(22)形成在半导体衬底(21)的一面上。第1保护膜(23)在第1金属层上具有开口部(23a)，以将第1金属层的端部覆盖的方式形成。在开口部(23a)中，在第1金属层上形成有第2金属层(24)，在第2金属层上形成有防氧化层(25)。第2保护膜(26)具有开口部(26a)，以将防氧化层的端部及第1保护膜覆盖的方式形成。并且，与防氧化层相比对第2保护膜的密接性高的密接部(27)与第2保护膜中的开口周缘部(26c)的下表面的一部分密接。
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公开(公告)号：CN102376709A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110241326.X
申请日：2011-08-17
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/861 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397 , H01L29/8613
摘要： 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。
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公开(公告)号：CN1864270A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029528.6
申请日：2004-10-06
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331
摘要： 本发明旨在提供一种可容易地制造的绝缘栅型半导体器件及其制造方法，同时实现较高的耐压设计和较低的接通电阻设计。所述半导体器件包括N+源极区31、N+漏极区11、P－体区41以及N－漂移区12。通过挖出所述半导体器件上部的部分区域，形成栅极沟槽21。所述栅极沟槽21包括栅电极22。P浮置区51设置在所述栅极沟槽21的下方。可形成与栅极沟槽21具有不同深度的另一沟槽25，P浮置区54设置在所述沟槽25的下方。
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公开(公告)号：CN115777142A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202180048318.5
申请日：2021-06-25
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H01L23/12
摘要： 一种扇出型封装构造的半导体装置，具备：半导体元件(11)，在表面(11a)具有第1电极焊盘(111)和第2电极焊盘(112)；封固件(12)，由绝缘性的树脂材料构成，覆盖半导体元件中的将上述表面和背面(11b)相连的侧面(11c)；以及再布线层(13)，覆盖半导体元件的表面及封固件的一部分。再布线层具有：绝缘层(131)，由绝缘性的树脂材料构成；第1再布线(132)，至少一部分配置在半导体元件的侧面与封固件的边界之上；以及第2再布线(133)，与第2电极焊盘电连接，并且至少一部分跨第1再布线而延伸设置至半导体元件的外轮廓的外侧，与第1再布线在电气上独立。
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公开(公告)号：CN112166506A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201980032573.3
申请日：2019-03-27
申请人： 株式会社电装
发明人： 大仓康嗣
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/60 , H01L23/40 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： 在半导体装置中，第1金属层(22)形成在半导体衬底(21)的一面上。第1保护膜(23)在第1金属层上具有开口部(23a)，以将第1金属层的端部覆盖的方式形成。在开口部(23a)中，在第1金属层上形成有第2金属层(24)，在第2金属层上形成有防氧化层(25)。第2保护膜(26)具有开口部(26a)，以将防氧化层的端部及第1保护膜覆盖的方式形成。并且，与防氧化层相比对第2保护膜的密接性高的密接部(27)与第2保护膜中的开口周缘部(26c)的下表面的一部分密接。
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公开(公告)号：CN1400657A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02127066.X
申请日：2002-07-26
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H01L23/36 , H01L21/301 , H01L21/50
CPC分类号： H01L24/33 , H01L21/565 , H01L23/367 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/05624 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83815 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/10158 , H01L2924/10253 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡－基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。
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