Invention Grant
- Patent Title: 发光装置
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Application No.: CN201911375684.2Application Date: 2014-12-17
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Publication No.: CN111129039BPublication Date: 2024-04-16
- Inventor: 三宅博之 , 肥塚纯一 , 神长正美 , 岛行德 , 山崎舜平
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 宋俊寅
- Main IPC: H01L27/12
- IPC: H01L27/12 ; H10K59/121 ; H01L29/24 ; H01L29/786

Abstract:
提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括:与栅极重叠的第一半导体区域;与源极或漏极接触的第二半导体区域;以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。
Public/Granted literature
- CN111129039A 发光装置 Public/Granted day:2020-05-08
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IPC分类: