- 专利标题： 电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法
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申请号： CN202011232183.1申请日： 2020-11-06
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公开(公告)号： CN112349785B公开(公告)日： 2022-02-08
- 发明人: 谭开洲 , 肖添 , 张嘉浩 , 杨永晖 , 李孝权 , 王鹏飞 , 裴颖 , 李光波 , 蒋和全 , 张培健 , 邱盛 , 陈良 , 崔伟
- 申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 申请人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 当前专利权人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理商 李铁
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L21/336 ; H01L29/40
摘要：
本发明提供了一种电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件More than Moore(超越摩尔)的发展方向。
公开/授权文献
- CN112349785A 电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法 公开/授权日：2021-02-09
IPC分类:
