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公开(公告)号：CN103414441A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310367077.8
申请日：2013-08-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明涉及一种输出共模电压稳定的开环放大器，它包括一个主放大器单元和一个辅助放大器单元。与常规的输出共模电压稳定的负反馈放大器相比，本发明电路的主放大器在开环结构下差分输出共模电压稳定；主放大器差分输出端未采用共模反馈电路，减小了输出负载，提高了放大器的工作转换速度，在主放大器的动态指标SFDR超过70dB的情况下，模拟输入信号频率可以超过1GHz。本发明电路应用于动态性能要求较高的低压CMOS工艺电路中的超高速采样/保持电路领域。
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公开(公告)号：CN102064808A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010527207.6
申请日：2010-11-02
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03K17/16
摘要： 本发明涉及一种集成在A/D转换器芯片上的开关噪声抑制电路，它包括一个正基准通路RC网络和一个负基准通路RC网络，通过这两个RC电阻电容网络，来抑制流水线正基准VREF+和负基准VREF-的SSN噪声，使高速高精度流水线A/D转换器的SFDR由常规的30～40dB提升至80～90dB，极大地提高了整个流水线A/D转换器的动态性能。本发明电路可广泛应用于高速高精度流水线A/D转换器中。
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公开(公告)号：CN112349785B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011232183.1
申请日：2020-11-06
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/40
摘要： 本发明提供了一种电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件More than Moore(超越摩尔)的发展方向。
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公开(公告)号：CN101841315B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010182293.1
申请日：2010-05-26
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明涉及一种高速比较器，它包括一个前置放大器单元、一个射极跟随器单元和一个锁存器单元。本发明电路在传统比较器的前置放大器单元和锁存器单元之间加了一个射极跟随器单元，作为缓冲作用，使锁存器单元所需要的输入电压可以在更短的时间内达到，提高了比较器的工作速度。本发明电路兼具高速和传输时延稳定的优点，有效地克服了传统比较器速度不高和传输时延不稳定的缺点。本发明电路可广泛应用于高速高精度A/D转换器领域。
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公开(公告)号：CN112349786A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011233504.X
申请日：2020-11-06
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要： 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。
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公开(公告)号：CN105977938B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610437164.X
申请日：2016-06-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明提供一种芯片ESD保护电路，包括集成电路层和导电层，其中集成电路层中第一电源域和第二电源域上分别设置有与第一电源域的第一地线连接的第一地焊盘，且第一地焊盘键合在导电层上；第二电源域上设置有第二电源钳位单元，第二电源钳位单元的第一端与第二电源域的第二电源线连接，第二端与第一地线或第二电源域的第二地线连接；第二电源域上还设置有双向ESD保护电路，双向ESD保护电路设置在第一地线连接与第二地线之间。通过本发明可以提高芯片的ESD保护能力，降低芯片版图面积。
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公开(公告)号：CN105977938A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610437164.X
申请日：2016-06-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明提供一种芯片ESD保护电路，包括集成电路层和导电层，其中集成电路层中第一电源域和第二电源域上分别设置有与第一电源域的第一地线连接的第一地焊盘，且第一地焊盘键合在导电层上；第二电源域上设置有第二电源钳位单元，第二电源钳位单元的第一端与第二电源域的第二电源线连接，第二端与第一地线或第二电源域的第二地线连接；第二电源域上还设置有双向ESD保护电路，双向ESD保护电路设置在第一地线连接与第二地线之间。通过本发明可以提高芯片的ESD保护能力，降低芯片版图面积。
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公开(公告)号：CN112349785A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011232183.1
申请日：2020-11-06
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/40
摘要： 本发明提供了一种电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件More than Moore(超越摩尔)的发展方向。
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公开(公告)号：CN112349786B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202011233504.X
申请日：2020-11-06
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要： 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。
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公开(公告)号：CN103414441B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310367077.8
申请日：2013-08-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明涉及一种输出共模电压稳定的开环放大器，它包括一个主放大器单元和一个辅助放大器单元。与常规的输出共模电压稳定的负反馈放大器相比，本发明电路的主放大器在开环结构下差分输出共模电压稳定；主放大器差分输出端未采用共模反馈电路，减小了输出负载，提高了放大器的工作转换速度，在主放大器的动态指标SFDR超过70dB的情况下，模拟输入信号频率可以超过1GHz。本发明电路应用于动态性能要求较高的低压CMOS工艺电路中的超高速采样/保持电路领域。
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