公开(公告)号：CN112349786A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011233504.X

申请日：2020-11-06

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 谭开洲 ,  肖添 ,  张嘉浩 ,  李孝权 ,  王鹏飞 ,  裴颖 ,  李光波 ,  杨永晖 ,  蒋和全 ,  张培健 ,  邱盛 ,  陈良 ,  崔伟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。

公开(公告)号：CN112349785A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011232183.1

申请日：2020-11-06

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 谭开洲 ,  肖添 ,  张嘉浩 ,  杨永晖 ,  李孝权 ,  王鹏飞 ,  裴颖 ,  李光波 ,  蒋和全 ,  张培健 ,  邱盛 ,  陈良 ,  崔伟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供了一种电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件More than Moore(超越摩尔)的发展方向。

公开(公告)号：CN115117155A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110919735.4

申请日：2021-08-11

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 谭开洲 ,  肖添 ,  张嘉浩 ,  杨永晖 ,  蒋和全 ,  李儒章 ,  张培健 ,  钟怡 ,  李孝权 ,  王鹏飞 ,  王鹏 ,  王育新 ,  唐昭焕 ,  裴颖 ,  李光波

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法，该电阻场板非对称栅场效应器件的最小可重复单元中设置有两个不对称的深槽型电阻场板结构，第一个电阻场板结构的顶端设有MOSFET结构且其与MOSFET结构的源极电极连接，第二个电阻场板结构的顶端引出控制电极，当MOSFET结构的源极电极与控制电极同电位连接时，由于两个电阻场板结构的结构不对称、存在差异，二者产生的电场耦合效果更好，更适应提升MOSFET耐压漂移区杂质浓度，降低了漂移区导通电阻而同时保持耐压，优化了导通电阻与耐压之间的基本矛盾，同时，电场耦合效果更好，对相邻的其他最小可重复单元的排斥挤压也降低，从而便于最小可重复单元的结构压缩，有利于结构小型化设计和高密度化设计。

公开(公告)号：CN114335164A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210048779.9

申请日：2022-01-17

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 谭开洲 ,  肖添 ,  张嘉浩 ,  杨永晖 ,  蒋和全 ,  李儒章 ,  张培健 ,  钟怡 ,  王鹏 ,  王育新 ,  付晓君 ,  唐昭焕

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且多个第二电阻场板结构在第一平面内呈放射状设置，从靠近元胞区的一侧延伸至远离元胞区的一侧，多个紧耦合的第二电阻场板结构形成一个向四周发散的更均匀的三维电场分布，优化了对元胞区空间耗尽区电荷的引导束缚效果，提高了整个功率半导体器件的耐压性能；终端区的第二电阻场板结构与元胞区的第一电阻场板结构均为第二代基于体内电阻场板的超结技术，工艺兼容，制造成本低，且工艺难度低；采用基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。

公开(公告)号：CN112349785B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202011232183.1

申请日：2020-11-06

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 谭开洲 ,  肖添 ,  张嘉浩 ,  杨永晖 ,  李孝权 ,  王鹏飞 ,  裴颖 ,  李光波 ,  蒋和全 ,  张培健 ,  邱盛 ,  陈良 ,  崔伟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供了一种电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件More than Moore(超越摩尔)的发展方向。

公开(公告)号：CN112349786B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202011233504.X

申请日：2020-11-06

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 谭开洲 ,  肖添 ,  张嘉浩 ,  李孝权 ,  王鹏飞 ,  裴颖 ,  李光波 ,  杨永晖 ,  蒋和全 ,  张培健 ,  邱盛 ,  陈良 ,  崔伟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。