本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是由第一半导体形成的，纳米片是由第二半导体形成的，支撑结构的宽度小于纳米片的宽度；环绕式栅极，其环绕于纳米堆栈部周围；本发明半导体器件在纳米片的沟道释放过程中保留了部分牺牲层作为器件支撑结构，可在基本不影响器件亚阈值特性的情况下，大幅增加驱动电流；可维持源漏施加应力，提升器件迁移率；减小器件制备复杂度和电学特性波动性；通过和衬底的连接可以增加导电沟道散热，改善自热效应；通过调节支撑结构的宽度和高度调节器件阈值，工艺上也低了高K介质层和金属栅极的填充要求，有利于实现多阈值调控。