发明公开
- 专利标题： 一种散热集成半导体器件的制备方法及半导体器件
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申请号： CN202310201566.X申请日： 2023-02-28
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公开(公告)号： CN116230553A公开(公告)日： 2023-06-06
- 发明人: 陈军飞 , 朱潦亮 , 任泽阳 , 张金风 , 苏凯 , 吴勇 , 王东 , 陈兴 , 黄永 , 李俊鹏 , 丁森川 , 李逸江 , 孟金涛 , 许琦辉
- 申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 申请人地址： 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园7号楼
- 专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人地址： 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园7号楼
- 代理机构： 上海驷合知识产权代理有限公司
- 代理商 于秀
- 主分类号： H01L21/48
- IPC分类号： H01L21/48 ; H01L23/373 ; C30B29/04 ; C30B28/14
摘要：
本发明公开了一种散热集成半导体器件的制备方法及半导体器件，其中的方法包括如下步骤：在衬底上生长半导体器件结构层，并在半导体器件结构层的第一表面上生长导电电极；在第一表面上生长第一介质层，第一介质层覆盖导电电极；在第一介质层上生长第一金刚石散热层；刻蚀去除衬底以显露半导体器件结构层的第二表面，并在第二表面上生长第二介质层；在第二介质层上生长第二金刚石散热层。本发明中的方法，能够提高制备得到的散热率较高且质量较好的器件。
IPC分类:
