公开(公告)号：CN116230553A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310201566.X

申请日：2023-02-28

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 陈军飞 ,  朱潦亮 ,  任泽阳 ,  张金风 ,  苏凯 ,  吴勇 ,  王东 ,  陈兴 ,  黄永 ,  李俊鹏 ,  丁森川 ,  李逸江 ,  孟金涛 ,  许琦辉

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/373 ,  C30B29/04 ,  C30B28/14

摘要： 本发明公开了一种散热集成半导体器件的制备方法及半导体器件，其中的方法包括如下步骤：在衬底上生长半导体器件结构层，并在半导体器件结构层的第一表面上生长导电电极；在第一表面上生长第一介质层，第一介质层覆盖导电电极；在第一介质层上生长第一金刚石散热层；刻蚀去除衬底以显露半导体器件结构层的第二表面，并在第二表面上生长第二介质层；在第二介质层上生长第二金刚石散热层。本发明中的方法，能够提高制备得到的散热率较高且质量较好的器件。

公开(公告)号：CN116180222A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310201556.6

申请日：2023-02-28

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 许琦辉 ,  陈军飞 ,  张金风 ,  任泽阳 ,  苏凯 ,  吴勇 ,  王东 ,  陈兴 ,  黄永 ,  李俊鹏 ,  丁森川 ,  李逸江 ,  孟金涛 ,  朱潦亮

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C23C16/458

摘要： 本发明公开了一种单晶金刚石外延生长方法，包括如下步骤：将单晶金刚石衬底焊接于第一钼托上；在单晶金刚石衬底上进行同质外延生长，直至生长得到的第一金刚石外延层的厚度达到第一预设厚度；将第一金刚石外延层焊接于第二钼托上的第一生长凹槽内，直至生长得到的第二金刚石外延层的厚度与第一生长凹槽的深度的差值达到预设差值；将第二金刚石外延层焊接于第三钼托上的第二生长凹槽内，直至生长得到的第三金刚石外延层的厚度与第二生长凹槽的深度的差值达到预设差值；重复外延生长，直至得到第二预设厚度的单晶金刚石外延层。本发明中的方法，能够减小外延生长过程中的应力集中和应力累积，防止单晶金刚石外延层出现裂纹。

公开(公告)号：CN115966598A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211691889.3

申请日：2022-12-27

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 陈军飞 ,  李逸江 ,  任泽阳 ,  苏凯 ,  孟金涛 ,  朱潦亮 ,  王东 ,  吴勇 ,  陈兴 ,  许琦辉 ,  丁森川 ,  李俊鹏 ,  黄思源 ,  费一帆 ,  马源辰 ,  何琦 ,  张金风

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种增强型金刚石场效应晶体管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在本征金刚石层上生长p型掺杂金刚石层；对p型掺杂金刚石层的器件表面进行氢终端处理，以在p型掺杂金刚石层的器件表面形成氢终端导电层；去除栅极位置区域的氢终端导电层，并在栅极位置区域两侧的氢终端导电层上分别淀积源电极和漏电极；在p型掺杂金刚石层上的栅极位置区域生长栅介质层，并在栅介质层上淀积栅电极。本发明中的方法，能够制备得到大电流增强型金刚石场效应晶体管器件。

公开(公告)号：CN115717270A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202211469366.4

申请日：2022-11-22

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 陈军飞 ,  孟金涛 ,  李逸江 ,  朱潦亮 ,  李俊鹏 ,  许琦辉 ,  丁森川 ,  黄思源 ,  费一帆 ,  任泽阳 ,  张金风 ,  戴显英 ,  陈兴 ,  吴勇 ,  王东

IPC分类号： C30B28/14 ,  C30B29/04

摘要： 本发明公开了一种多晶金刚石的生长方法，其包括如下步骤：获取预处理后的钼衬底；预处理是指降低钼衬底粗糙度的处理；对钼衬底进行图案化处理，获得第一结构层；在第一结构层上涂抹金刚石粉溶液，获得第二结构层；在第二结构层上外延生长多晶金刚石。本发明中的方法，能够实现高质量多晶金刚石的生长。