本发明公开了一种叉指式背接触电池及其制备方法，其制备方法包括在硅基体正面制备本征非晶硅层、P型掺杂层或N型掺杂层，在硅基体背面制备交替排布的P型和N型隧穿钝化接触结构。本发明中，采用沉积氧化硅掩膜+激光刻蚀+清洗的方式可制备图形尺寸精确可控的背面n/p‑poly结构，采用非晶硅掩膜+激光开窗+湿法刻蚀的方式可以精准实现背面N区与P区的有效绝缘，不仅可以提升钝化结构的钝化效果，而且能够显著提升电池的效率，由此可制备得到转换效率高的叉指式背接触电池，其光电转换效率高达26.33％。同时，本发明还具有工艺简单、易于操作、易量产等优点，有利于降低制备成本以及实现批量化生产，便于推广应用。