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公开(公告)号：CN117117038A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311188579.4
申请日：2023-09-14
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种TOPCon电池结构及其制备方法，包括以下步骤：对硅基体双面制绒；在正面依次沉积隧穿氧化硅层、硼掺杂非晶硅层、碱刻蚀阻挡层和硼掺杂非晶硅层；在正面栅线区域进行图形化掩膜、碱刻蚀；去除正面栅线区域的图形化掩膜；在背面制备隧穿氧化硅层和磷掺杂非晶硅层，退火处理；在沉积钝化层、减反层、印刷电极，烧结和注入。本发明，采用图形化掩膜+碱刻蚀阻挡层+碱刻蚀的方法在正面形成图案化的poly‑finger结构，有利于显著提升电池效率，也能够有效拓宽工艺窗口，具有工艺简单、工艺窗口宽、易于操作、能耗低、易量产等优点，有利于降低制备成本和制备难度，可实现TOPCon电池的批量化生产以及广泛应用。
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公开(公告)号：CN117080314A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311027590.2
申请日：2023-08-15
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了一种叉指式背接触电池及其制备方法，其制备方法包括在硅基体正面制备本征非晶硅层、P型掺杂层或N型掺杂层，在硅基体背面制备交替排布的P型和N型隧穿钝化接触结构。本发明中，采用沉积氧化硅掩膜+激光刻蚀+清洗的方式可制备图形尺寸精确可控的背面n/p‑poly结构，采用非晶硅掩膜+激光开窗+湿法刻蚀的方式可以精准实现背面N区与P区的有效绝缘，不仅可以提升钝化结构的钝化效果，而且能够显著提升电池的效率，由此可制备得到转换效率高的叉指式背接触电池，其光电转换效率高达26.33％。同时，本发明还具有工艺简单、易于操作、易量产等优点，有利于降低制备成本以及实现批量化生产，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN115207135A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210764248.X
申请日：2022-06-30
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/04 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , C30B33/00 , C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种PERC电池的制备方法，包括以下步骤：对P型硅片正面进行制绒、生长磷掺杂氧化层、对金属化区域进行开窗处理、对激光开窗区域进行制绒和化学氧化处理、在P型硅片正面生长磷掺杂非晶硅薄膜、退火处理、对非金属化区域进行开窗处理、去除非金属化区域的掩膜。本发明PERC电池的制备方法具有工艺简单、易于操作、图形尺寸精确可控、对底层发射极损伤小等优点，且由此制得的PERC电池具有更好的效率，同时本发明制备方法与常规PERC电池制备路线高度重合，只需要增加CVD的设备用来制备poly‑finger结构，因而可以有效利用现有产线完成生产，有利于进一步降低制备成本，更适合于推广应用。
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公开(公告)号：CN115172148A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210764251.1
申请日：2022-06-30
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/268 , H01L31/20 , H01L21/321 , H01L21/3213 , H01L31/0224 , H01L31/0236
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：对P型硅片正面进行制绒、在正面生长隧穿氧化层、依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和掩膜、对非金属化区域进行开窗处理、对开窗区域进行制绒、磷扩散和退火处理、背面刻蚀和正面清洗。本发明太阳能电池的制备方法具有工艺简单、易于操作、图形尺寸精确可控、对底层发射极损伤小等优点，由此制得的太阳能电池具有更好的效率，与常规PERC电池制备路线高度重合，只需要增加CVD的设备用来制备poly‑finger结构，即可以有效利用现有产线完成生产，有利于进一步降低制备成本，更适合于推广应用。
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公开(公告)号：CN115528141A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211303546.5
申请日：2022-10-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L21/22
摘要： 本发明公开了一种N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备氧化层、硼掺杂、退火，形成多晶硅层；在多晶硅层表面预设栅线区域制备掩膜；去除硅基体表面非栅线区域的多晶硅层和氧化层；去除掩膜，得到N型太阳能电池硼扩散SE结构。与常规制备方法相比，本发明N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，仅需一次高温退火过程，对硅基体所造成的损失较小，具有工艺简单、操作方便、成本较低、损伤小等优点，不仅有利于提升电池的光电转化效率，而且有利于实现规模化生产，使用价值高，应用前景好。
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公开(公告)号：CN116613226A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310706970.2
申请日：2023-06-14
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，该电池包括硅基体，在硅基体的背面设有交替排布且成台阶分布的N型隧穿钝化接触结构和P型隧穿钝化接触结构。其制备方法包括采用激光开窗和酸洗的方式在硅片背面形成凹槽并在凹槽的顶部和底部分别制备类型不同且不导通的钝化结构。本发明太阳能电池，通过优化背面的叉指结构，使得不同类型的钝化结构交替排布且成台阶分布，可以显著降低漏电风险，有利于提高电池的转化效率，且高达26.25％，对于实现太阳能电池的大规模推广和应用具有重要意义。本发明制备方法具有工艺简单、易于操作、可精确分离n/p区、易量产等优点，可实现太阳能电池的批量化生产，以及推广应用。
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公开(公告)号：CN117790631A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311831790.3
申请日：2023-12-27
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种基于TOPCon电池的二次硼扩常压退火工艺及系统，工艺包括：控制炉管内外压力一致，通入N2，将引入SE后的硅片送入炉管内；将温度升至800℃～850℃并保温；再将温度升至860℃～970℃并保温；停止通N2，通入O2进行氧化；将温度升至980℃～1050℃继续氧化；保持通O2进行干氧化，或先通O2进行干氧化，然后在保持通O2的同时通H2O进行湿氧化；保持通O2，将温度降至800℃～900℃；将温度降至800℃～840℃，停止通O2，重新通入N2，取出石英舟。该工艺所制硅片的性能优于负压退火工艺，氧化效率高、氧化层更厚，还克服了负压氧化炉管易变形损坏、隔膜泵易堵塞的缺陷。
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公开(公告)号：CN117497628A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311520474.4
申请日：2023-11-14
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0336
摘要： 本发明公开了一种双面隧穿钝化接触太阳能电池结构及其制备方法，该结构包括硅基体，以及其正面非金属化区域设置的正面隧穿氧化层、第一N型掺杂多晶硅层、N型掺杂碳化硅层和正面减反层或透明导电氧化物薄膜，正面金属化区域设置的正面隧穿氧化层、第一N型掺杂多晶硅层、N型掺杂碳化硅层、第二N型掺杂多晶硅层、正面减反层或透明导电氧化物薄膜和正面电极，并形成欧姆接触。本发明中，在电池正面金属化区域和非金属化区域构建隧穿接触结构，不仅可以提高正面钝化效果，而且也能减少正面寄生吸收，提高正面光学利用率，从而构建得到钝化效果好、转换效率高的双面隧穿钝化接触电池结构，对于实现TOPCon电池的广泛应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116994944A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310898075.5
申请日：2023-07-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/223 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种改善硼扩散方阻均匀性工艺，包括以下步骤：在硅片表面沉积硼层，升温至第一推进温度，对硅片进行无氧推进，载入氧气，升温至第二推进温度，对硅片进行有氧推进，完成对硅片的硼扩散处理，其中第二推进温度高于所述第一推进温度。本发明改善硼扩散方阻均匀性工艺，不仅可以克服硼扩散高温掺杂过程中掺杂不匀的问题，尤其是在低浓度低掺杂过程中的不均匀问题，而且能够显著改善掺杂均匀性和方阻均匀性，以及降低表面复合，进而有利于提高电池的开路电压和短路电流，获得电性能优异的太阳能电池，具有工艺简单、操作方便、成本较低等优点，利于实现规模化生产和广泛应用，使用价值高，应用前景好。
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公开(公告)号：CN116960196A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311028179.7
申请日：2023-08-15
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/0312 , H01L31/06 , H01L31/0745 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种隧穿钝化接触电池及其制备方法，该电池包括硅基体以及硅基体由正面隧穿氧化硅层、硼/磷掺杂碳化硅层和正面硼/磷掺杂多晶硅层构成的正面隧穿接触结构，其制备方法包括在硅基体正面制备正面隧穿接触结构。本发明中，通过在硅基体正面构建由正面隧穿氧化硅层、硼/磷掺杂碳化硅层和正面硼/磷掺杂多晶硅层复合而成的隧穿接触结构，可以提升正面钝化结构的钝化效果，能够显著提升电池的转化效率，其中转换效率高达26.33％，是一种电性能优异的新型太阳能电池。本发明制备方法还具有工艺简单、工艺窗口宽、易于操作、能耗低、易量产等优点，可降低制备成本和制备难度，有利于隧穿钝化接触电池的批量化生产，以及推广应用。
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