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公开(公告)号：CN116960196A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311028179.7
申请日：2023-08-15
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/0312 , H01L31/06 , H01L31/0745 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种隧穿钝化接触电池及其制备方法，该电池包括硅基体以及硅基体由正面隧穿氧化硅层、硼/磷掺杂碳化硅层和正面硼/磷掺杂多晶硅层构成的正面隧穿接触结构，其制备方法包括在硅基体正面制备正面隧穿接触结构。本发明中，通过在硅基体正面构建由正面隧穿氧化硅层、硼/磷掺杂碳化硅层和正面硼/磷掺杂多晶硅层复合而成的隧穿接触结构，可以提升正面钝化结构的钝化效果，能够显著提升电池的转化效率，其中转换效率高达26.33％，是一种电性能优异的新型太阳能电池。本发明制备方法还具有工艺简单、工艺窗口宽、易于操作、能耗低、易量产等优点，可降低制备成本和制备难度，有利于隧穿钝化接触电池的批量化生产，以及推广应用。
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公开(公告)号：CN117123565A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311175182.1
申请日：2023-09-12
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种石墨舟干法清洗设备及清洗方法，设备包括：清洗腔室、炉门、放电单元、真空单元、进气单元和偏置电压检测单元；清洗腔室的一端设有炉门，便于石墨舟进出清洗腔室，另一端与真空单元连接，实现清洗腔室内部抽真空；清洗腔室外侧均布有多组放电单元，实现工艺气体在清洗腔室内部电离并清洗石墨舟；清洗腔室底部设有进气单元和偏置电压检测单元，进气单元用于输送工艺气体至清洗腔室内部，偏置电压检测单元采用直流偏置电压法对石墨舟清洗过程产生的电子密度和离子能量进行监测，得到石墨舟清洗前后的偏压值变化，根据偏压值变化判断石墨舟清洗终点。本发明具有结构紧凑、操作便捷、清洗效率高且能够精准判定石墨舟清洗终点等优点。
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公开(公告)号：CN117080314A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311027590.2
申请日：2023-08-15
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了一种叉指式背接触电池及其制备方法，其制备方法包括在硅基体正面制备本征非晶硅层、P型掺杂层或N型掺杂层，在硅基体背面制备交替排布的P型和N型隧穿钝化接触结构。本发明中，采用沉积氧化硅掩膜+激光刻蚀+清洗的方式可制备图形尺寸精确可控的背面n/p‑poly结构，采用非晶硅掩膜+激光开窗+湿法刻蚀的方式可以精准实现背面N区与P区的有效绝缘，不仅可以提升钝化结构的钝化效果，而且能够显著提升电池的效率，由此可制备得到转换效率高的叉指式背接触电池，其光电转换效率高达26.33％。同时，本发明还具有工艺简单、易于操作、易量产等优点，有利于降低制备成本以及实现批量化生产，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN117102156A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310938980.9
申请日：2023-07-27
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种石墨舟干法清洗装置及清洗方法，装置包括：清洗腔室、电极板、炉门、放电单元、真空单元、进气单元和光谱测试单元，石墨舟放置在清洗腔室内部进行清洗；清洗腔室的一端设有便于石墨舟进出的炉门，另一端与真空单元连接，以实现抽真空；清洗腔室外侧均布有多组放电单元，用于实现工艺气体在清洗腔室内部电离，以清洗石墨舟；清洗腔室底部设有进气单元和光谱测试单元，进气单元用于输送工艺气体至清洗腔室内部，光谱测试单元采用光谱法对清洗过程产生的等离子辉光进行监测，得到清洗前后的光谱变化，根据光谱变化判断石墨舟的清洗终点。本发明具有结构紧凑、操作便捷、清洗效率高且能够精准判定石墨舟清洗终点等优点。
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公开(公告)号：CN107832346B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201710961176.7
申请日：2017-10-13
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： G06F16/245 , C30B29/06
摘要： 本发明公开了一种提纯锭芯的分档方法，包括以下步骤：测试提纯锭芯上某两处的电阻率，获取提纯锭芯的底部电阻率和顶部电阻率，并计算底部电阻率和顶部电阻率之间的差值得到提纯锭芯的底顶部电阻率差值；针对获得的底部电阻率、底顶部电阻率差值，查询预设的提纯锭芯分档数据表获取被测试提纯锭芯的分档级别，其中提纯锭芯分档数据表包含底部电阻率、底顶部电阻率差值两者及其对应的分档级别之间的映射关系。本发明分档方法能够把复杂的计算和测试过程简单化，能够科学系统、简单有效对提纯锭芯进行分档，具有简易、准确等优点，以本发明方法对提纯锭芯进行分档，对铸锭过程中磷含量的控制具有非常大的意义。
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公开(公告)号：CN104711673A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510112780.3
申请日：2015-03-13
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种多晶硅铸锭的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在去离子水中加入粘结剂、分散剂和纯度大于99.9％、粒径为1～5000μm的硅颗粒，搅拌均匀得到浆料，其中硅颗粒占浆料的质量百分数不低于50％；(2)在内表面设有氮化硅涂层的石英坩埚内，将所述浆料喷涂、辊涂或刷涂在氮化硅涂层表面，形成1～10mm的浆料层，干燥得到硅涂层坩埚；(3)将所述硅涂层坩埚装上硅料，送入多晶硅铸锭炉，经抽真空后，对硅料加热，硅料全部熔化后，使硅料熔液降温进行多晶硅生长，多晶硅生长完成后，经退火冷却得到多晶硅铸锭。将本发明得到的多晶硅铸锭制成的太阳能电池，硅片的平均电池效率超过18％。
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公开(公告)号：CN104695014A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510111883.8
申请日：2015-03-13
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种铸造多晶硅的退火工艺，该工艺使用多晶硅铸锭炉，所述多晶硅铸锭炉包括隔热笼和隔热笼下方的隔热底板，隔热笼内设坩埚，坩埚底部外表面设石墨底板；坩埚内的多晶硅长晶步骤完成后，通过降低或提升隔热笼或隔热底板的高度，以此调节隔热笼与隔热底板之间的距离，使坩埚内温度以0.5℃/min～5℃/min的速率下降，坩埚底部温度波动不超过50℃，当坩埚内温度下降至与坩埚底部温度的温差至50℃以内，完成退火；所述坩埚底部温度是指坩埚底部石墨护板下方的温度。该工艺减少了杂质的反扩散，大幅提高了硅锭的成品率，节约了能耗。
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公开(公告)号：CN107832346A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710961176.7
申请日：2017-10-13
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
CPC分类号： G06F17/30424 , C30B29/06
摘要： 本发明公开了一种提纯锭芯的分档方法，包括以下步骤：测试提纯锭芯上某两处的电阻率，获取提纯锭芯的底部电阻率和顶部电阻率，并计算底部电阻率和顶部电阻率之间的差值得到提纯锭芯的底顶部电阻率差值；针对获得的底部电阻率、底顶部电阻率差值，查询预设的提纯锭芯分档数据表获取被测试提纯锭芯的分档级别，其中提纯锭芯分档数据表包含底部电阻率、底顶部电阻率差值两者及其对应的分档级别之间的映射关系。本发明分档方法能够把复杂的计算和测试过程简单化，能够科学系统、简单有效对提纯锭芯进行分档，具有简易、准确等优点，以本发明方法对提纯锭芯进行分档，对铸锭过程中磷含量的控制具有非常大的意义。
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公开(公告)号：CN105304756B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510720547.3
申请日：2015-10-30
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种太阳能晶硅电池返工片处理工艺，包括以下步骤：（1）对所述太阳能晶硅电池返工片进行氧化处理；（2）将步骤（1）氧化处理后的返工片放入清洗液中清洗，以去除步骤（1）氧化过程中产生的氧化物。该工艺具有降低返工片处理不良比例、避免传统制绒返工处理产生的花晶和暗纹问题、工艺简单、处理灵活等优点，且可与传统的制绒尾液返工处理工艺相结合，共同应用于返工片的返工处理。
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公开(公告)号：CN106182471A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610548901.3
申请日：2016-07-13
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
CPC分类号： B28D5/045 , B28D5/0076
摘要： 本发明公开了一种多晶硅棒切割方法，在对硅棒进行多线切割之前，调整切割工作台上各硅棒的倾斜角度α，以使切割线网在收刀阶段先切割各硅棒出线侧的胶水层。本发明的多晶硅棒切割方法具有操作简便、切割质量稳定等优点。
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