发明授权
- 专利标题： Lanthanum complex and process for the preparation of a BLT layer using same
- 专利标题（中）： 镧络合物和使用其制备BLT层的方法
-
申请号： US10143355申请日： 2002-05-09
-
公开(公告)号： US06858251B2公开(公告)日： 2005-02-22
- 发明人: Shi-Woo Rhee , Sang-Woo Kang
- 申请人： Shi-Woo Rhee , Sang-Woo Kang
- 申请人地址： KR
- 专利权人： Postech Foundation
- 当前专利权人： Postech Foundation
- 当前专利权人地址： KR
- 代理机构： Anderson Kill & Olick, P.C.
- 优先权： KR2001-54054 20010904
- 主分类号： C01G29/00
- IPC分类号： C01G29/00 ; C07C49/92 ; C07C211/65 ; C07C217/08 ; C07F5/00 ; C23C16/40 ; H01B3/00 ; H01B3/12 ; H01L21/316 ; C23C16/06 ; C23C16/14 ; C23C16/22
摘要：
A lanthanum complex of formula (I) having a low evaporation temperature can be used as a useful precursor for MOCVD of a BLT thin layer on semiconductor devices. wherein A is pentamethyldiethylenetriamine(PMDT) or triethoxytriethyleneamine(TETEA).